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- 网络经时击穿(Time dependent dielectric breakdown)；经时绝缘击穿；时间相关绝缘击穿
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经时击穿(Time dependent dielectric breakdown)
经时击穿 (TDDB) 是介电材料（如二氧化硅 (SiO电容器将为所有的隔离器件的输入至输出建模。
经时绝缘击穿
经时绝缘击穿（TDDB）是评价薄栅氧化层质量的重要方法。本文介绍了氧化硅结构及其作为栅氧化层的击穿机理和几种主要TD…
时间相关绝缘击穿
这种随使用时间累计而产生的击穿现象称为“时间相关绝缘击穿”(TDDB)。加上深亚微米技术的应用，会增加这类故障在现场发 …
时间相关介电层击穿
...热载流子、负偏压温度不稳定性（NBTI）、电迁移、时间相关介电层击穿（TDDB）或电荷击穿（QBD）。
介质击穿
7) 与时间有关的介质击穿 (TDDB) 施加的电场低于栅氧的本征击穿强度, : 但经历一定的时间后仍发生击穿的现象.这是由于施加 …
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Quality Evaluation of Thin Dielectric Film by TDDB Measurements
TDDB击穿特性评估薄介质层质量
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High Temperature and Constant Electric Field TDDB Test of Thin Gate Oxide
高温恒定电场栅氧化层TDDB寿命测试方法研究
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Lifetime Assessment of Thin Gate Oxides by Voltage Ramp TDDB Test
薄栅氧化层斜坡电压TDDB寿命评价
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A physical-based percolation model for gate oxide TDDB
栅氧化层介质经时击穿的逾渗模型
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TDDB Test and Parameter Extraction of Gate Oxides
栅氧化层TDDB可靠性评价试验及模型参数提取