LDMOS
- 网络横向扩散金属氧化物半导体(laterally-diffused metal oxide semiconductor)；Lateral Diffused Metal Oxide Semiconductor；横向扩散金属氧化硅
LDMOSLDMOS
横向扩散金属氧化物半导体(laterally-diffused metal oxide semiconductor)
硅横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管具有低成本和大功率的优势，非常适合于现代蜂窝基站PA设计。对线性度、效率 …
Lateral Diffused Metal Oxide Semiconductor
LDMOS（Lateral Diffused Metal Oxide Semiconductor）即：横向扩散金属氧化物半导体。起初，LDMOS技术是为900MHz蜂 …
横向扩散金属氧化硅
Xilinx：词汇表 ... LCA fileFPGA 实现文件。 LDMOS 横向扩散金属氧化硅（场效应晶体管） LDT 查看 闪电数据传输 ...
横向扩散金氧半电晶体
横向扩散金氧半电晶体(LDMOS)因为与标准CMOS制程有很高的相容性，因此广泛地被应用在中电压之智慧型功率电路中。当 …
横向扩散金氧半场效电晶体
国立清华大学机构典藏 National Tsing... ... 电子工程研究所 GH029663553 横向扩散金氧半场效电晶体 LDMOS 戴冠宇 Tai,Kua…
横向扩散金属氧化物监视
· 放大器尺寸比使用硅双极结晶体管(Si BJT)或横向扩散金属氧化物监视(LDMOS)器件的产品减小50%封装和供货： 2729GN-50…
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The invention provides an LDMOS device capable of improving breakdown voltage and a manufacturing method thereof.
本发明提供了一种可提高击穿电压的LDMOS器件及其制造方法。
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This model is an aid to understand the device physics during on-state accurately and it also directs high voltage LDMOS design.
该模型有助于深入理解LDMOS开态击穿的物理过程，可用于指导高压LDMOS的设计。
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The relation between the maximum temperature and the switching condition of an LDMOST under different frequencies is studied.
研究了LDMOS器件内部的最高温度与开关频率之间的关系。
4
The compatibility of BCD process integration was discussed. We focused on the principle and concerns on LDMOS technology.
对BCD工艺兼容性进行了说明，着重阐述了LDMOS的工艺原理和关键工艺设计考虑。
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The methods for every resistance are given out in details according to the structure of LDMOS.
根据LDMOS的结构特点分别给出了各个电阻的具体计算方法。
6
The process for this new structure is compatible with the normal P type LDMOS.
根据以上结构制定新工艺，该工艺与常规P型LDMOS兼容。
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An accurate expression of LDMOS on-resistance is obtained in the end.
最后给出了精确的LDMOS导通电阻表达式。
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Design and Implementation of a High-Voltage LDMOS Operational Amplifier
一种LDMOS高压运算放大器的设计与实现
9
An Analytical Model of a LDMOS On-Resistance Using a Well as a High Resistance Drift Region
用阱作高阻漂移区的LDMOS导通电阻的解析模型
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Influence of Gate Voltages on Temperature of LDMOS Under Ultra-High Transient Currents
栅压对LDMOS在瞬态大电流下工作的温度影响