为什么我用万用表测试ITO导电膜是否导电的时候，万用表不响呢，只有数值变化

ITO（氧化铟锡）导电膜是一种常用的透明导电材料，主要由铟和锡的氧化物组成。由于其优秀的光学透明性和电导率，被广泛应用于各种显示技术、太阳能电池、触摸屏等设备的透明电极。除了ITO，还有一些其他的透明导电膜材料，包括：1. AZO（氧化锌铝）：AZO是另一种常用的透明导电材料，具有成本低、稳定性好等优点，但其电导率和光透过率通常低于ITO。2. FTO（氟化锡）：FTO具有优良的电导率和光透过率，而且稳定性良好，不易被环境条件影响。但其成本较高，一般用于对性能要求较高的应用场合。3. AGZO（氧化铝镓锌）：AGZO是一种新型的透明导电材料，其性能可以通过调整铝、镓和锌的比例进行优化。相比ITO，AGZO具有更高的电导率和机械强度。4. 导电高分子：如聚苯胺、聚噻吩等导电高分子也可用于制备透明导电膜，但其电导率和稳定性通常低于无机材料。5. 二维材料：如石墨烯、MXene等二维材料也有望用于透明导电膜，这些材料具有极高的电导率和光透过率，但目前仍处于研究阶段。

已进入华为、小米、传音、OPPO等供应链体系，行业洗牌后规模优势明显，正向产业链上下游不断延伸文：海豚音海豚读次新今天继续来说一只开板新股——日久光电，股性活跃有点类似前面的芯瑞达，除更关键是公司在质地上也具有一定稀缺性。现如今触控屏可以说无处不在，小到手机、平板，大到商业广告屏、教育用白板等ITO导电膜为触控屏的核心部件，随着5G换机需求增多，曲面屏的发展，以及东南亚及非洲国际手机渗透率的提升，日久光电作为A股ITO导电膜第一股，以及全球行业第二大厂商，有望迎来新的的增长。那么这只光电股质地究竟如何？且看海豚今日为你深度剖析！全球第二大ITO导电膜制造商，市占率20%，逐步承接日韩厂商产能转移带来的市场空白柔性光学导电材料具有良好导电性、高透光性、柔性和轻薄性等特点，广泛应用于各类型的触摸屏、建筑调光玻璃、太阳能电池、汽车玻璃、电磁干扰屏等领域。公司为柔性光学导电材料制造商，主要产品为ITO导电膜，收入占比超97%。下游应用领域主要为触摸屏行业，占比超97%，从全球来看触摸屏应用主要集中在消费电子、汽车领域，而我国则主要集中在手机、平板电脑、智能音箱等消费电子领域。ITO导电膜初期技术门槛较高，主要被日东电工、尾池、积水化学等几大日本厂商所占据。2015年之后随着智能手机、平板电脑增速放缓，触摸屏市场进入成熟期，全球ITO导电膜出货量从2016年的2908万平方米小幅增至2019年的3110万平方米。不过随着国内企业的技术突破和生产工艺成熟，国产厂商快速实现了进口替代，与此同时苹果公司在iPhone5上采用In-CellLCD内嵌式触摸屏，一些终端客户开始逐渐转投该技术路线，随着In-Cell等其他触控技术路线的冲击ITO导电膜产品价格逐渐下降，导致利润空间减少。2016年之后，大部分日本、韩国、中国台湾地区厂商陆续退出ITO导电膜市场。且全球最大的ITO导电膜厂商日东电工的产能重心逐渐转至COP基材的ITO导电膜，其PET基材的ITO导电膜产量逐渐萎缩；同时LG也在逐渐转移产能，这部分因日、韩国际厂家转移产能而带来的市场份额空白将由日久光电来填补。日久光电为全球第二大ITO导电膜制造商，2018年全球市占率20%，目前正逐步实现进口替代。全球最大的ITO导电膜制造商为日东电工，2018年全球市占率超45%。且除了ITO导电膜日久还生产光学装饰膜等定制化薄膜产品，并正在对PET高温保护膜、离型膜及低方阻ITO导电膜、OCA等产品进行开发和试制。公司还掌握了先进的磁控镀膜技术及磁控设备改进能力、真空磁控溅射镀膜技术，从而提升了产品的光学性能和复杂光学膜系的实现能力上游原材料及生产设备多为日韩企业垄断公司成功实现IM消影膜替代，大幅降低了成本ITO导电膜为触摸屏的核心组件，是在光学级PET基膜的基础上经涂布、贴合、磁控溅射等工艺制成的一种复合材料，其最终用于消费电子触摸屏、中大尺寸触摸屏，公司下游直接客户为触控模组生产厂商，主要直接客户有合力泰、帝晶光电、蓝思科技、台冠科技、中国电子信息产业、信利光电、联创电子、贵州达沃斯等，终端客户有华为、小米、传音、OPPO、联想、魅族、中兴、TCL等。其中合力泰一直为公司第一大客户，2017-2019年收入占比分别为23.2%、21.1%、18.39%。公司采购的原材料主要有光学级PET基膜、涂布液、IM消影膜、靶材、保护膜等，需要采购的设备主要为磁控镀膜机、涂布机等生产设备，总体原材料及设备进入门槛高，供应商主要为日韩厂商。如光学级PET基膜的主要供应商有日本东丽、三菱树脂等，ITO靶材主要供应商有日本日矿材料、三井矿业、韩国喜星金属等，涂布液的主要供应商有东洋油墨，大日本油墨等。因此公司上游供应商集中度较高，前五大供应商占比超八成，且公司营业成本中原材料占比达八成左右之前IM消影膜核心涂布技术及贴合技术主要掌握在日系厂商手中，2016年6月前公司需向日系厂家采购IM消影膜，生产成本较高。2016年6月公司掌握了将光学级PET基膜经过精密涂布后贴合PET高温保护膜，制成IM消影膜的技术，开始自行涂布生产IM消影膜，并成为国内ITO导电膜行业首家能够大规模生产高品质IM消影膜并能卷对卷贴合PET高温保护膜的企业，到2019年公司IM消影膜完全实现自产，真正实现了IM消影膜的进口替代。公司采购的主要原材料也从由IM消影膜逐渐切换为采购光学级PET基膜、PET高温保护膜及涂布液。从而使得公司对PET基膜的采购占比从2017年的18.2%逐年提升至2019年的21%；对PET高温保护膜的采购占比从2017年的33.3%逐年提升至2019年的43%。同时公司还将进一步发挥“涂布-贴合-磁控”核心技术优势，实现产业链上游的PET高温保护膜，产业链下游的OCA、光学级离型膜等产品的生产，进一步丰富产品种类。其中PET高温保护膜主要用于ITO导电膜的制程保护，公司已将PET高温保护膜作为公司重点开发产品，配套ITO导电膜的生产使用。随着浙江日久的建成投产，公司已开始自涂PET高温保护膜，逐步替代直接采购。..

