填充因子

16.07%

电池电阻偏高

你好，等部门的电气装置、自动控制以及调度系统。交流电流、电压变送器具有单路、三路组合结构形式，其特点为：1、准确度高（典型：0.2% 最好0.05%）；2、整个量程范围都有极高的线性度；3、集成化程度高，结构简单，优良的温度特性和长期工作稳定性，使变送器免于定期校验。直流电流变送器将被测信号变换成一电压，经HCNR200/201线性光耦直接变换成一个与被测信号成极好线性关系并且完全隔离的电压，再经恒压

Production.Product表示Production数据库下Product表

填充因子（曲线因子）：最大输出功率与开路电压和短路电流乘积之比，用符号FF表示。FF=Pm/Uoc*Isc=Um*Im/Uoc*Isc填充因敞氦搬教植寄邦犀鲍篓子是反映太阳电池性能好坏的另一重要参数。

这是收藏的一些资料：SQLServer提供了一个数据库命令――DBCC SHOWCONTIG――来确定一个指定的表或索引是否有碎片。 示例：显示数据库里所有索引的碎片信息DBCC SHOWCONTIG WITH ALL_INDEXES显示指定表的所有索引的碎片信息DBCC SHOWCONTIG (authors) WITH ALL_INDEXES显示指定索引的碎片信息DBCC SHOWCONTIG (authors,aunmind)DBCC 执行结果：扫描页数：如果你知道行的近似尺寸和表或索引里的行数，那么你可以估计出索引里的页数。看看扫描页数，如果明显比你估计的页数要高，说明存在内部碎片。 扫描扩展盘区数：用扫描页数除以8,四舍五入到下一个最高值。该值应该和DBCC SHOWCONTIG返回的扫描扩展盘区数一致。如果DBCC SHOWCONTIG返回的数高，说明存在外部碎片。碎片的严重程度依赖于刚才显示的值比估计值高多少。 扩展盘区开关数：该数应该等于扫描扩展盘区数减1。高了则说明有外部碎片。 每个扩展盘区上的平均页数：该数是扫描页数除以扫描扩展盘区数，一般是8。小于8说明有外部碎片。 扫描密度［最佳值:实际值］：DBCC SHOWCONTIG返回最有用的一个百分比。这是扩展盘区的最佳值和实际值的比率。该百分比应该尽可能靠近100％。低了则说明有外部碎片。 逻辑扫描碎片：无序页的百分比。该百分比应该在0％到10％之间，高了则说明有外部碎片。 扩展盘区扫描碎片：无序扩展盘区在扫描索引叶级页中所占的百分比。该百分比应该是0％，高了则说明有外部碎片。 每页上的平均可用字节数：所扫描的页上的平均可用字节数。越高说明有内部碎片，不过在你用这个数字决定是否有内部碎片之前，应该考虑fill factor（填充因子）。 平均页密度（完整）：每页上的平均可用字节数的百分比的相反数。低的百分比说明有内部碎片。 解决碎片问题 ：1. 删除并重建索引 2. 使用DROP_EXISTING子句重建索引 3. 执行DBCC DBREINDEX 4. 执行DBCC INDEXDEFRAG 删除并重建索引 ：用DROP INDEX和CREATE INDEX或ALTER TABLE来删除并重建索引有些缺陷包括在删除重建期间索引会消失。在索引删除重建时，对于查询它不在可用，查询性能也许会受到明显的影响，直到重建索引为止。另一个潜在的缺陷是当都请求索引的时候会引起阻塞，直到重建索引为止。通过其他的处理也能解决阻塞，就是索引被使用的时候不删除索引。另一个主要的缺陷是在用DROP INDEX和CREATE INDEX重建聚集索引时会引起非聚集索引重建两次。删除聚集索引时非聚集索引的行指针会指向数据堆，聚集索引重建时非聚集索引的行指针又会指回聚集索引的行位置。 删除并重建索引的确有一个好处就是通过重新排序索引页，使索引页紧凑并删除不需要的索引页来完全重建索引。你也许需要考虑那些内部和外部碎片都很高的情况下才使用，以使那些索引回到它们应该在的位置。使用DROP_EXISTING子句重建索引 ：为了避免在重建聚集索引时表上的非聚集索引重建两次，可以使用带DROP_EXISTING子句的CREATE INDEX语句。这个子句会保留聚集索引键值，以避免非聚集索引重建两次。和删除并重建索引一样，该方法也可能会引起阻塞和索引消失的问题。该方法的另一个缺陷是也强迫你去分别发现和修复表上的每一个索引。 除了和上一个方法一样的好处之外，该方法的好处是不必重建非聚集索引两次。这样可以对那些带约束的索引提供正确的索引定义以符合约束的要求。 执行DBCC DBREINDEX ：DBCC DBREINDEX类似于第二种方法，但它物理地重建索引，允许SQLServer给索引分配新页来减少内部和外部碎片。DBCC DBREINDEX也能动态的重建带约束的索引，不象第二种方法。 DBCC DBREINDEX的缺陷是会遇到或引起阻塞问题。DBCC DBREINDEX是作为一个事务来运行的，所以如果在完成之前中断了，那么你会丢失所有已经执行过的碎片。 执行DBCC INDEXDEFRAG ：DBCC INDEXDEFRAG（在SQLServer2000中可用）按照索引键的逻辑顺序，通过重新整理索引里存在的叶页来减少外部碎片，通过压缩索引页里的行然后删除那些由此产生的不需要的页来减少内部碎片。它不会遇到阻塞问题但它的结果没有其他几个方法彻底。这是因为DBCC INDEXDEFRAG跳过了锁定的页且不使用任何新页来重新排序索引。如果索引的碎片数量大的话你也许会发现DBCC INDEXDEFRAG比重建索引花费的时间更长。DBCC INDEXDEFRAG比其他方法的确有好处的是在其他过程访问索引时也能进行碎片整理，不会引起其他方法的阻塞问题。

