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晶体闸流管详细资料大全

2023-07-24 20:52:06
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晶闸管(Thyristor)是晶体闸流管的简称,又可称做可控矽整流器,以前被简称为可控矽;1957年美国通用电器公司开发出世界上第一晶闸管产品,并于1958年使其商业化;晶闸管是PNPN四层半导体结构,它有三个极:阳极,阴极和门极;晶闸管工作条件为:加正向电压且门极有触发电流;其派生器件有:快速晶闸管,双向晶闸管,逆导晶闸管,光控晶闸管等。它是一种大功率开关型半导体器件,在电路中用文字元号为“V”、“VT”表示(旧标准中用字母“SCR”表示)。晶闸管具有矽整流器件的特性,能在高电压、大电流条件下工作,且其工作过程可以控制、被广泛套用于可控整流、交流调压、无触点电子开关、逆变及变频等电子电路中。

基本介绍

  • 中文名 :晶闸管
  • 外文名 :Thyristo
种类,工作原理,工作条件,工作过程,注意事项,如何保护晶闸管,

种类

(一)按关断、导通及控制方式分类 晶闸管按其关断、导通及控制方式可分为普通晶闸管、双向晶闸管、逆导晶闸管、门极关断晶闸管(GTO)、BTG晶闸管、温控晶闸管和光控晶闸管等多种。 (二)按引脚和极性分类 晶体闸流管 晶闸管按其引脚和极性可分为二极晶闸管、三极晶闸管和四极晶闸管。 (三)按封装形式分类 晶闸管按其封装形式可分为金属封装晶闸管、塑封晶闸管和陶瓷封装晶闸管三种类型。其中,金属封装晶闸管又分为螺栓形、平板形、圆壳形等多种;塑封晶闸管又分为带散热片型和不带散热片型两种。 (四)按电流容量分类 晶闸管按电流容量可分为大功率晶闸管、中功率晶闸管和小功率晶闸管三种。通常,大功率晶闸管多采用金属壳封装,而中、小功率晶闸管则多采用塑封或陶瓷封装。 (五)按关断速度分类 晶闸管按其关断速度可分为普通晶闸管和高频(快速)晶闸管。

工作原理

晶闸管T在工作过程中,它的阳极A和阴极K与电源和负载连线,组成晶闸管的主电路,晶闸管的门极G和阴极K与控制晶闸管的装置连线,组成晶闸管的控制电路。

工作条件

晶闸管的工作条件: 1.晶闸管承受反向阳极电压时,不管门极承受何种电压,晶闸管都处于关断状态。 2.晶闸管承受正向阳极电压时,仅在门极承受正向电压的情况下晶闸管才导通。 3.晶闸管在导通情况下,只要有一定的正向阳极电压,不论门极电压如何,晶闸管保持导通,即晶闸管导通后,门极失去作用。 4.晶闸管在导通情况下,当主回路电压(或电流)减小到接近于零时,晶闸管关断。

