ingaas
- 网络铟镓砷；砷化铟镓；砷化镓铟
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铟镓砷
文章从铟镓砷(InGaAs)陷阱探测器的基本工作原理出发,研究了铟镓砷红外探测器所产生的噪声。分析了噪声的种类、产生根源 …
砷化铟镓
型砷化铟镓(InGaAs)。 15.如申请专利范围第1项所述之具有遮阳帽负微分电阻特性之异质接面双极性电晶体元件，其中形成该 …
砷化镓铟
为此，夏普在底层改用了砷化镓铟（InGaAs）材料。虽然其中遇到了该材料难以实现高质量结晶的问题，但在问题得以解决后…
铟镓砷探测器
铟镓砷探测器(InGaAs)新势力光电供应铟镓砷探测器(InGaAs)，有效探测直径可达3mm，具有低暗电流和高灵敏度的特点，封 …
砷镓铟
这种单片III-V族半导体芯片包括两层砷化镓（GaAs）和夹在其中的砷镓铟（InGaAs）量子阱。两层GaAs经过了优化从而能有 …
铟镓化砷
...IRQuest512-2.5 采用滨松512像元的铟镓化砷（InGaAs）阵列检测器，覆盖范围900-2500nm，比之前的256像元的近红外系 …
砷化镓铟微光显微镜
砷化镓铟微光显微镜(InGaAs)" E/ [3 {* l6 x雷射光束电阻异常侦测(OBIRCH)% k$ g7 W z/ [7 O" y液晶热点侦测(LC)9 x6 `: H9 O…
铟镓砷化物
电子工程术语 - 电子发烧友网 ... IFT 中频变换。 InGaAs 铟镓砷化物。 INL 积分非线性。 ...
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High polarization properties of single-photon emission from anisotropic InGaAs quantum dots
各向异性量子点单光子发射的高偏振度特性
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Optimization of InGaAs Quantum Dots for Optoelectronic Applications
自组织量子点的优化生长
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Characteristics of Monolithically Integrated InGaAs Active Pixel Imager Array
单片集成InGaAs有源象素成象阵列的特性