填充因子主要是串联电阻和并联电阻所影响。其中在并联大于10（Ohm）后，串阻的影响最为严重。

聚集索引（Clustered Index）：对表的物理数据页中的数据按列进行排序，然后再重新存储到磁盘上，即如果说在一个表中建立了聚集索引，则表中的数据页会在会按照索引的顺序来存放非聚集索引（Nonclustered Index）：具有完全独立于数据行的结构，使用非聚集索引不用将物理数据页中的数据按列排序，即非聚集索引不会影响数据表中记录的实际存储顺序。非聚集索引的叶节点存储了组成非聚集索引的关键字值和行定位器。填充因子：指索引中一个叶子节点的填充率，若都填满就是100%，若填充率为50%，则只有一半的数据

填充因子最简单的理解方法： 一张A4纸，用word去写东西， 写了两页 比如，每页10行,且只能容纳10行 现在你要修改第一页的内容，增加一行，在第9行增加，是不是从10行之后全部顺延下去，然后 word自动增加了第三页？？ 这个时候，如果你的填充因子是20行，但，你每页还是只填入了10行， 那么，你在第一页的第9行增加一行之后，发生了什么事？ 恩，结果就是，仍是两页，且，第二页的文档没有发生任何变化。这个时候，就有个问题啦： 在什么情况下用多大的填充因子呢？ 呵呵。的确， 要看具体需要了，写的多，则大，查的多，则小，具体情况具体对待。延伸：索引最终要的参数：是填充因子。当创建一个新索引，或重建一个存在的索引时，你可以指定一个填充因子，它是在索引创建时索引里的数据页被填充的数量。填充因子设置为100意味着每个索引页100％填满，50％意味着每个索引页50％填满。 如果你创建一个填充因子为100的聚集索引（在一个非单调递增的列上），那意味着每当一个记录被插入（或修改）时，页拆分都会发生，因为在现存的页上没有这些数据的空间。很多的页拆分会降低sqlserver的性能。 举个例子：假定你刚刚用缺省的填充因子新创建了一个索引。当sqlserver创建它时，它把索引放在相邻的物理页面上，因为数据能够顺序的读所以这样会有最优的i/o访问。但当表随着、、增加和改变时，发生了页拆分。当页拆分发生时，sqlserver必须在磁盘的某处分配一个新的页，这些新的页和最初的物理页不是连续的。因此，访问使用的是随机的i/o，而不是有顺序的i/o，这样访问索引页会变得更慢。 那么理想的填充因子是多少呢？它依赖于应用程序对sqlserver表的读和写的比率。首要的原则，按照下面的指导： 低更改的表（读写比率为100：1）：100％的填充因子 高更改的表（写超过读）：50-70％的填充因子 读写各一半的：80-90％的填充因子 在为应用程序找到最优的填充因子前也不得不进行试验。不要假定一个低的填充因子总比高的好。低的填充因子会减少页拆分，它也增加了sqlserver查询期间读的页数量，从而减少性能。太低的填充因子不仅增加i/o开销，也影响缓存。当数据页从磁盘移到缓存中时，整个页（包括空的空间）都移到缓存中。所以填充因子越低，不得不移到sqlserver缓存中的页面就越多，意味着同时为其他重要数据页驻留的空间就少，从而降低性能。 如果你没有指定填充因子，缺省的填充因子时0，意味着100％的填充因子（索引的叶页100％的填满，但索引的中间页有预留的空间）。