工作过程

晶闸管是四层三端器件,它有J1、J2、J3三个PN结图1,可以把它中间的NP分成两部分,构成一个PNP型三极体和一个NPN型三极体的复合管图2 当晶闸管承受正向阳极电压时,为使晶闸管导通,必须使承受反向电压的PN结J2失去阻挡作用。图2中每个电晶体的集电极电流同时就是另一个电晶体的基极电流。因此,两个互相复合的电晶体电路,当有足够的门机电流Ig流入时,就会形成强烈的正反馈,造成两电晶体饱和导通,电晶体饱和导通。 设PNP管和NPN管的集电极电流相应为Ic1和Ic2;发射极电流相应为Ia和Ik;电流放大系数相应为a1=Ic1/Ia和a2=Ic2/Ik,设流过J2结的反相漏电电流为Ic0, 晶闸管的阳极电流等于两管的集电极电流和漏电流的总和: Ia=Ic1+Ic2+Ic0或Ia=a1Ia+a2Ik+Ic0 若门极电流为Ig,则晶闸管阴极电流为Ik=Ia+Ig 从而可以得出晶闸管阳极电流为:I=(Ic0+Iga2)/(1-(a1+a2))(1—1)式 矽PNP管和矽NPN管相应的电流放大系数a1和a2随其发射极电流的改变而急剧变化如图3所示。 当晶闸管承受正向阳极电压,而门极未受电压的情况下,式(1—1)中,Ig=0,(a1+a2)很小,故晶闸管的阳极电流Ia≈Ic0晶闸关处于正向阻断状态。当晶闸管在正向阳极电压下,从门极G流入电流Ig,由于足够大的Ig流经NPN管的发射结,从而提高起点流放大系数a2,产生足够大的极电极电流Ic2流过PNP管的发射结,并提高了PNP管的电流放大系数a1,产生更大的极电极电流Ic1流经NPN管的发射结。这样强烈的正反馈过程迅速进行。从图3,当a1和a2随发射极电流增加而(a1+a2)≈1时,式(1—1)中的分母1-(a1+a2)≈0,因此提高了晶闸管的阳极电流Ia.这时,流过晶闸管的电流完全由主回路的电压和回路电阻决定。晶闸管已处于正向导通状态。 式(1—1)中,在晶闸管导通后,1-(a1+a2)≈0,即使此时门极电流Ig=0,晶闸管仍能保持原来的阳极电流Ia而继续导通。晶闸管在导通后,门极已失去作用。 在晶闸管导通后,如果不断的减小电源电压或增大回路电阻,使阳极电流Ia减小到维持电流IH以下时,由于a1和a1迅速下降,当1-(a1+a2)≈0时,晶闸管恢复阻断状态。 可关断晶闸管GTO(GateTurn-OffThyristor)亦称门控晶闸管。其主要特点为,当门极加负向触发信号时晶闸管能自行关断。 前已述及,普通晶闸管(SCR)靠门极正信号触发之后,撤掉信号亦能维持通态。欲使之关断,必须切断电源,使正向电流低于维持电流IH,或施以反向电压强近关断。这就需要增加换向电路,不仅使设备的体积重量增大,而且会降低效率,产生波形失真和噪声。可关断晶闸管克服了上述缺陷,它既保留了普通晶闸管耐压高、电流大等优点,以具有自关断能力,使用方便,是理想的高压、大电流开关器件。GTO的容量及使用寿命均超过巨型电晶体(GTR),只是工作频纺比GTR低。GTO已达到3000A、4500V的容量。大功率可关断晶闸管已广泛用于斩波调速、变频调速、逆变电源等领域,显示出强大的生命力。 可关断晶闸管也属于PNPN四层三端器件,其结构及等效电路和普通晶闸管相同,因此图1仅绘出GTO典型产品的外形及符号。大功率GTO大都制成模组形式。 尽管GTO与SCR的触发导通原理相同,但二者的关断原理及关断方式截然不同。这是由于普通晶闸管在导通之后即外于深度饱和状态,而GTO在导通后只能达到临界饱和,所以GTO门极上加负向触发信号即可关断。GTO的一个重要参数就是关断增益,βoff,它等于阳极最大可关断电流IATM与门极最大负向电流IGM之比,有公式 βoff=IATM/IGM βoff一般为几倍至几十倍。βoff值愈大,说明门极电流对阳极电流的控制能力愈强。很显然,βoff与昌盛的hFE参数颇有相似之处。 下面分别介绍利用万用表判定GTO电极、检查GTO的触发能力和关断能力、估测关断增益βoff的方法。 1.判定GTO的电极 将万用表拨至R×1档,测量任意两脚间的电阻,仅当黑表笔接G极,红表笔接K极时,电阻呈低阻值,对其它情况电阻值均为无穷大。由此可迅速判定G、K极,剩下的就是A极。 2.检查触发能力 如图2(a)所示,首先将表Ⅰ的黑表笔接A极,红表笔接K极,电阻为无穷大;然后用黑表笔尖也同时接触G极,加上正向触发信号,表针向右偏转到低阻值即表明GTO已经导通;最后脱开G极,只要GTO维持通态,就说明被测管具有触发能力。 3.检查关断能力 现采用双表法检查GTO的关断能力,如图2(b)所示,表Ⅰ的档位及接法保持不变。将表Ⅱ拨于R×10档,红表笔接G极,黑表笔接K极,施以负向触发信号,如果表Ⅰ的指针向左摆到无穷大位置,证明GTO具有关断能力。 4.估测关断增益βoff 进行到第3步时,先不接入表Ⅱ,记下在GTO导通时表Ⅰ的正向偏转格数n1;再接上表Ⅱ强迫GTO关断,记下表Ⅱ的正向偏转格数n2。最后根据读取电流法按下式估算关断增益: βoff=IATM/IGM≈IAT/IG=K1n1/K2n2 式中K1—表Ⅰ在R×1档的电流比例系数; K2—表Ⅱ在R×10档的电流比例系数。 βoff≈10×n1/n2 此式的优点是,不需要具体计算IAT、IG之值,只要读出二者所对应的表针正向偏转格数,即可迅速估测关断增益值。