化学上，ITO 是Indium tin oxide的缩写氧化铟锡是一种N型氧化物半导体-氧化铟锡 常用于化学工厂的使用 此物使用极其广ITO薄膜即铟锡氧化物半导体透明导电膜，通常有两个性能指标：电阻率和透光率作为纳米铟锡金属氧化物，具有很好的导电性和透明性，可以切断对人体有害的电子辐射、紫外线及远红外线。因此，铟锡氧化物通常喷涂在玻璃、塑料及电子显示屏上，用作透明导电薄膜，同时减少对人体有害的电子辐射及紫外、红外。。

2.5g/cm3。ITO是一种宽能带薄膜材料，其带隙为3.5-4.3ev，纯度99%密度2.5g/cm3。ITO导电膜是指采用磁控溅射的方法，在透明有机薄膜材料上溅射透明氧化铟锡导电薄膜镀层并经高温退火处理得到的高技术产品。

有。ITO材料是透明导电膜，ITO材料具有光电特性，在透明导电膜行业中有着重要的应用，是由于其在太阳能电池、红外窗口等领域都有着很广泛作用。ITO特点：高透过率，ITO薄膜对可见光的透过率高达90%以上。机械强度高，ITO薄膜硬度高，不易变形，且耐腐蚀性强。

at膜是ITO导电膜。产品广泛地用于液晶显示器(LCD)、太阳能电池、微电子ITO导电膜玻璃、光电子和各种光学领域。

1、首先ito导电膜的主要材料是氧化铟锡，这也是世界上主流的导电薄膜，在接线时要轻轻的将表面的薄膜撕开，漏出ito的锡。2、然后将ito导电膜与需要接的线进行绑定用电胶布缠绕固定即可。

透明导电氧化物(Transparent Conductive Oxide,TCO)是一种在可见光光谱范围(380nm < λ < 780nm)透过率很高且电阻率较低的薄膜材料.TCO薄膜材料主要有CdO、In2O3、SnO2和ZnO等氧化物及其相应的复合多元化合物半导体材料.(1)1907 年Badeker等人第一次通过热蒸发法制备了CdO透明导电薄膜,开始了对透明导电薄膜的研究和利用(2)十九世纪 50 年代分别开发出基于 SnO2和 In2O3的透明导电薄膜(3)随后的 30 年里又出现了ZnO基的薄膜这个时期,TCO材料主要基于这三种体系:In2O3、SnO2、ZnO.然而,一种金属氧化物薄膜的性能由于材料包含元素固有的物理性质不能满足人们的要求.为了优化薄膜的化学和光电性质,实现高透射率和低电阻率,科学家们做了进一步的研究.(4)20 世纪 90 年代,日本和美国一些科研机构开始了两种以上氧化物组成的多元化合物材料的研究与开发,通过调整成分与化学配比来获得所需的TCO材料目前,应用最多的几种TCO材料是:氧化铟锡(ITO,In2O3: Sn),掺铝的氧化锌(AZO,ZnO: Al),掺氟的氧化锡(FTO,SnO2: F),掺锑的氧化锡(ATO,Sn2O: Sb)等.TCO的应用领域非常广,主要用于液晶显示器的透明电极、触摸屏、柔性OLED屏幕、光波导元器件以及薄膜太阳能电池等领域.ITO透明导电薄膜发展历程在透明导电氧化物薄膜中,ITO具有很高的可见光透射率(90%),较低的电阻率(10-4~10-3Ω?cm),较好的耐磨性,同时化学性能稳定.因此,ITO在TCO薄膜中的比重最高.ITO在一般情况下为体心立方铁锰矿结构,是基于In2O3晶体结构的掺杂,In2O3中In原子是六配位,O原子是四配位.In2O3晶体结构中本征缺位(氧缺位)和Sn4+替代In位两种机制共同贡献了大量自由电子,因此ITO为n型半导体,载流子浓度在1021/cm3左右,为重掺杂.

ITO膜在LED中的作用是增加了光透过率：ITO的微观结构。在SnO2中加入Sn后，Sn元素可以在铟镓晶格中取代，以SnO2的形式存在。由于In2O3中的in元素是三价的，当形成SnO2时，电子将贡献给导带。同时，在一定的缺氧条件下产生氧空穴，形成载流子浓度为1020～1021CM-3，迁移率为10~30cm／vs.该机制提供了10-4Ω量级的低膜电阻率。所以ITO薄膜具有半导体的导电性。Ito是一种宽能带薄膜，其禁带宽度为3.5-4.3ev。激发吸收阈值为3.75ev，相当于330nm波长。因此，ITO薄膜的透射率很低。同时，由于载流子等离子体振动在近红外区域的反射，ITO薄膜在近红外区域的透光率也很低。但ITO薄膜在可见光区域的透射率很好。由于材料本身特殊的物理和化学性质，ITO薄膜具有良好的导电性和可见光透过率。扩展资料：在国内，ITO薄膜设备的制造和发展是20世纪80年代开始的，主要是一些单体式的真空镀膜设备，由于ITO工艺和制成方法的限制，因此产品品质较差、产量较小，当时的产品主要用作普通的透明电极和太阳能电池等方面。20世纪90年代初，随着LCD器件的飞速发展，对ITO薄膜产品的需求量也是急剧的增加，国内部分厂家纷纷开始从国外引进一系列整厂ITO镀膜生产线。但由于进口设备的价格昂贵，技术服务不方便等因素，使许多厂商还是望而却步。80年代末，中国诞生了第一条TN-LCD用ITO连续镀膜生产线。该生产线采用的工艺路线是将铟锡合金材料利用直流磁控溅射的原理沉积到基片的表面，并进行高温氧化处理，将铟锡合金薄膜转换成所需的ITO薄膜。这种生产线的特点是设备的产能较低，质量较差，工艺调节复杂。90年代中期，随着国内LCD产业的发展，对ITO产品的需求量增大的同时，对产品的质量有了新的要求。因此出现了第二代ITO镀膜生产线。该生产线不仅产量比第一代生产线有了大幅度的提升，同时由于直接采用ITO陶瓷靶材沉积ITO薄膜。并兼容了射频磁控溅射沉积SiO2薄膜的工艺，使该生产线无论从产品的质量上、还是工艺可控性等方面与第一代生产线相比均有了质的飞跃。参考资料来源：百度百科—ITO薄膜

