INAS
- 网络砷化铟；砷化锢；砷化铟靶材
INASINAS
砷化铟
砷化铟（Inas）晶体产品规格 标准包装 1000级超净室，100级超净袋或单片盒封装 上一页： 锑化铟(InSb)晶体基片 下一页： …
砷化锢
...前已制成激光器的半导体材料有砷化稼(GaAs )、砷化锢(InAs)、氮化镓（GaN)、锑化锢( InSb)、硫化锅( cds )、蹄化福(CdTe …
砷化铟靶材
...），磷化铟靶材（InP），砷化铅靶材（PbAs），砷化铟靶材（InAs）。
铟砷
图1.未戴帽的铟砷(InAs)自组成量子点可在砷化镓(GaAs)上生长点击此处查看全部新闻图片 如果二种半导体的晶格常数相差很 …
砷化铟探测器
仪器简介： ■ 砷化铟探测器（InAs） ———近红外探测器 波长范围：1-3.8μm 技术参数： 主要技术指标 型号/参数 DInAs3800…
砷化烟
磁敏电阻器是采用锑化烟（InSb）或砷化烟（InAs）等材料、根据半导体的磁阻效应制成的，它的阻值能随着磁场强度的变化 …
砷化铟化合物
该研究团队首先将砷化铟化合物 (InAs) 奈米粒子分布於砷化镓化合物 (GaAs) 中制作出薄膜。随后在厚约 600 微米的砷化镓化 …
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Investigatorssay he harvested the deer in Adams County illegally, then checked it inas a Kentucky archery kill.
调查人员说，他在（俄亥俄州）亚当斯县非法收获了这只鹿，而登记成在肯塔基州射杀的。
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A method of correcting INAS error based on landmark image messages is described, emulating results are presented.
提出了一种基于地标图像信息的惯导系统误差校正方法，并进行了仿真实验研究。
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Method of Correcting INAS Error Based on Landmark-Image Messages
基于地标图像信息的惯导系统误差校正方法