填充因子最简单的理解方法：一张A4纸，用word去写东西， 写了两页 比如，每页10行,且只能容纳10行现在你要修改第一页的内容，增加一行，在第9行增加，是不是从10行之后全部顺延下去，然后 word自动增加了第三页？？这个时候，如果你的填充因子是20行，但，你每页还是只填入了10行，那么，你在第一页的第9行增加一行之后，发生了什么事？恩，结果就是，仍是两页，且，第二页的文档没有发生任何变化。这个时候，就有个问题啦： 在什么情况下用多大的填充因子呢？ 呵呵。的确， 要看具体需要了，写的多，则大，查的多，则小，具体情况具体对待。延伸：索引最终要的参数：是填充因子。当创建一个新索引，或重建一个存在的索引时，你可以指定一个填充因子，它是在索引创建时索引里的数据页被填充的数量。填充因子设置为100意味着每个索引页100％填满，50％意味着每个索引页50％填满。 如果你创建一个填充因子为100的聚集索引（在一个非单调递增的列上），那意味着每当一个记录被插入（或修改）时，页拆分都会发生，因为在现存的页上没有这些数据的空间。很多的页拆分会降低sqlserver的性能。 举个例子：假定你刚刚用缺省的填充因子新创建了一个索引。当sqlserver创建它时，它把索引放在相邻的物理页面上，因为数据能够顺序的读所以这样会有最优的i/o访问。但当表随着、、增加和改变时，发生了页拆分。当页拆分发生时，sqlserver必须在磁盘的某处分配一个新的页，这些新的页和最初的物理页不是连续的。因此，访问使用的是随机的i/o，而不是有顺序的i/o，这样访问索引页会变得更慢。 那么理想的填充因子是多少呢？它依赖于应用程序对sqlserver表的读和写的比率。首要的原则，按照下面的指导： 低更改的表（读写比率为100：1）：100％的填充因子 高更改的表（写超过读）：50-70％的填充因子 读写各一半的：80-90％的填充因子 在为应用程序找到最优的填充因子前也不得不进行试验。不要假定一个低的填充因子总比高的好。低的填充因子会减少页拆分，它也增加了sqlserver查询期间读的页数量，从而减少性能。太低的填充因子不仅增加i/o开销，也影响缓存。当数据页从磁盘移到缓存中时，整个页（包括空的空间）都移到缓存中。所以填充因子越低，不得不移到sqlserver缓存中的页面就越多，意味着同时为其他重要数据页驻留的空间就少，从而降低性能。 如果你没有指定填充因子，缺省的填充因子时0，意味着100％的填充因子（索引的叶页100％的填满，但索引的中间页有预留的空间）。

是指用：最大功率/(开路电压*短路电流）越大说明组件的效能越好。

打个比方，为了给一个班的100个同学排一下顺序，我们可以给每一位同学一个编号，如: a. 从1,2,3,4,5,6,7,.....100。这时，我们说填充因子是100. 此时,如果又来了新同学,而其排名要在中间某位置的话,我们就要改变许多个同学的号码,如新同学排5号,就需要将5号以后的同学号码都加1才行. b.我们又可以给同学这样编号：10,20,30,40,50,60,70.......1000 也同样完成了顺序的排列.我们说这时填充因子是0,此时如果来了新同学,又是排在第七位的话,那么我们只许将其号码编为65就行了.其它同学都不用变. 可以看出,填充因子大的时候,点用的号码空间小,耗费资源少,小的时候呢,占用资源加大,但操作方便,迅速. 所以,在SQL2000O中索引的填充因子就是这个道理,填充因子大的时候,插入或修改记录后重新索引的工作会很大,磁盘IO操作增加,性能必然降,但其占用空间小.填充因子小的时候呢,索引文件占用磁盘及内存空间相对要大,但是,系统身重新索引所需IO操作减少,性能提高,只是多占用一些存储空间. 因此,孰重孰轻自已决定就行了.....

一般太阳能电池的填充因子是多少在75-77左右。　　太阳能电池又称为“太阳能芯片”或“光电池”，是一种利用太阳光直接发电的光电半导体薄片。它只要被光照到，瞬间就可输出电压及在有回路的情况下产生电流。在物理学上称为太阳能光伏（photovoltaic，photo光，voltaics伏特，缩写为pv），简称光伏。　　填充因子：　　1.(计算机,数据库,sql,互联网,技术中的应用)索引的一个特性，定义该索引每页上的可用空间量。fillfactor适应以后表数据的扩展并减小了页拆分的可能性。fillfactor是从1到100之间的某个值，指定索引页保留为空的百分比。　　2.(太阳电池中的应用)工作曲线中可获得最大输出功率点上的电流电压乘积(ioptvopt))与iscvoc(闭路电流和开路电压乘积）之比，它体现电池的输出功率随负载的变动特性。　　3.图像传感器中的填充因子。亦译为fillfactor，指像素中感光部分面积与像素总面积的比值，ff值越高，则像素性能越好。例如，90%填充因子ccd中每个像素区域的10%是不感光的。

填充因子表示最大输出功率ImVm与极限输出功率IscVoc之比，通常以FF表示，即： FF= ImVm /IscVoc 填充因子是表征太阳电池优劣的重要参数之一。填充因子愈大，太阳电池性能就愈好,优质太阳电池的FF可高达0.8以上。 填充因子主要决定于串联电阻，旁路电阻及PN结特性。串联电阻增大，旁路电阻减小，以及PN结中存在缺陷与杂质等不良情况时，都会使FF变小。此外，填充因子随电池材料的禁带宽度的增大而增大，例如优质砷化镓太阳电池的填充因子常可达到0.87～0.89.而硅电池只能达到0.75～0.82。此外，对同一个太阳电池，在一定光照强度范围内，填充因子随光强的减小而增加。 填充因子还与太阳电池的温度有关，一般随温度的增加而减小，其原因主要是随温度升高， PN结漏电流增加， 太阳电池的电流~电压关系曲线"软化"所致 希望对您有所帮助