ITO是氧化铟锡（Indium Tin Oxide）的缩写，它是一种特别的半导体材料。由于氧化铟锡具有高度的透明性和良好的导电性，因此在许多科技领域有着广泛的应用。ITO导电膜就是一层薄薄的ITO材料，这种膜的主要特性是在保持透明的同时具有导电性。应用：1. **液晶显示器（LCD）和触摸屏**：ITO膜用作电极和触摸感应层，因为它能传导电流，而且不会阻挡背后的像素光。2. **有机发光二极管（OLED）和电子纸显示（EPD）**：在这些设备中，ITO膜是透明的电极层，允许电流通过同时让光线穿过。3. **太阳能电池**：在某些类型的太阳能电池中，ITO膜可以用作透明的电极层。4. **电磁屏蔽**：ITO膜因其电导性能而被用于降低电子设备的电磁干扰。5. **防静电**：在某些应用中，ITO膜可以用来防止静电积聚。6. **飞机和火车驾驶舱的电加热窗户**：ITO膜可以通过传导电流来产生热量，以防止窗户冰冻。

就是氧化铟锡膜，一种导电膜，镀在玻璃表面，就是导电玻璃，也可以镀在塑料表面~

ITO薄膜的面电阻(R)、膜厚(d)和电阻率(ρ)三者之间是相互关联的,这三者之间的计算公式是:R=ρ/d.由公式可以看出,为了获得不同面电阻(R)的ITO薄膜,实际上就是要获得不同的膜厚和电阻率.一般来讲,制备ITO薄膜时要得到不同的膜层厚度比较容易,可以通过调节薄膜沉积时的沉积速率和沉积的时间来制取所需要膜层的厚度,并通过相应的工艺方法和手段能进行精确的膜层厚度和均匀性控制.而ITO薄膜的电阻率(ρ)的大小则是ITO薄膜制备工艺的关键,电阻率(ρ)也是衡量ITO薄膜性能的一项重要指标.公式ρ=m/ne2T给出了影响薄膜电阻率(ρ)的几种主要因素,n、T分别表示载流子浓度和载流子迁移率.当n、T越大,薄膜的电阻率(ρ)就越小,反之亦然.而载流子浓度(n)与ITO薄膜材料的组成有关,即组成ITO薄膜本身的锡含量和氧含量有关,为了得到较高的载流子浓度(n)可以通过调节ITO沉积材料的锡含量和氧含量来实现;而载流子迁移率(T)则与ITO薄膜的结晶状态、晶体结构和薄膜的缺陷密度有关,为了得到较高的载流子迁移率(T),可以合理的调节薄膜沉积时的沉积温度、溅射电压和成膜的条件等因素.所以从ITO薄膜的制备工艺上来讲,ITO薄膜的电阻率不仅与ITO薄膜材料的组成(包括锡含量和氧含量)有关,同时与制备ITO薄膜时的工艺条件(包括沉积时的基片温度、溅射电压等)有关.有大量的科技文献和实验分析了ITO薄膜的电阻率与ITO材料中的Sn、O2元素的含量,以及ITO薄膜制备时的基片温度等工艺条件之间的关系.

使用0.188的PET基材ITO导电膜,覆盖耐划伤PET保护膜,广泛应用于EL冷光源、触摸屏制作及LCD等超薄显示的背光极、背光源等。亦可用于一些低频电磁波屏蔽领域及静电屏蔽领,电阻值120-450欧姆,透明导电膜 透明导电膜由导电聚乙烯材料及特殊原料制成，具有很好的静电泄放性能和机械性能.价格合理,材料稳定,长期合作。诚信为本，精益求精。ITO透明导电膜(以下简称ITO膜)是TCO膜中的典型代表,为n型半导体薄膜材料,其半导化机理为掺杂(掺锡)半导化和组分缺陷(氧空位)半导化[1],具有禁带宽、可见光谱区光透射率高和电阻率低等特性,是目前最具有实际应用价值的TCO薄膜,形成了商业生产规模,应用范围广泛。ITO膜在交通、宇航、国防、建筑工业、太阳能、家用电器等领域或行业中有着广泛的应用。我司代理韩国品牌ITO导电膜和OCA光电胶，欢迎朋友惠顾www.plsboy.cn

ITO是氧化铟锡的英文缩写；ITO是用铟掺杂二氧化锡所形成的化合物半导体；具有导电性。ITO是目前制备液晶显示屏，触摸屏，等器件最常用的导电膜材料之一。通常采用高真空磁控溅射镀膜技术制作而成。这样（还有其他工艺）制成的称为ITO导电膜；镀有ITO导电膜的玻璃就是ITO导电膜玻璃。ITO玻璃通常是前者的简称，但也有铟掺杂二氧化锡而制成的特种玻璃器件；用于红外器件。

【ito膜在led中的作用】为了提高led芯片的出光效率，人们想了许多办法。比如，当前市场上出现了许多亮度较高的ito芯片的led，gan基白光led中如果用ito替代ni/au作为p型电极芯片的亮度要比采用通用电极的芯片高20％－30％。在众多可作为透明电极的材料中，ito是被最广泛应用的一种，ito薄膜即铟锡氧化物半导体透明导电膜，通常有两个性能指针：电阻率和透光率。主要是由于ito可同时具有低电阻率及高光穿透率的特性，符合了导电性及透光性良好的要求。在氧化物导电膜中，以掺sn的in2o3(ito)膜的透过率最高和导电性能最好，而且容易在酸液中蚀刻出细微的图形。【ito薄膜】是一种n型半导体材料，具有高的导电率、高的可见光透过率、高的机械硬度和良好的化学稳定性。建议自己下去查查资料这样的提问没有意义