注意事项

(1)在检查大功率GTO器件时,建议在R×1档外边串联一节1.5V电池E′,以提高测试电压和测试电流,使GTO可靠地导通。 (2)要准确测量GTO的关断增益βoff,必须有专用测试设备。但在业余条件下可用上述方法进行估测。由于测试条件不同,测量结果仅供参考,或作为相对比较的依据。 逆导晶闸管RCT(Reverse-ConductingThyristir)亦称反向导通晶闸管。其特点是在晶闸管的阳极与阴极之间反向并联一只二极体,使阳极与阴极的发射结均呈短路状态。由于这种特殊电路结构,使之具有耐高压、耐高温、关断时间短、通态电压低等优良性能。例如,逆导晶闸管的关断时间仅几微秒,工作频率达几十千赫,优于快速晶闸管(FSCR)。该器件适用于开关电源、UPS不间断电源中,一只RCT即可代替晶闸管和续流二极体各一只,不仅使用方便,而且能简化电路设计。 逆导晶闸管的符号、等效电路如图1(a)、(b)所示。其伏安特性见图2。由图显见,逆导晶闸管的伏安特性具有不对称性,正向特性与普通晶闸管SCR相同,而反向特性与矽整流管的正向特性相同(仅坐标位置不同)。 逆导晶闸管的典型产品有美国无线电公司(RCA)生产的S3900MF,其外形见图1(c)。它采用TO-220封装,三个引出端分别是门极G、阳极A、阴极K。S3900MF的主要参数如下: 断态重复峰值电压VDRM:>750V 通态平均电流IT(AV):5A 最大通态电压VT:3V(IT=30A) 最大反向导通电压VTR:<0.8V 最大门极触发电压VGT:4V 最大门极触发电流IGT:40mA 关断时间toff:2.4μs 通态电压临界上升率du/dt:120V/μs 通态浪涌电流ITSM:80A 利用万用表和兆欧表可以检查逆导晶闸管的好坏。测试内容主要分三项: 1.检查逆导性 选择万用表R×1档,黑表笔接K极,红表笔接A极(参见图3(a)),电阻值应为5~10Ω。若阻值为零,证明内部二极体短路;电阻为无穷大,说明二极体开路。 2.测量正向直流转折电压V(BO) 按照(b)图接好电路,再按额定转速摇兆欧表,使RCT正向击穿,由直流电压表上读出V(BO)值。 3.检查触发能力 实例:使用500型万用表和ZC25-3型兆欧表测量一只S3900MF型逆导晶闸管。依次选择R×1k、R×100、R×10和R×1档测量A-K极间反向电阻,同时用读取电压法求出出内部二极体的反向导通电压VTR(实际是二极体正向电压VF)。再用兆欧表和万用表500VDC档测得V(BO)值。全部数据整理成表1。由此证明被测RCT质量良好。 注意事项: (1)S3900MF的VTR<0.8V,宜选R×1档测量。 (2)若再用读取电流法求出ITR值,还可以绘制反向伏安特性。 ①一般小功率晶闸管不需加散热片,但应远离发热元件,如大功率电阻、大功率三极体以及电源变压器等。对于大功率晶闸管,必须按手册申的要求加装散热装置及冷却条件,以保证管子工作时的温度不超过结温。 ②晶闸管在使用中发生超越和短路现象时,会引发过电流将管子烧毁。对于过电流,一般可在交流电源中加装快速保险丝加以保护。快速保险丝的熔断时间极短,一般保险丝的额定电流用晶闸管额定平均电流的1.5倍来选择。 ③交流电源在接通与断开时,有可能在晶闸管的导通或阻断对出现过压现象,将管子击穿。对于过电压,可采用并联RC吸收电路的方法。因为电容两端的电压不能突变,所以只要在晶闸管的阴极及阳极间并取RC电路,就可以削弱电源瞬间出现的过电压,起到保护晶闸管的作用。当然也可以采用压敏电阻过压保护元件进行过压保护。