一般太阳能电池的填充因子是多少在75-77左右。　　太阳能电池又称为“太阳能芯片”或“光电池”，是一种利用太阳光直接发电的光电半导体薄片。它只要被光照到，瞬间就可输出电压及在有回路的情况下产生电流。在物理学上称为太阳能光伏（Photovoltaic，photo光，voltaics伏特，缩写为PV），简称光伏。　　填充因子：　　1.(计算机,数据库,SQL,互联网,技术中的应用)索引的一个特性，定义该索引每页上的可用空间量。FILLFACTOR 适应以后表数据的扩展并减小了页拆分的可能性。FILLFACTOR 是从 1 到 100 之间的某个值，指定索引页保留为空的百分比。　　2.(太阳电池中的应用)工作曲线中可获得最大输出功率点上的电流电压乘积(IoptVopt) )与IscVoc(闭路电流和开路电压乘积）之比，它体现电池的输出功率随负载的变动特性。　　3.图像传感器中的填充因子。亦译为Fill Factor，指像素中感光部分面积与像素总面积的比值，FF值越高，则像素性能越好。例如，90%填充因子CCD中每个像素区域的10%是不感光的。

填充因子表示最大输出功率ImVm与极限输出功率IscVoc之比，通常以FF表示，即：FF=ImVm/IscVoc填充因子是表征太阳电池优劣的重要参数之一。填充因子愈大，太阳电池性能就愈好,优质太阳电池的FF可高达0.8以上。填充因子主要决定于串联电阻，旁路电阻及PN结特性。串联电阻增大，旁路电阻减小，以及PN结中存在缺陷与杂质等不良情况时，都会使FF变小。此外，填充因子随电池材料的禁带宽度的增大而增大，例如优质砷化镓太阳电池的填充因子常可达到0.87～0.89.而硅电池只能达到0.75～0.82。此外，对同一个太阳电池，在一定光照强度范围内，填充因子随光强的减小而增加。填充因子还与太阳电池的温度有关，一般随温度的增加而减小，其原因主要是随温度升高，PN结漏电流增加，太阳电池的电流~电压关系曲线"软化"所致希望对您有所帮助

就是数据页的填充率。简单而言，如果你一份很长的EXCEL的文档打印出来，里面有很多1000条记录。如果你每张纸都打印100条记录，要用10张纸。但是当你发现你要往第108条记录后面插入一条记录，那你要从第二面开始的所有页面全部重新打印。（也就是2到10的每一个页面的行都会向后移动）.可是如果你每页同样是可以打100条的数据，你只让它打印80条行，剩余20行留空，下次再离到这样要插入的时候，你只需要把数据插到第2页，然后再新打印这第2页的内容。即使一下子要在第二页插入30行数据，影响的只是2，3页的表。（对于数据库而言，就可尽量少的移动记录，从而提高性能。） 　　简而言之，这个　填充因子　就是这个页面的　填充率　。我们老师以前给我的比喻，我都能理解，相信你也能。

1.(计算机,数据库,SQL,互联网,技术中的应用)索引的一个特性，定义该索引每页上的可用空间量。FILLFACTOR 适应以后表数据的扩展并减小了页拆分的可能性。FILLFACTOR 是从 1 到 100 之间的某个值，指定索引页保留为空的百分比。2.(太阳电池中的应用)工作曲线中可获得最大输出功率点上的电流电压乘积(IoptVopt) )与IscVoc(闭路电流和开路电压乘积）之比，它体现电池的输出功率随负载的变动特性。3.图像传感器中的填充因子。亦译为Fill Factor，指像素中感光部分面积与像素总面积的比值，FF值越高，则像素性能越好。例如，90%填充因子CCD中每个像素区域的10%是不感光的。

简单的说，优劣性能的参数与偏置电压有关，FF大小取决于器件在工作过程中的传输速率与复合速率。大致上说：从物理参数方面说，FF取决于串联电阻、并联电阻和化学电容三个参数；从光电转换机制方面说，FF取决于电荷传输动力学及复合动力学对偏置电压的依赖关系（换言之，负载电压增大后，传输、复合动力学的变化情况）。FF是MPP的电流、电压之积与开路电压、短路电流之积的比例。实际上，要针对性研究FF的影响因素很难，因为具体实验中，很难在保证其他参数不变的情况下，通过改变一个参数来观察FF的变化。扩展资料：填充因子是指太阳电池最大功率与开路电压与短路电流乘积的比值，是评价太阳电池输出特性的一个重要参数。它的值越高，表明太阳电池的输出特性越趋近于矩形，光电转换效率越高。影响填充因子的因素有：短路电流；开路电流；串联电阻；并联电阻；温度；光谱强度。填充因子主要依赖于太阳能电池本身的材料特性,对采用的光源依赖性不强。目前的研究已证实，影响太阳电池输出特性的内部因素中，串、并联电阻对填充因子的影响最大:串联电阻越大，并联电阻越小，填充因子则随之变小。而外部因素中对太阳电池输出特性影响最天的莫过于日照强度。填充因子随日照强度的变化 目前还未有清晰的表述。另外，在工程实际中，已经注意到日照强度对太阳电池输出特性的影响:短路电流和最大功率点电流是跟日照强度成正比，开路电压和最大功率点电压则跟日照强度的自然对数成正比。参考资料来源：百度百科--填充因子参考资料来源：百度百科--电池

