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- 网络深反应离子刻蚀(deep reactive ion etching)；反应离子刻蚀技术；深反应离子刻蚀技术
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深反应离子刻蚀(deep reactive ion etching)
针对深反应离子刻蚀(DRIE)工艺加工高深宽比梳齿电容存在侧壁倾斜角的情况,分析了该倾斜角对梳齿谐振器频率的影响。为了 …
反应离子刻蚀技术
借助深度反应离子刻蚀技术(DRIE)的工艺，碳晶部件达到了千分之一毫米(即1微米)的超高精度，并且具有极其光滑的表面。这 …
深反应离子刻蚀技术
随 着深反应离子刻蚀技术（DRIE）的出现，体硅微机械加工技术的加工精度显著提高，在硅衬底上用多 晶硅制作不仅适宜批 …
深反应离子蚀刻
建构於深反应离子蚀刻(DRIE)制程上的制程选项使得有可能在主要标准IC制程完成后来制作MEMS结构。当再结合拥有氧化物 …
Deep Reactive Ion Etch
...用体硅微机械进行大批量生产的潜力，比起文献中运用 DRIE(deep reactive ion etch)方法制备的器件，可以降低成本。这一 …
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Fabrication of Ultra Deep Electrical Isolation Trenches with High Aspect Ratio Using DRIE and Dielectric Refill
用深反应离子刻蚀和介质填充技术制造具有高深宽比的超深电隔离槽
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Trench Profile Control of Silicon DRIE Process on ICP Tools
ICP体硅深刻蚀中侧壁形貌控制的研究