如何保护晶闸管

晶闸管在工业中的套用越来越广泛,随着行业的套用范围增大。晶闸管的作用也越来越全面。但是有时候,晶闸管在使用过程中会造成一些伤害。为了保证晶闸管的寿命,我们该如何更好地区保护晶闸管呢? 在使用过程中,晶闸管对过电压是很敏感的。过电流同样对晶闸管有极大的损坏作用。西安瑞新公司给大家介绍晶闸管的保护方法,具体如下: 1、 过电压保护 晶闸管对过电压很敏感,当正向电压超过其断态重复峰值电压UDRM一定值时晶闸管就会误导通,引发电路故障;当外加反向电压超过其反向重复峰值电压URRM一定值时,晶闸管就会立即损坏。因此,必须研究过电压的产生原因及抑制过电压的方法。 过电压产生的原因主要是供给的电功率或系统的储能发生了激烈的变化,使得系统来不及转换,或者系统中原来积聚的电磁能量来不及消散而造成的。主要发现为雷击等外来冲击引起的过电压和开关的开闭引起的冲击电压两种类型。由雷击或高压断路器动作等产生的过电压是几微秒至几毫秒的电压尖峰,对晶闸管是很危险的。由开关的开闭引起的冲击电压又分为如下几类: (1)交流电源接通、断开产生的过电压 例如,交流开关的开闭、交流侧熔断器的熔断等引起的过电压,这些过电压由于变压器绕组的分布电容、漏抗造成的谐振回路、电容分压等使过电压数值为正常值的 2至10多倍。一般地,开闭速度越快过电压越高,在空载情况下断开回路将会有更高的过电压。 (2)直流侧产生的过电压 如切断回路的电感较大或者切断时的电流值较大,都会产生比较大的过电压。这种情况常出现于切除负载、正在导通的晶闸管开路或是快速熔断器熔体烧断等原因引起电流突变等场合。 (3)换相冲击电压 包括换相过电压和换相振荡过电压。换相过电压是由于晶闸管的电流降为0时器件内部各结层残存载流子复合所产生的,所以又叫载流子积蓄效应引起的过电压。换相过电压之后,出现换相振荡过电压,它是由于电感、电容形成共振产生的振荡电压,其值和换相结束后的反向电压有关。反向电压越高,换相振荡过电压也越大。 针对形成过电压的不同原因,可以采取不同的抑制方法,如减少过电压源,并使过电压幅值衰减;抑制过电压能量上升的速率,延缓已产生能量的消散速度,增加其消散的途径;采用电子线路进行保护等。目前最常用的是在回路中接入吸收能量的元件,使能量得以消散,常称之为吸收回路或缓冲电路。 (4)阻容吸收回路 通常过电压均具有较高的频率,因此常用电容作为吸收元件,为防止振荡,常加阻尼电阻,构成阻容吸收回路。阻容吸收回路可接在电路的交流侧、直流侧,或并接在晶闸管的阳极和阴极之间。吸收电路最好选用无感电容,接线应尽量短。 (5)由硒堆及压敏电阻等非线性元件组成吸收回路 上述阻容吸收回路的时间常数RC是固定的,有时对时间短、峰值高、能量大的过电压来不及放电,抑制过电压的效果较差。