高阻抗ITO导电薄膜PET-ITO主要应用于移动通讯领域的触摸屏生产。产品参数：面电阻：300～500 Ω/□面电阻均匀性：MD≤±3%，TD≤±6%薄膜厚度：0.188±10%线性度（MD）：≤1.5%全光线透过率：≥86%表面硬度（铅笔硬度）：≥3H热稳定性：(R-R0)/R: ±20%热收缩率：MD≤1.0%，TD≤0.8%加热卷曲：≤10mm 低阻抗ITO导电膜可用于对导电性能要求比较高的领域，如：用于薄膜太阳能电池的透明电极、电致变色器件的电极材料、薄膜开关等领域。产品参数：薄膜厚度：0.175±10 mm雾度：<2%宽度：406/360±2 mm粘附：100/100卷曲：≤10 mm透过率：≥ 80%表面电阻：90±15 Ω/□面电阻均匀性：<7%热收缩：MD≤1.3，TD≤1.0热稳定性：高温：80oC,120hr ≤1.3低温：-40oC,120hr ≤1.3热循环：-30oC—80oC ≤1.3热/湿度： 60oC, 90% RH,120hr ≤1.3

ITO导电膜是指采用磁控溅射的方法，在透明有机薄膜材料上溅射透明氧化铟锡(ITO)导电薄膜镀层并经高温退火处理得到的高技术产品。

ITO玻璃的化学稳定性：耐碱为浸入600C、浓度为10%氢氧化钠溶液中5分钟后，ITO层方块电阻变化值不超过10%。耐酸为浸入250C、浓度为6%盐酸溶液中5分钟后，ITO层方块电阻变化值不超过10%。耐溶剂为在250C、丙酮、无水乙醇或100份去离子水加3分EC101配制成的清洗液中5分钟后，ITO层方块电阻变化值不超过10%。附着力：在胶带贴附在膜层表面并迅速撕下，膜层无损伤；或连撕三次后，ITO层方块电阻变化值不超过10%。热稳定性：在3000C的空气中，加热30分钟后，ITO导电膜方块电阻值应不大于原方块电阻的300ITO层由很多细小的晶粒组成，晶粒在加温过程中会裂变变小，从而增加更多晶界，电子突破晶界时会损耗一定的能量，所以ITO导电玻璃的ITO层在600度以下会随着温度的升高，电阻也增大。

因为通常被测电阻要小于65欧时蜂鸣器才能够发声。导电膜电阻显然大于65欧。

ITO导电玻璃的方阻,是指镀在玻璃面板上的一层ITO薄膜的方块电阻（即ITO的表面电阻率）.对它的测量可以反映薄膜的厚度、透过率. 区别是：ITO是在氧化锡中掺了铟离子；FTO是在氧化锡中掺了氟离子. 两者都可以做成透明导电膜.

线性度（MD）：≤1.5%全光线透过率：≥86%表面硬度（铅笔硬度）：≥3H热稳定性：(R-R0)/R: ±20%热收缩率：MD≤1.0%，TD≤0.8%加热卷曲：≤10mm低阻抗柔性ITO导电膜（PET-ITO）适用于柔性电致变色器件、柔性薄膜太阳能电池、柔性EL发光器件的制备和生产。薄膜厚度：0.175±10 mm雾度：<2%宽度：406/360±2 mm粘附：100/100卷曲：≤10 mm透过率：≥ 80%表面电阻：90±15 Ω/□面电阻均匀性：<7%热收缩：MD≤1.3，TD≤1.0热稳定性：高温：80oC,120hr ≤1.3低温：-40oC,120hr ≤1.3热循环：-30oC—80oC ≤1.3热/湿度： 60oC, 90% RH,120hr ≤1.3 ITO导电膜的主要参数有：表面电阻、表面电阻的均匀性、透光率、热稳定性、加热收缩率、加热卷曲等。其中光透过率主要与ITO膜所用的基底材料和ITO膜的表面电阻有关。在基底材料相同的情况下，ITO膜的表面电阻越小，ITO膜层的厚度越大，光透过率相应的会有一定程度的减小。

ito导电膜的主要材料是氧化铟锡，这也是世界上主流的导电薄膜。是非常好的产品，产品广泛地用于液晶显示器(LCD)、太阳能电池、微电子ITO导电膜玻璃、光电子和各种光学领域。ITO导电膜薄膜，即氧化铟锡(Indium-Tin Oxide)，是透明导电膜玻璃，多通过ITO导电膜玻璃生产线，在高度净化的厂房环境中，利用平面磁控技术，在超薄玻璃上溅射氧化铟锡导电薄膜镀层并经高温退火处理得到的高技术产品。

ITO导电玻璃是在普通的玻璃的基础上，利用溅射、蒸发等多种方法镀上一层氧化铟锡（俗称ITO）膜加工制作成的。ITO膜层的主要成份是氧化铟锡。在厚度只有几千埃的情况下，氧化铟透过率高，氧化锡导电能力强，液晶显示器所用的ITO玻璃正是一种具有高透过率的导电玻璃。由于ITO玻璃有透明的特性，所以大多数用来做显示器，做电极。现在有好多工业设计都运用ITO玻璃来做设计，最常见的是触摸式按键的玻璃面，现在很多电子脂肪秤也用ITO玻璃来做电极。可以做到非常的美观。像这家的IN电子秤就是用ITO玻璃设计的电子秤

能的。普通玻璃是绝缘材料，通过在其表面镀上一层导电膜（ITO膜），即可使其具备导电性能。这就是导电玻璃。氧化铟锡透明导电膜玻璃，多通过ITO导电膜玻璃生产线，在高度净化的厂房环境中，利用平面磁控技术，在超薄玻璃上溅射氧化铟锡导电薄膜镀层并经高温退火处理得到的高技术产品。扩展资料；玻璃的种类1、 磨砂玻璃，它也是在普通平板玻璃上面再磨砂加工而成.一般厚度多在9厘以下,以5、6厘厚度居多.2、 喷砂玻璃，性能上基本上与磨砂玻璃相似,不同的改磨砂为喷砂.由于两者视觉上类同,很多业主,甚至装修专业人员都把它们混为一谈.3、 压花玻璃，是采用压延方法制造的一种平板玻璃.其主要的特点是透光不透明,多使用于洗手间等装修区域.4、 夹丝玻璃，是采用压延方法,将金属丝或金属网嵌于玻璃板内制成的一种具有抗冲击平板玻璃,受撞击时只会形成辐射状裂纹而不致于堕下伤人.故多采用于高层楼宇和震荡性强的厂房.5、 中空玻璃，多采用胶接法将两块玻璃保持一定间隔,间隔中是干燥的空气,周边再用密封材料密封而成,主要用于有隔音要求的装修工程之中.参考资料来源；百度百科-导电玻璃