填充因子表示最大输出功率ImVm与极限输出功率IscVoc之比，通常以FF表示，即： FF= ImVm /IscVoc 填充因子是表征太阳电池优劣的重要参数之一。填充因子愈大，太阳电池性能就愈好,优质太阳电池的FF可高达0.8以上。 填充因子主要决定于串联电阻，旁路电阻及PN结特性。串联电阻增大，旁路电阻减小，以及PN结中存在缺陷与杂质等不良情况时，都会使FF变小。此外，填充因子随电池材料的禁带宽度的增大而增大，例如优质砷化镓太阳电池的填充因子常可达到0.87～0.89.而硅电池只能达到0.75～0.82。此外，对同一个太阳电池，在一定光照强度范围内，填充因子随光强的减小而增加。 填充因子还与太阳电池的温度有关，一般随温度的增加而减小，其原因主要是随温度升高， PN结漏电流增加， 太阳电池的电流~电压关系曲线"软化"所致 希望对您有所帮助

降低界面缺陷态密度。降低界面缺陷态密度,改善电子传输,可以提高钙钛矿电池的填充因子。钙钛矿太阳能电池，是利用钙钛矿型的有机金属卤化物半导体作为吸光材料的太阳能电池，

一般情况下，在温度升高时，虽然太阳能电池的工作电流有所增加，但工作电压却会下降，而且后者下降较多，因此总的输出功率要下降；所以尽量应使太阳能电池在较低的温度下工作。

从组件的伏安特性曲线上得到组件能量转换效率和填充因子方法1、能量转换效率（Efficiency）是指组件将太阳能转化为电能的能力。在伏安特性曲线上，能量转换效率可以通过计算组件输出电功率与太阳辐照度之比来得到。具体地，可以找到伏安特性曲线上的最大功率点（MaximumPowerPoint，MPP），然后计算该点的输出功率与太阳辐照度之比，就可以得到组件的能量转换效率。2、填充因子（FillFactor）是指组件伏安特性曲线上的最大功率点与开路电压和短路电流之积之比。具体地，可以通过找到伏安特性曲线上的最大功率点，然后计算该点的输出电流与开路电压之积，再除以光照强度（太阳辐照度），就可以得到组件的填充因子。

FF是有效的最大功率输出与开压*短流乘积的比值，代表了电池片表面电量的有效收集率，既开压*电流的乘积代表的是该光照下电池片转换成电量的总量，在总量不变的情况下，FF越高，最大输出功率就越高。FF值受到电池片表面复合的高低以及栅线收集电量的能力有关，简单一点就是表面复合越低，栅线越密集（增加收集率），栅线导电能力越好，FF就会越高。

填充因子：在光电池的伏安特性曲线任一工作点上的输出功率等于该点所对应的矩形面积，其中只有一点是输出最大功率，称为最佳工作点，该点的电压和电流分别称为最佳工作电压Vop和最佳工作电流Iop。

太阳电池的填充因子，主要是指最大功率与极限功率（空载电压和短路电流乘积）的比值。根据你给出的数据，填充因子 Ff = Pmax/(U0xId) = 30/(25x0.2) = 6 ?估计短路电流应该是2A吧，这样，填充因子大约是0.6。（一般情况下，填充因子小于1）即，该太阳电池的填充因子是0.6。

是装载因子吧，如果是，则和填充因子一样的就是hash表中已经存储的关键字个数，与可以散列位置的比值，表征着hash表中的拥挤情况，一般而言，该值越大则越容易发生冲突，相应地ASL也增大

还是受温度影响的，一般情况下，在温度升高时，虽然太阳能电池的工作电流有所增加，但工作电压却会下降，而且后者下降较多，因此总的输出功率要下降；所以尽量应使太阳能电池在较低的温度下工作。

0.8。太阳能电池填充因子FF范围为0.7-0.8，所以最大值为0.8。ff填充因子是指太阳能电池的最大输出功率与其额定功率的比值。最大值，即为已知的数据中的最大的一个值。

填充（曲线）：输功率与路电压短路电流乘积比用符号FF表示 FF=Pm/Uoc*Isc=Um*Im/Uoc*Isc 填充反映太阳电池性能坏另重要参

设置固定的填充因子展开一个服务器组。右击一个服务器，再单击属性。单击“数据库设置”选项卡。在设置项下选择固定复选框，然后将填充因子滑块放在适当位置。

ff填充因子小于0.75表示太阳能电池性能不好。表示最大输出功率imvm与极限输出功率iscvoc之比，通常以ff表示，填充因子是表征太阳电池优劣的重要参数之一。填充因子愈大，太阳电池性能就愈好，优质太阳电池的ff可高达0.8以上。

填充因子其实就是光生载流子，就是电子与空穴！填充因子的大小体现了电池内的串联电阻，电阻越大，填充因子越小。

填充因子体现了太阳能电池的输出功率随负载的变动特性。是反映太阳能电池性能优越的一个重要参数。Ff越大则越输出功率越高。Ff取决于入射光强材料的进。带宽度，理想系数，串联电阻和并联电阻等。

CCD传感器每个像素并不是100%的面积都可以用于感光的，每个像素除了能够感光的区域以外，还有一部分面积用来安排放大器、连线等，这部分不能用于感光。感光有效面积/像素总面积 = 填充因子提高填充因子的主要方法就是减小放大器和连线所占的面积，把尽可能多的面积留给感光区，具体实施时一般是通过提升制程，也就是减小线宽来实现的。例如，一个典型的CCD，电路相同时，采用0.35μm工艺时，填充因子0.2（20%），采用0.18μm工艺时，填充因子0.8（80%），这是因为线宽变为原来的1/2，则放大器面积变为原来的1/4，原来占像素面积80%的放大器在制程改进后只占像素面积的20%了。（本例为一实际产品的数据）

