HEMT
- 网络高电子迁移率晶体管(High Electron Mobility Transistor)；高电子迁移率电晶体；高电子迁移率管
HEMTHEMT
高电子迁移率晶体管(High Electron Mobility Transistor)
其中高电子迁移率晶体管(HEMT)的低噪声性能比场效应管更优 越，运用这种器件设计成低噪声放大器，在C 波段噪声温度可达…
高电子迁移率电晶体
采用0.15微米高电子迁移率电晶体(HEMT)制程制造的SHM面积为1.3mm2，其输出为5至6GHz的IF讯号，变频增益大约为2dB …
高电子迁移率管
高电子迁移率管 （HEMT）和赝配高电子迁移率管（PHEMT）都是由场金属半导体场效应管演化发 展而来。 当栅极电压为零 …
高迁移率晶体管
? 可以以来制造高迁移率晶体管(HEMT)和2维电 子气场效应管（TEGFET）。 无限深一维方势阱 ? 薛定格方程 h 2 ? 2ψ ( x
高电子迁移率场效应晶体管
在工作频率1～12吉赫下,噪声系数仅0.5～1.4分贝。异质结高电子迁移率场效应晶体管(HEMT)工作频率更高、噪声更低。
率电晶体(High Electron Mobility Transistors)
在本篇论文中，为了改善传统高电子移动率电晶体 (HEMT)闸极电压摆幅太小的问题，我们采用了以磷化铟为基板并具有反向渐 …
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The model provides a valuable tool for the optimization and performance prediction of the double planar doped HEMT.
该模型为优化和预测双平面掺杂HEMT器件性能提供了一个有效手段。
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Operation temperature and thickness of spacer both have great effect on the electrical properties of HEMT.
材料的工作温度和空间隔离层厚度对HEMT的电学性能都有很大的影响。
3
In one aspect, selective fluorine ion implantation is employed when developing HEMTs to create the enhanced back barrier structures.
在一个方面，在制备HEMT时可以利用选择性的氟离子注入来产生增强背势垒的结构。
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At last, the effect of rapid thermal annealing on the electrical properties of HEMT material is studied.
最后我们研究了快速退火对HEMT材料电学性能的影响。