1.FTO玻璃导电玻璃为掺杂氟的SnO2导电玻璃(SnO2:F)，简称为FTO。FTO玻璃可以做为ITO fto玻璃导电玻璃的替换用品，广泛用于液晶显示屏，光催化，薄膜太阳能电池基底等方面，市场需求极大. FTO玻璃因其特殊性，在染料敏化太阳能电池，电致变色和光催化方面对其透光率和导电率都有很高的要求，其综合性能常用直属FTC来评价：FTC＝T10／RS。T是薄膜的透光率RS是薄膜的方阻值；在光学应用方面，则要求其对可见光有好的透射性和对红外有良好的反射性。对其基本要求是：①表面方阻低，②透光率高，③面积大、重量轻，④易加工、耐冲击。 作为高新技术，我国目前最高只能开发出可见光平均透光率达到80％左右的透明导电膜，还没有超过90％。在高透光率低方阻透明导电膜的研究领域里，将是机遇与挑战并存，需要我们做更深入的研究。目前我国需要进一步从材料选择、工艺参数制定、多层膜光学设计等方面来提高透明导电膜的综合性能，使其可见光平均透光率达到92%以上，从而满足高尖端技术的需要。2.TCO玻璃TCO玻璃是指在平板玻璃表面通过物理或化学镀膜方法均匀的镀上一层透明的导电氧化物薄膜（Transparent Conductive Oxide）而形成的组件。对于薄膜太阳能电池来说，由于中间半导体层几乎没有横向导电性能，因此必须使用TCO玻璃有效收集电池的电流，同时TCO薄膜具有高透和减反射的功能让大部分光进入吸收层。 TCO玻璃的生产工艺TCO玻璃工艺主要分为超白浮法玻璃生产、TCO镀膜。 超白浮法玻璃生产工艺难度较高，目前世界上主要供应商有日本旭硝子、美国PPG、法国圣戈班等，国内供应厂家有限，目前仅金晶科技、南玻、信义能够供货。

光刻胶是光刻胶，ITO是ITO，两回事。光刻胶（Photo resist，PR）是应用在光刻工艺中的，具备感光性，ITO（氧化铟锡）是电极材料，一般是在镀膜工艺中沉积上去的。沐里沐是钼铝钼，是金属电极的膜层材料。在TFT制造中，钼铝钼只是栅极源极最常见的材料而已，而栅极和源极是必要的。作为膜层材料，镀膜肯定是一整层的，不过经过光刻和刻蚀工艺后，最终剩下的就是我们想要的图案了。

ITO 薄膜的制备方法有蒸发、溅射、反应离子镀、化学气相沉积、热解喷涂等, 但使用最多的是反应磁控溅射法。ITO膜层的厚度不同，膜的导电性能和透光性能也不同。一般来说，在相同的工艺条件和性能相同的PET基底材料的情况下，ITO膜层越厚，PET-ITO膜的表面电阻越小，光透过率也相应的越小。

ITO导电膜，可以导电和透光，是“透明导电膜”的一种。在玻璃基板上镀ITO导电膜后：如果玻璃用于“窗户”，ITO膜通电后可以减少“窗户”的雾气；如果玻璃用于液晶显示器的配件，ITO膜蚀刻成为电路，通电后可以控制液晶的偏转（程度），我们就可以看到从液晶后面透过来的光，这些光就组成了图像；......还有其他ITO导电膜的应用。

目前只能是ITO最好。

现如今人们越来越注重健康，但是肥胖是健康的头号敌人，因此越来越多的朋友来事购买体脂称来测量辅助控制自己的体重，确实智能的体脂称不但可以检测体重，体脂肪率、基础代谢率、骨量、肌肉量等数据，还可以根据用户输入的年龄性别等来计算身体的状况，那么体脂秤测的数据准不准?下面就来介绍一下。体脂秤测的数据准不准?体脂秤是怎么测脂肪的?其实这个很难准确的回答，一个人早晚的身体导电率是不一样的;其次环境和室内温湿度也会影响到测量结果。但是大家不用着急，误差是肯定会存在的，但大致情况我们基本可以了解，所以不需要苛求。我们需要做的是挑到一台误差更小的体脂秤。智能秤其实是利用“生物电阻抗技术”进行脂肪测算的。在秤的表面加入ITO导电膜或者导电金属片，当人体光脚踩上去之后会形成闭环电极，由于脂肪不导电而水分导电，所以可以通过计算电流值、电阻值配合体重值，来计算身体里脂肪的含量。换句话说，要测脂肪率，就必须赤脚上阵。至于体脂秤测的数据准不准我们不必太过于纠结，一台合格的体脂秤即使不能测出我们身体精确的脂肪含量，但是误差也不会太大，因此我们在选购的时候可以多费心思，并且不要过分苛求。

ito导电膜的主要材料是氧化铟锡，这也是世界上主流的导电薄膜。

不是的。Low-E是低辐射膜，其功能膜是银，作用是反射远红外线获得节能性能；ITO是导电膜，功能膜是氧化铟锡(Indium-Tin Oxide)，作用是形成导电性能。

透明导电膜（transparent conductive film，简称TCF）目前最主要的应用是ITO膜，还有其他AZO等。 ITO 薄膜是一种半导体透明薄膜 ，它是氧化铟锡( indium tin ox ide) 英文名称的缩写。有学者将氧化铟系列（In2O 22SnO 2）也称之为ITO 薄膜。作为透明导电电极，要求ITO薄膜有良好的透明性和导电性。所以，此类材料的禁带宽度E g 一般都大于3 eV ，其掺杂组分要偏离化学计量比。ITO 薄膜的制备方法有蒸发、溅射、反应离子镀、化学汽相沉积、热解喷涂等，但使用最多的是反应磁控溅射法[ 1，2 ]。与其它透明导电薄膜相比，ITO 薄膜具有良好的化学稳定性、热稳定性以及良好的图形加工特性。