参数。半导体激光器bar条的填充因子是半导体激光器bar条参数，定义为太阳电池的最大功率与开路电压和短路电流的乘积之比。半导体指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料。

当创建一个新索引，或重建一个存在的索引时，你可以指定一个填充因子，它是在索引创建时索引里的数据页被填充的数量。填充因子设置为100意味着每个索引页100％填满，50％意味着每个索引页50％填满。 如果你创建一个填充因子为100的聚集索引（在一个非单调递增的列上），那意味着每当一个记录被插入（或修改）时，页拆分都会发生，因为在现存的页上没有这些数据的空间。很多的页拆分会降低sqlserver的性能。 举个例子：假定你刚刚用缺省的填充因子新创建了一个索引。当sqlserver创建它时，它把索引放在相邻的物理页面上，因为数据能够顺序的读所以这样会有最优的i/o访问。但当表随着、、增加和改变时，发生了页拆分。当页拆分发生时，sqlserver必须在磁盘的某处分配一个新的页，这些新的页和最初的物理页不是连续的。因此，访问使用的是随机的i/o，而不是有顺序的i/o，这样访问索引页会变得更慢。 那么理想的填充因子是多少呢？它依赖于应用程序对sqlserver表的读和写的比率。首要的原则，按照下面的指导： 低更改的表（读写比率为100：1）：100％的填充因子 高更改的表（写超过读）：50-70％的填充因子 读写各一半的：80-90％的填充因子 在为应用程序找到最优的填充因子前也不得不进行试验。不要假定一个低的填充因子总比高的好。低的填充因子会减少页拆分，它也增加了sqlserver查询期间读的页数量，从而减少性能。太低的填充因子不仅增加i/o开销，也影响缓存。当数据页从磁盘移到缓存中时，整个页（包括空的空间）都移到缓存中。所以填充因子越低，不得不移到sqlserver缓存中的页面就越多，意味着同时为其他重要数据页驻留的空间就少，从而降低性能。 如果你没有指定填充因子，缺省的填充因子时0，意味着100％的填充因子（索引的叶页100％的填满，但索引的中间页有预留的空间）。 作为监控的一部分，你要决定新建索引或重建索引时的填充因子是多少。事实上，除了只读数据库，所有的情况，缺省值0都是不适合的。

聚集索引（Clustered Index）：对表的物理数据页中的数据按列进行排序，然后再重新存储到磁盘上，即如果说在一个表中建立了聚集索引，则表中的数据页会在会按照索引的顺序来存放非聚集索引（Nonclustered Index）：具有完全独立于数据行的结构，使用非聚集索引不用将物理数据页中的数据按列排序，即非聚集索引不会影响数据表中记录的实际存储顺序。非聚集索引的叶节点存储了组成非聚集索引的关键字值和行定位器。填充因子：指索引中一个叶子节点的填充率，若都填满就是100%，若填充率为50%，则只有一半的数据

一般太阳能电池的填充因子是多少在75-77左右。　　太阳能电池又称为“太阳能芯片”或“光电池”，是一种利用太阳光直接发电的光电半导体薄片。它只要被光照到，瞬间就可输出电压及在有回路的情况下产生电流。在物理学上称为太阳能光伏（photovoltaic，photo光，voltaics伏特，缩写为pv），简称光伏。　　填充因子：　　1.(计算机,数据库,sql,互联网,技术中的应用)索引的一个特性，定义该索引每页上的可用空间量。fillfactor适应以后表数据的扩展并减小了页拆分的可能性。fillfactor是从1到100之间的某个值，指定索引页保留为空的百分比。　　2.(太阳电池中的应用)工作曲线中可获得最大输出功率点上的电流电压乘积(ioptvopt))与iscvoc(闭路电流和开路电压乘积）之比，它体现电池的输出功率随负载的变动特性。　　3.图像传感器中的填充因子。亦译为fillfactor，指像素中感光部分面积与像素总面积的比值，ff值越高，则像素性能越好。例如，90%填充因子ccd中每个像素区域的10%是不感光的。

使用fillfactor选项可以指定MicrosoftSQLServer使用现有数据创建新索引时将每页填满到什么程度。由于在页填充时SQLServer必须花时间来拆分页，因此填充因子会影响性能。仅在创建或重新生成索引时使用填充因子。页面不会维护在任何特定的填充水平上。fillfactor的默认值为0，有效值介于0和100之间。FILLFACTOR设置为0或100时，叶级别几乎完全填满，但至少会保留一个其他索引行的空间。这样设置后，叶级别空间会得到有效利用，而且仍有空间可以在必须拆分页之前进行有限扩展。很少需要更改fillfactor的默认值，因为可以使用CREATEINDEX或ALTERINDEXREBUILD语句来覆盖其对于指定索引的值。

