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- 网络全耗尽绝缘体上硅(Fully Depleted Silicon-on-Insulator)；全耗尽绝缘硅；空乏型绝缘矽
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全耗尽绝缘体上硅(Fully Depleted Silicon-on-Insulator)
...资3.6亿欧元（约合4.65亿美元）的项目，以促进全耗尽绝缘体上硅（FDSOI）制造工艺在欧洲实现产业化。
全耗尽绝缘硅
这种晶体管采用一种低功耗方法，该方法基於全耗尽绝缘硅（FDSOI）以及一个由高K栅介质组成的栅叠层和一个单金属电极叠 …
空乏型绝缘矽
以意法半导体而言，目前已成功以28奈米(nm)完全空乏型绝缘矽(FDSOI)技术，开发出兼具效能与低功耗且可同时应用於电视机 …
耗尽型绝缘层上覆矽
完全耗尽型绝缘层上覆矽 ( FDSOI )技术的支持者们，最近集结成了一个行动运算应用统一阵线，希望推动该技术成为英特尔 (In…
全耗尽型绝缘上覆矽
...美元)的《Places2Be》晶圆厂计画，期望支持全耗尽型绝缘上覆矽(FDSOI)制造制程产线迈向产业化。
空乏型绝缘层覆矽
任一个选择都伴随著各自的挑战。本篇文献将讨论鳍式场效电晶体(FinFET)和平面式完全空乏型绝缘层覆矽(FDSOI)元件的利弊 …
耗尽绝缘上覆矽
...途径──英特尔称为三闸极(tri-gate)、完全耗尽绝缘上覆矽(FDSOI)技术，以及在20nm及更先进节点上的大量平面制程最新进 …