适用于柔性电致变色器件、柔性薄膜太阳能电池、柔性EL发光器件的制备和生产。薄膜厚度：0.175±10% mm雾度：<2%宽度：406/360±2 mm粘附：100/100卷曲：≤10 mm透过率：≥ 80%表面电阻：90±15 Ω/□面电阻均匀性：<7%热收缩：MD≤1.3，TD≤1.0热稳定性：高温：80oC,120hr ≤1.3低温：-40oC,120hr ≤1.3热循环：-30oC—80oC ≤1.3热/湿度： 60oC, 90% RH,120hr ≤1.3

在玻璃上镀ITO膜，再按设计好的电路图样来把ITO膜蚀刻出来，这是触摸屏生产中的一道工序。从光传播的规律来讲，ITO导电膜在腐蚀的过程中形成了高低落差不一的面（肉眼是看不出的），增加了反光面，这就导致光线在透过玻璃时部分光被反射、折射到其他方向，而真正透过的光就少了，因此光的透过率就降低了。用光学显微镜观察，我们就能清晰的看到蚀刻出来的线路外貌形状，会比没府蚀过的部分暗点。 说得不好，请指教！

ITO有多重含义。1、ITO导电玻璃是在钠钙基或硅硼基基片玻璃的基础上，利用溅射、蒸发等多种方法镀上一层氧化铟锡（俗称ITO）膜加工制作成的。液晶显示器专用ITO导电玻璃，还会在镀ITO层之前，镀上一层二氧化硅阻挡层，以阻止基片玻璃上的钠离子向盒内液晶里扩散。高档液晶显示器专用ITO玻璃在溅镀ITO层之前基片玻璃还要进行抛光处理，以得到更均匀的显示控制。液晶显示器专用ITO玻璃基板一般属超浮法玻璃，所有的镀膜面为玻璃的浮法锡面。因此，最终的液晶显示器都会沿浮法方向，规律的出现波纹不平整情况。2、ITO 是一种N型氧化物半导体-氧化铟锡，ITO薄膜即铟锡氧化物半导体透明导电膜，通常有两个性能指标：电阻率和透光率。作为纳米铟锡金属氧化物，具有很好的导电性和透明性，可以切断对人体有害的电子辐射、紫外线及远红外线。因此，铟锡氧化物通常喷涂在玻璃、塑料及电子显示屏上，用作透明导电薄膜，同时减少对人体有害的电子辐射及紫外、红外。3、ITO= International Trade Organization国际贸易是世界各国（或地区）之间按一般商业条件所进行的有形商品（实物商品）和无形商品（劳务、技术）的交换活动。国际贸易组织就是实现上述功能的国际组织的总称。国际贸易组织是一个宽泛的概念，而不是某一个组织，与WTO(世界贸易组织)是两个不同的概念。参考资料来源：百度百科-ITO（导电玻璃）参考资料来源：百度百科-ITO（国际贸易）参考资料来源：百度百科-ITO（氧化铟锡）

ITO导电玻璃的方阻,是指镀在玻璃面板上的一层ITO薄膜的方块电阻（即ITO的表面电阻率）.对它的测量可以反映薄膜的厚度、透过率.区别是：ITO是在氧化锡中掺了铟离子；FTO是在氧化锡中掺了氟离子.两者都可以做成透明导电膜.

ITO导电膜玻璃，即氧化铟锡(Indium-Tin Oxide)透明导电膜玻璃,多通过ITO导电膜玻璃生产线，在高度净化的厂房环境中，利用平面磁控技术，在超薄玻璃上溅射氧化铟锡导电薄膜镀层并经高温退火处理得到的高技术产品。产品广泛地用于液晶显示器(LCD)、太阳能电池、微电子ITO导电膜玻璃、光电子和各种光学领域。

高阻抗ITO导电薄膜PET-ITO主要应用于移动通讯领域的触摸屏生产。产品参数：面电阻：300～500 Ω/□面电阻均匀性：MD≤±3%，TD≤±6%ITO薄膜厚度：0.188±10%线性度（MD）：≤1.5%全光线透过率：≥86%表面硬度（铅笔硬度）：≥3H热稳定性：(R-R0)/R: ±20%热收缩率：MD≤1.0%，TD≤0.8%加热卷曲：≤10mm

ITO（氧化铟锡，Indium Tin Oxide）是一种常用的透明导电材料。它由铟（In）、锡（Sn）和氧（O）组成，通常的组成比例是铟和锡的摩尔比约为9:1。以下是一些关于ITO的基础知识：1. 物理性质：ITO具有优良的光学透明性和电导率，这使得它在许多光电子设备中都有广泛的应用。例如，ITO被广泛用作液晶显示器（LCD）、触摸屏、太阳能电池、有机发光二极管（OLED）等设备的透明电极。2. 制备方法：ITO通常是通过混合铟和锡的氧化物粉末，然后通过压制和高温烧结的方式制备成靶材。然后，这种靶材可以通过磁控溅射或电子束蒸发等物理气相沉积方法在基板上形成ITO薄膜。3. 使用限制：尽管ITO有很多优点，但它也有一些限制。例如，铟是一种稀有元素，供应有限且价格高昂。此外，ITO薄膜的制备过程需要高能耗的高温烧结和高真空沉积设备。因此，许多研究正在寻找更经济、环保的替代材料。4. 环保问题：ITO的生产和使用过程中会产生一些废弃物和废水，需要进行妥善处理以防止对环境造成污染。此外，铟是一种有毒元素，对人体健康也可能有影响，因此在处理ITO材料时需要采取适当的防护措施。

导电膜是具有导电功能的薄膜。 导电薄膜的荷电载流子在输运过程中受到表面和界面的散射，当薄膜的厚度可与电子的自由程相比拟时，在表面和界面的影响将变得显著，这个现象称为薄膜的尺寸效应。它等效于载流子的自由程减小，因此与同样材料的块体相比，薄膜的电导率较小。