打个比方，为了给一个班的100个同学排一下顺序，我们可以给每一位同学一个编号，如:a. 从1,2,3,4,5,6,7,.....100。这时，我们说填充因子是100. 此时,如果又来了新同学,而其排名要在中间某位置的话,我们就要改变许多个同学的号码,如新同学排5号,就需要将5号以后的同学号码都加1才行.b.我们又可以给同学这样编号：10,20,30,40,50,60,70.......1000也同样完成了顺序的排列.我们说这时填充因子是0,此时如果来了新同学,又是排在第七位的话,那么我们只许将其号码编为65就行了.其它同学都不用变. 可以看出,填充因子大的时候,点用的号码空间小,耗费资源少,小的时候呢,占用资源加大,但操作方便,迅速. 所以,在SQL2000O中索引的填充因子就是这个道理,填充因子大的时候,插入或修改记录后重新索引的工作会很大,磁盘IO操作增加,性能必然降,但其占用空间小.填充因子小的时候呢,索引文件占用磁盘及内存空间相对要大,但是,系统身重新索引所需IO操作减少,性能提高,只是多占用一些存储空间. 因此,孰重孰轻自已决定就行了.....

填充因子（曲线因子）：最大输出功率与开路电压和短路电流乘积之比，用符号FF表示。FF=Pm/Uoc*Isc=Um*Im/Uoc*Isc填充因子是反映太阳电池性能好坏的另一重要参数。

填充因子最简单的理解方法：x0dx0a一张A4纸，用word去写东西，写了两页比如，每页10行,且只能容纳10行x0dx0a现在你要修改第一页的内容，增加一行，在第9行增加，是不是从10行之后全部顺延下去，然后word自动增加了第三页？？x0dx0a这个时候，如果你的填充因子是20行，但，你每页还是只填入了10行，x0dx0a那么，你在第一页的第9行增加一行之后，发生了什么事？x0dx0a恩，结果就是，仍是两页，且，第二页的文档没有发生任何变化。x0dx0ax0dx0a这个时候，就有个问题啦：在什么情况下用多大的填充因子呢？呵呵。的确，要看具体需要了，写的多，则大，查的多，则小，具体情况具体对待。x0dx0ax0dx0a延伸：x0dx0a索引最终要的参数：是填充因子。x0dx0a当创建一个新索引，或重建一个存在的索引时，你可以指定一个填充因子，它是在索引创建时索引里的数据页被填充的数量。填充因子设置为100意味着每个索引页100％填满，50％意味着每个索引页50％填满。x0dx0a如果你创建一个填充因子为100的聚集索引（在一个非单调递增的列上），那意味着每当一个记录被插入（或修改）时，页拆分都会发生，因为在现存的页上没有这些数据的空间。很多的页拆分会降低sqlserver的性能。举个例子：假定你刚刚用缺省的填充因子新创建了一个索引。当sqlserver创建它时，它把索引放在相邻的物理页面上，因为数据能够顺序的读所以这样会有最优的i/o访问。但当表随着、、增加和改变时，发生了页拆分。当页拆分发生时，sqlserver必须在磁盘的某处分配一个新的页，这些新的页和最初的物理页不是连续的。因此，访问使用的是随机的i/o，而不是有顺序的i/o，这样访问索引页会变得更慢。那么理想的填充因子是多少呢？它依赖于应用程序对sqlserver表的读和写的比率。首要的原则，按照下面的指导：低更改的表（读写比率为100：1）：100％的填充因子高更改的表（写超过读）：50-70％的填充因子读写各一半的：80-90％的填充因子在为应用程序找到最优的填充因子前也不得不进行试验。不要假定一个低的填充因子总比高的好。低的填充因子会减少页拆分，它也增加了sqlserver查询期间读的页数量，从而减少性能。太低的填充因子不仅增加i/o开销，也影响缓存。当数据页从磁盘移到缓存中时，整个页（包括空的空间）都移到缓存中。所以填充因子越低，不得不移到sqlserver缓存中的页面就越多，意味着同时为其他重要数据页驻留的空间就少，从而降低性能。如果你没有指定填充因子，缺省的填充因子时0，意味着100％的填充因子（索引的叶页100％的填满，但索引的中间页有预留的空间）。

　　硅光太阳能电池的填充因子一般是60~85%，　　填充因子，FF，是太阳能电池品质(串联电阻和并联电阻)的量度。填充因子FF定义为实际的最大输出功率除以理想目标的输出功率(Isc×Voc)　　　　上式只适用于理想情况下，即没有寄生电阻损失的情况。数值可精确到四位　　数字。　　由式(7.10)可见，FF是太阳能电池Iuf02dV特性曲线内所含最大功率面积与开路短路相应的矩形面积(理想形状)比较的量度。很清楚，FF应尽可能接近于1(即100%)，但指数函数的p-n结特性会阻止它达到1 。FF越大，太阳能电池的质量越高。FF的典型值通常处于60~85%，并由太阳能电池的材料和器件结构决定。

光电池的填充因子可以通过以下公式计算得到：FF=(I_m×V_m)/(Isc×Voc)。Im和Vm是光电池在最大输出功率点（MaximumPowerPoint，MPP）时的输出电流和输出电压，Isc和Voc分别是光电池在短路和开路时的输出电流和输出电压。为了得到光电池的填充因子，需要进行光电池的IV特性曲线测试，即通过改变光照强度和电路负载来测量光电池在不同电压和电流下的输出功率。通过分析这些数据，可以找到光电池的最大输出功率点，并计算出光电池的填充因子。

