MRAM
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- 网络磁性随机存储器(magnetic random access memory)；磁随机存储器；磁性记忆体
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磁性随机存储器(magnetic random access memory)
新型磁性随机存储器（MRAM）问世 开关电脑将可以做到如同开关电视般即时响应 Jun,11,2003 OurSci News Staff ◇春上莱茵 …
磁随机存储器
面向磁随机存储器(MRAM)，开展了巨磁电阻(GMR)/隧道磁电阻(TMR)纳米薄膜的研究，研制出磁电阻变化率分别超过9％的标 …
磁性记忆体
磁性记忆体(MRAM)也是自旋电子产品之一，已被列为下一世代新式记忆体。年度医学贡献奖 胥特曼（德国） 对成功治疗艾滋 …
磁随机存取存储器
物理所研制成功一种新型磁随机存取存储器(MRAM)原理型器件 ※ 一种研究自旋翻转散射效应的新方法 ※ 基于第一性原理的双 …
磁性随机存取存储器
由于磁性随机存取存储器（MRAM） 和穿隧磁阻（TMR）磁头的潜在应用，各类工业、政府和学术界实验室都在这方面进行了 …
磁性随机存取记忆体
矽(SOI)技术,磁性随机存取记忆体(MRAM)与半绝缘基材的射频积体电路等较长远,具 (Aerial Image)检测技术,来维持在光罩品质 …
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The initial applications for the technology are expected to be in mobile applications where power efficiency is highly valued.
预计STT-MRAM芯片初期的用途将包括对耗电量要求很高的移动设备。
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Ferroelectric RAM (FRAM) and magnetoresistive RAM (MRAM) are the best-funded and most-evolved of the emerging memory technologies.
铁电RAM（FRAM）和磁阻RAM（MRAM）是存储器新技术中投入最多、研究最深入的两项技术。
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A magnetic random access memory (MRAM) and a manufacturing method and a programming method thereof are provided.
本发明公开了一种磁性存储器及其制造方法与写入方法。
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Motorola, IBM, and Hewlett-Packard are all developing magnetic RAM (MRAM) which seems poised to become the nonvolatile technology of choice.
摩托罗拉、IBM和惠普都在开发磁性随机存取存储器（MRAM），这种存储器似乎有成为业界优先选择的非易失性存储技术的趋势。
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STT-RAM is a second-generation MRAM technology that is said to solve some of the problems posed by conventional MRAM structures.
通常认为STT-RAM是MRAM技术的第二代技术，这项技术解决了常规MRAM的一些问题。
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MRAM is non-volatile memory, it is also power efficient and operates at ultra-high speed, the companies said in a joint statement.
据两家公司的联合声明称，MRAM是一种非易失性存储技术，它具备速度极快和耗电量低的优点。
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These magnetic random-access memories, or MRAMs, went on sale in 2006 from Freescale Semiconductor, a spin-off of Motorola.
这种磁性随机存取记忆体（MRAM）在2006年由摩托罗拉的子公司飞思卡尔半导体引入市场。
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In this dissertation, we investigate the key issue of the MRAM - writing efficiency.
在本论文中，主要是针对磁性记忆体的主要课题进行研究-磁性记忆体的写入效益。
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But IBM recently demonstrated that it can use magnetic tunnel junctions to inject the current, as they do for MRAM.
但是最近IBM演示了能利用磁隧道结将电流注入进去，如同他们在为MRAM所做的那样。
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Digit and word lines of MRAM structures are subsequently formed.
然后形成MRAM结构的数字线和字线。