ITO导电膜是一种具有导电功能的氧化铟锡薄膜，基材通常为PET材质，是在PET薄膜上形成以稀有金属In（铟）为主要原料的ITO（Indium Tin Oxide）靶材而制成的。 作为一种n型半导体材料，ITO导电膜具有较高的自有载流子浓度（电阻率低）、禁带宽度1、可见光谱区光透射率高等光学特征，基于透光率和导电性能较好，ITO导电膜被广泛应用于平板显示器件、太阳能电池等诸多领域。 ITO导电膜的主要特性包括：（1）导电性能好，电阻率可达10-4Ωu2219 cm；（2）可见光透光率高，可达85%以上；（3）对紫外线具有吸收性，吸收率在85%以上；（4）对红外线具有反射性，反射率在80%以上；（5）对微波具有衰减性，衰减率也可达85%（6）薄层硬度高，耐磨，耐化学腐蚀；（7）膜层加工性能好，便于刻蚀等。高的可见光透光率与相当低的电阻率结合在一起，使ITO薄膜成为目前综合性能最优异的透明导电材料之一。 ITO 薄膜的制备方法有多种，主要分为两大类：物理法和化学法，物理法包括磁控溅射、真空蒸发、离子增强沉积、激光脉冲沉积等，化学法包括热解喷涂、化学气相沉积、溶胶-凝胶法等，在这些制备方法中目前使用最多的是磁控溅射法。

【ITO膜在LED中的作用】为了提高LED芯片的出光效率，人们想了许多办法。比如，当前市场上出现了许多亮度较高的ITO芯片的LED，GaN基白光LED中如果用ITO替代Ni/Au作为P型电极芯片的亮度要比采用通用电极的芯片高20％－30％。在众多可作为透明电极的材料中，ITO是被最广泛应用的一种，ITO薄膜即铟锡氧化物半导体透明导电膜，通常有两个性能指针：电阻率和透光率。主要是由于ITO可同时具有低电阻率及高光穿透率的特性，符合了导电性及透光性良好的要求。在氧化物导电膜中，以掺Sn的In2O3(ITO)膜的透过率最高和导电性能最好，而且容易在酸液中蚀刻出细微的图形。【ITO薄膜】是一种n型半导体材料，具有高的导电率、高的可见光透过率、高的机械硬度和良好的化学稳定性。

【ITO膜在LED中的作用】为了提高LED芯片的出光效率，人们想了许多办法。比如，当前市场上出现了许多亮度较高的ITO芯片的LED，GaN基白光LED中如果用ITO替代Ni/Au作为P型电极芯片的亮度要比采用通用电极的芯片高20％－30％。在众多可作为透明电极的材料中，ITO是被最广泛应用的一种，ITO薄膜即铟锡氧化物半导体透明导电膜，通常有两个性能指针：电阻率和透光率。主要是由于ITO可同时具有低电阻率及高光穿透率的特性，符合了导电性及透光性良好的要求。在氧化物导电膜中，以掺Sn的In2O3(ITO)膜的透过率最高和导电性能最好，而且容易在酸液中蚀刻出细微的图形。【ITO薄膜】是一种n型半导体材料，具有高的导电率、高的可见光透过率、高的机械硬度和良好的化学稳定性。建议自己下去查查资料这样的提问没有意义

