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- 网络Degradation Mean Opinion Score; 双扩散金属氧化物半导体(doublediffusion metal-oxide-semiconductor); 空乏式金氧半电晶体
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Degradation Mean Opinion Score
...Mean Opinion Score)、下降的平均DMOS(Degradation Mean Opinion Score)、诊断押韵测试DRT(Diagnostic Rhyme Test)、 …
双扩散金属氧化物半导体(doublediffusion metal-oxide-semiconductor)
改进的双扩散金属氧化物半导体（DMOS）组件架构进一步减小了单位面积的导通电阻。目前，安森美半导体的汽车BCD技术 …
空乏式金氧半电晶体
....2 增强式金氧半场效电晶体(EMOS) 5.3 空乏式金氧半电晶体(DMOS) 5.4 接面场效电晶体(JFET) 精选范例 第 6 章 FET的直 …
营销组织
总的来说,名人代言的意义为目的地营销组织(DMOs)在于期望可以支持形象,名人广告的产品或品牌。公众的兴趣和感知的名人 …
耗尽型
它分增强型(EMOS)和耗尽型(DMOS)两类，各类又有P沟道(PMOS)和N沟道(NMOS)两种。 以N沟道绝缘栅场效应管为例，其 …
双重扩散金氧半
图为一双重扩散金氧半（DMOS）绝缘闸双极电晶体（IGBT）的元件结构和I－V特性曲线。此结构最左侧为一垂直的双极接面 …
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Synchronous rectification circuitry allows the load current to flow through the low RDS(on) of the DMOS output driver during current decay.
同步整流电路允许负载电流在电流衰减过程中通过DMOS输出驱动器的低RDS（on）流动。
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The three half-bridge outputs are low on-resistance n-channel DMOS devices capable of driving up to 1. 25 A.
三个半桥式输出是低开态电阻N通道DMOS器件，能驱动最多1.25A的电流。
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The A8698 includes an integrated power DMOS switch to reduce the total solution footprint.
A8698包括集成电源DMOS开关，可减少总体解决方案所占的空间。
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The plurality of individual DMOS transistor cells is dividable into peripheral transistor cells and interior transistor cells.
多个独立DMOS晶体管单元被分为外围晶体管单元和内部晶体管单元。
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The semiconductor device can be a DMOS device.
所述半导体器件可以是DMOS器件。
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The integrated DMOS outputs of the A3980 self-protect themselves during any short-circuit events.
A3980的集成DMOS输出在任何短路情况下都可进行自我保护。
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DMOS Software and Its Application in Chemical Process Optimization
DMOS优化软件及其在化工过程优化中的应用
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DMOS-A comprehensive software series for industrial optimization and advanced optimal control
DMOS-基于多种数据挖掘算法的工业优化软件系列
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A Threshold Voltage Model of DMOS by Radiation Induced Positive Spatial Charge
DMOS辐照正空间电荷阈值电压模型
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Transient Response of Single Ion Radiate Lateral High-Voltage DMOS
横向高压DMOS单粒子辐照瞬态响应