就是数据页的填充率。简单而言，如果你一份很长的EXCEL的文档打印出来，里面有很多1000条记录。如果你每张纸都打印100条记录，要用10张纸。但是当你发现你要往第108条记录后面插入一条记录，那你要从第二面开始的所有页面全部重新打印。（也就是2到10的每一个页面的行都会向后移动）.可是如果你每页同样是可以打100条的数据，你只让它打印80条行，剩余20行留空，下次再离到这样要插入的时候，你只需要把数据插到第2页，然后再新打印这第2页的内容。即使一下子要在第二页插入30行数据，影响的只是2，3页的表。（对于数据库而言，就可尽量少的移动记录，从而提高性能。）简而言之，这个填充因子就是这个页面的填充率。我们老师以前给我的比喻，我都能理解，相信你也能。

对于太阳能电池来说,填充因子ff是太阳能电池的一个重要参数，它是指电池在特定光照下输出电流与电压之积的最大值与开路电压和短路电流之积的乘积之比。也就是说，填充因子描述了太阳能电池将光能转化为电能的效率。具体来说，太阳能电池的输出电流和电压会随着光照强度和温度等环境因素的变化而变化。当光照和温度条件相同时，填充因子的大小可以反映电池本身的性能优劣，即电池内部电阻、载流子寿命等因素的影响。较高的填充因子表示电池能够更有效地将光能转化为电能，从而具有更高的转换效率。因此，填充因子ff是衡量太阳能电池性能的重要指标之一。对于太阳能电池的制造商和使用者来说，填充因子的大小可以帮助他们评价太阳能电池的性能，并确定合适的使用方式和应用场景。

实际效率。太阳能电池的填充因子是指电池在特定光照条件下输出电流与理论最大输出电流之间的比率，即电池的实际效率。它反映了电池内部电荷输运和收集效率的大小，同时也受到电池本身结构和材料性质的影响。因此，填充因子是评价太阳能电池性能优劣的重要指标之一。

简单的说，优劣性能的参数与偏置电压有关，FF大小取决于器件在工作过程中的传输速率与复合速率。大致上说：从物理参数方面说，FF取决于串联电阻、并联电阻和化学电容三个参数；从光电转换机制方面说，FF取决于电荷传输动力学及复合动力学对偏置电压的依赖关系（换言之，负载电压增大后，传输、复合动力学的变化情况）。FF是MPP的电流、电压之积与开路电压、短路电流之积的比例。实际上，要针对性研究FF的影响因素很难，因为具体实验中，很难在保证其他参数不变的情况下，通过改变一个参数来观察FF的变化。扩展资料：填充因子是指太阳电池最大功率与开路电压与短路电流乘积的比值，是评价太阳电池输出特性的一个重要参数。它的值越高，表明太阳电池的输出特性越趋近于矩形，光电转换效率越高。影响填充因子的因素有：短路电流；开路电流；串联电阻；并联电阻；温度；光谱强度。填充因子主要依赖于太阳能电池本身的材料特性,对采用的光源依赖性不强。目前的研究已证实，影响太阳电池输出特性的内部因素中，串、并联电阻对填充因子的影响最大:串联电阻越大，并联电阻越小，填充因子则随之变小。而外部因素中对太阳电池输出特性影响最天的莫过于日照强度。填充因子随日照强度的变化 目前还未有清晰的表述。另外，在工程实际中，已经注意到日照强度对太阳电池输出特性的影响:短路电流和最大功率点电流是跟日照强度成正比，开路电压和最大功率点电压则跟日照强度的自然对数成正比。参考资料来源：百度百科--填充因子参考资料来源：百度百科--电池

填充因子表示最大输出功率imvm与极限输出功率iscvoc之比，通常以ff表示，即：ff=imvm/iscvoc填充因子是表征太阳电池优劣的重要参数之一。填充因子愈大，太阳电池性能就愈好,优质太阳电池的ff可高达0.8以上。填充因子主要决定于串联电阻，旁路电阻及pn结特性。串联电阻增大，旁路电阻减小，以及pn结中存在缺陷与杂质等不良情况时，都会使ff变小。此外，填充因子随电池材料的禁带宽度的增大而增大，例如优质砷化镓太阳电池的填充因子常可达到0.87～0.89.而硅电池只能达到0.75～0.82。此外，对同一个太阳电池，在一定光照强度范围内，填充因子随光强的减小而增加。填充因子还与太阳电池的温度有关，一般随温度的增加而减小，其原因主要是随温度升高，pn结漏电流增加，太阳电池的电流~电压关系曲线"软化"所致希望对您有所帮助

填充因子和转换效率计算公式：η=（太阳能电池的输出功率/入射的太阳光功率）x100%。= （Vop x Iop/Pin x S）X100%= （Voc.Isc.FF） /（Pin .S ）其中Pin是入射光的能量密度，S为太阳能电池的面积，当S是整个太阳能电池面积时，η称为实际转换效率，当S是指电池中的有效发电面积时，η叫本征转换效率。Voc开路电压 ，Isc闭路电流，FF填充因子（应在0.70-0.85之间）。很显然填充因子是影响电池输出性能的一个重要参数，在开路电压和短路电流一定时，电池的转化效率就取决于填充因子，填充因子大的能量转化效率就高。短路电流和开路电压是电池最重要的两个参数，较高的短路电流和开路电压是产生较高能量转化效率的基础。