一、ITO薄膜的基本性能ITO（In2O3:SnO2=9:1）的微观结构，In2O3里掺入Sn后，Sn元素可以代替In2O3晶格中的In元素而以SnO2的形式存在，因为In2O3中的In元素是三价，形成SnO2时将贡献一个电子到导带上，同时在一定的缺氧状态下产生氧空穴，形成1020至1021cm-3的载流子浓度和10至30cm2/vs的迁移率。这个机理提供了在10-4Ω.cm数量级的低薄膜电阻率，所以ITO薄膜具有半导体的导电性能。ITO是一种宽能带薄膜材料，其带隙为3.5-4.3ev。紫外光区产生禁带的励起吸收阈值为3.75ev，相当于330nm的波长，因此紫外光区ITO薄膜的光穿透率极低。同时近红外区由于载流子的等离子体振动现象而产生反射，所以近红外区ITO薄膜的光透过率也是很低的，但可见光区ITO薄膜的透过率非常好，由于材料本身特定的物理化学性能，ITO薄膜具有良好的导电性和可见光区较高的光透过率。二、影响ITO薄膜导电性能的几个因素ITO薄膜的面电阻（R）、膜厚（d）和电阻率（ρ）三者之间是相互关联的，这三者之间的计算公式是：R=ρ/d。由公式可以看出，为了获得不同面电阻（R）的ITO薄膜，实际上就是要获得不同的膜厚和电阻率。一般来讲，制备ITO薄膜时要得到不同的膜层厚度比较容易，可以通过调节薄膜沉积时的沉积速率和沉积的时间来制取所需要膜层的厚度，并通过相应的工艺方法和手段能进行精确的膜层厚度和均匀性控制。而ITO薄膜的电阻率（ρ）的大小则是ITO薄膜制备工艺的关键，电阻率（ρ）也是衡量ITO薄膜性能的一项重要指标。公式ρ=m/ne2T给出了影响薄膜电阻率（ρ）的几种主要因素，n、T分别表示载流子浓度和载流子迁移率。当n、T越大，薄膜的电阻率（ρ）就越小，反之亦然。而载流子浓度（n）与ITO薄膜材料的组成有关，即组成ITO薄膜本身的锡含量和氧含量有关，为了得到较高的载流子浓度（n）可以通过调节ITO沉积材料的锡含量和氧含量来实现；而载流子迁移率（T）则与ITO薄膜的结晶状态、晶体结构和薄膜的缺陷密度有关，为了得到较高的载流子迁移率（T），可以合理的调节薄膜沉积时的沉积温度、溅射电压和成膜的条件等因素。所以从ITO薄膜的制备工艺上来讲，ITO薄膜的电阻率不仅与ITO薄膜材料的组成（包括锡含量和氧含量）有关，同时与制备ITO薄膜时的工艺条件（包括沉积时的基片温度、溅射电压等）有关。有大量的科技文献和实验分析了ITO薄膜的电阻率与ITO材料中的Sn、O2元素的含量，以及ITO薄膜制备时的基片温度等工艺条件之间的关系。三、通过低溅射电压制备ITO薄膜的工艺和方法1、低电压溅射制备ITO薄膜由于ITO薄膜本身含有氧元素，磁控溅射制备ITO薄膜的过程中，会产生大量的氧负离子，氧负离子在电场的作用下以一定的粒子能量会轰击到所沉积的ITO薄膜表面，使ITO薄膜的结晶结构和晶体状态造成结构缺陷。溅射的电压越大，氧负离子轰击膜层表面的能量也越大，那么造成这种结构缺陷的几率就越大，产生晶体结构缺陷也越严重，从而导致了ITO薄膜的电阻率上升，一般情况下，磁控溅射沉积ITO薄膜时的溅射电压在-400V左右，如果使用一定的工艺方法将溅射电压降到-200V以下，那么所沉积的ITO薄膜电阻率将降低50%以上，这样不仅提高了ITO薄膜的产品质量，同时也降低了产品的生产成本。2、两种在直流磁控溅射制备ITO薄膜时，降低薄膜溅射电压的有效途径磁场强度对溅射电压的影响当磁场强度为300G时，溅射电压约为-350v；但当磁场强度升高到1000G时，溅射电压下降至-250v左右。一般情况下，磁场强度越高、溅射电压越低，但磁场强度为1000G以上时，磁场强度对溅射电压的影响就不明显了。因此为了降低ITO薄膜的溅射电压，可以通过合理的增强溅射阴极的磁场强度来实现。RF+DC电源使用对溅射电压的影响为了有效的降低磁控溅射的电压，以达到降低ITO薄膜电阻率的目的，可以采用了一套特殊的溅射阴极结构和溅射直流电源，同时将一套3KW的射频电源合理的匹配叠装在一套6KW的直流电源上，在不同的直流溅射功率和射频功率下进行降低ITO薄膜溅射电压的工艺研究。当磁场强度为1000G，直流电源的功率为1200W时，通过改变射频电源的功率，经大量的工艺实验得出：“当射频功率为600W时，ITO靶的溅射电压可以降到-110V”的结论。因此，RF+DC新型电源的应用和特殊溅射阴极结构的设计也能有效的降低ITO薄膜的溅射电压，从而达到降低薄膜电阻率的目的。3、降低ITO薄膜电阻率的新沉积方法-HDAP法HDAP法是利用高密度的电弧等离子体（HDAP）放电轰击ITO靶材，使ITO材料蒸发，沉积到基体材料上形成ITO薄膜。由于高能量电弧离子的作用导致ITO粒子中的In、Sn达到完全离化，从而增强沉积时的反应活性，达到减少晶体结构缺陷，降低电阻率的目的。利用同样成分的ITO材料，其它工艺条件保持一样，并在同样的基片温度下，分别进行“DC磁控溅射”、“DC+RF磁控溅射”、“HDAP法制备ITO薄膜”的实验。实验结果可以看出，利用HDAP法能获得电阻率较低的ITO薄膜，尤其是在基片温度不能太高的材料上制备ITO薄膜时，使用HDAP法制备ITO薄膜可以得到较理想的ITO薄膜。基片温度到350℃左右时，这三种沉积方法对ITO薄膜电阻率的影响较小。通过扫描电镜对磁控溅射和HDAP法制备的ITO薄膜进行了微观分析。很明显HDAP法制备的ITO薄膜表面平坦、均匀。HDAP法制备ITO薄膜主要是针对基体材料不能加热，同时又要求ITO薄膜的电阻率较低的制成比较适用。

【ITO膜在LED中的作用】为了提高LED芯片的出光效率，人们想了许多办法。比如，当前市场上出现了许多亮度较高的ITO芯片的LED，GaN基白光LED中如果用ITO替代Ni/Au作为P型电极芯片的亮度要比采用通用电极的芯片高20％－30％。在众多可作为透明电极的材料中，ITO是被最广泛应用的一种，ITO薄膜即铟锡氧化物半导体透明导电膜，通常有两个性能指针：电阻率和透光率。主要是由于ITO可同时具有低电阻率及高光穿透率的特性，符合了导电性及透光性良好的要求。在氧化物导电膜中，以掺Sn的In2O3(ITO)膜的透过率最高和导电性能最好，而且容易在酸液中蚀刻出细微的图形。【ITO薄膜】是一种n型半导体材料，具有高的导电率、高的可见光透过率、高的机械硬度和良好的化学稳定性。建议自己下去查查资料这样的提问没有意义

耐碱为浸入60℃、浓度为10%氢氧化钠溶液中5分钟后，ITO层方块电阻变化值不超过10%。耐酸为浸入250C、浓度为6%盐酸溶液中5分钟后，ITO层方块电阻变化值不超过10%。耐溶剂为在250C、丙酮、无水乙醇或100份去离子水加3分EC101配制成的清洗液中5分钟后，ITO层方块电阻变化值不超过10%。附着力：在胶带贴附在膜层表面并迅速撕下，膜层无损伤；或连撕三次后，ITO层方块电阻变化值不超过10%。热稳定性：在300°C的空气中，加热30分钟后，ITO导电膜方块电阻值应不大于原方块电阻的300%。

ito导电膜的主要材料是氧化铟锡，这也是世界上主流的导电薄膜。是非常好的产品，产品广泛地用于液晶显示器(LCD)、太阳能电池、微电子ITO导电膜玻璃、光电子和各种光学领域。ITO导电膜薄膜，即氧化铟锡(Indium-Tin Oxide)，是透明导电膜玻璃，多通过ITO导电膜玻璃生产线，在高度净化的厂房环境中，利用平面磁控技术，在超薄玻璃上溅射氧化铟锡导电薄膜镀层并经高温退火处理得到的高技术产品。

ITO导电玻璃的方阻，是指镀在玻璃面板上的一层ITO薄膜的方块电阻（即ITO的表面电阻率）。对它的测量可以反映薄膜的厚度、透过率......区别是：ITO是在氧化锡中掺了铟离子；FTO是在氧化锡中掺了氟离子。两者都可以做成透明导电膜。

ito导电膜的主要材料是氧化铟锡，这也是世界上主流的导电薄膜。是非常好的产品，产品广泛地用于液晶显示器(LCD)、太阳能电池、微电子ITO导电膜玻璃、光电子和各种光学领域。 ITO导电膜薄膜，即氧化铟锡(Indium-Tin Oxide)，是透明导电膜玻璃