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- 网络氮化铟镓；铟氮化镓；铟镓氮化物
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氮化铟镓
是使用氮化铟镓(ingan)系列的芯片配合钇铝石榴石(YAG)荧光粉所制成的白光LED，其对应在定义项中针对照明用白光LED所述 …
铟氮化镓
? 铟氮化镓 (InGaN) - 近紫外线，蓝绿色，蓝色 ? 碳化硅 (SiC) (用作衬底) - 蓝色 ?
铟镓氮化物
铟镓氮化物（ InGaN ） -近紫外线，蓝色，绿色和蓝色碳化硅（Sic）为底物-蓝硅（si）为底物-蓝色（开发中） 蓝宝石（Al2O3…
化合物半导体氮化镓
主要生产化合物半导体氮化镓(InGaN)光电相关材料的磊晶及晶粒制造，以有机金属气相磊晶技术(Metal Organic Chemical Vapo…
铟氮化稼
低铟含量铟氮化稼（InGaN）浅量子阱（SQW）步骤的外延材料通过在控制平面（0001）蓝宝石上使用金属有机气象沉积（MO…
氮化镓铟
基于氮化镓铟 (InGaN) 技术的欧司朗高性能 LED 在直径为 6 英寸的晶圆上制造。 Stauss 博士强调：“对于被广泛应用于照明行 …
铟氮镓
...色LED材料有碳化硅（Suc）、氮化镓（GaN）及铟氮镓（InGaN）三元材料等，采用InGaN/AlGaN结构制成的蓝色发光灯峰 …
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Optical properties of InGaN with different indium content have been systematically studied by temperature dependent photoluminescence (PL).
主要内容包括：利用光致发光谱研究了不同组分铟镓氮材料的光学特性。
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Temperature Distribution in Ridge Structure InGaN Laser Diodes and Its Influence on Device Characteristics
脊形InGaN激光器的温度分布及其对器件特性的影响
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Structure and Luminescence Properties of Multi-sheet InGaN Quantum Dots Grown by Passivation-low-temperature Method
钝化低温法生长多层InGaN量子点的结构和光学特性
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Theoretical Calculation of Gain and Threshold Current Density for InGaN Quantum Well Lasers
InGaN量子阱激光器增益和阈值电流的理论计算