因此,一般在变流装置的进出线端还并有硒堆或压敏电阻等非线性元件。硒堆的特点是其动作电压和温度有关,温度越低耐压越高;另外是硒堆具有自恢复特性,能多次使用,当过电压动作后硒基片上的灼伤孔被溶化的硒重新覆盖,又重新恢复其工作特性。压敏电阻是以氧化锌为基体的金属氧化物非线性电阻,其结构为两个电极,电极之间填充的粒径为 10~50μm的不规则的ZNO微结晶,结晶粒间是厚约1μm的氧化铋粒界层。这个粒界层在正常电压下呈高阻状态,只有很小的漏电流,其值小于 100μA。当加上电压时,引起了电子雪崩,粒界层迅速变成低阻抗,电流迅速增加,泄漏了能量,抑制了过电压,从而使晶闸管得到保护。浪涌过后,粒界层又恢复为高阻态。压敏电阻的特性主要由下面几个参数来表示。 标称电压:指压敏电阻流过1mA直流电流时,其两端的电压值。 通流容量:是用前沿8微秒、波宽20微秒的波形冲击电流,每隔5分钟冲击1次,共冲击10次,标称电压变化在-10[[[%]]]以内的最大冲击电流值来表示。 因为正常的压敏电阻粒界层只有一定大小的放电容量和放电次数,标称电压值不仅会随着放电次数增多而下降,而且也随着放电电流幅值的增大而下降,当大到某一电流时,标称电压下降到0,压敏电阻出现穿孔,甚至炸裂;因此必须限定通流容量。 漏电流:指加一半标称直流电压时测得的流过压敏电阻的电流。 由于压敏电阻的通流容量大,残压低,抑制过电压能力强;平时漏电流小,放电后不会有续流,元件的标称电压等级多,便于用户选择;伏安特性是对称的,可用于交、直流或正负浪涌;因此用途较广。 2、 过电流保护 由于半导体器件体积小、热容量小,特别像晶闸管这类高电压大电流的功率器件,结温必须受到严格的控制,否则将遭至彻底损坏。当晶闸管中流过大于额定值的电流时,热量来不及散发,使得结温迅速升高,最终将导致结层被烧坏。 产生过电流的原因是多种多样的,例如,变流装置本身晶闸管损坏,触发电路发生故障,控制系统发生故障等,以及交流电源电压过高、过低或缺相,负载过载或短路,相邻设备故障影响等。 晶闸管过电流保护方法最常用的是快速熔断器。由于普通熔断器的熔断特性动作太慢,在熔断器尚未熔断之前晶闸管已被烧坏;所以不能用来保护晶闸管。快速熔断器由银制熔丝埋于石英沙内,熔断时间极短,可以用来保护晶闸管。快速熔断器的性能主要有以下几项表征。

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晶闸管的用途是什么?

一、晶闸管是晶体闸流管的简称,又可称做可控硅整流器,以前被简称为可控硅;1957年美国通用电气公司开发出世界上第一款晶闸管产品,并于1958年将其商业化;晶闸管是PNPN四层半导体结构,它有三个极:阳极,阴极和门极; 晶闸管具有硅整流器件的特性,能在高电压、大电流条件下工作,且其工作过程可以控制、被广泛应用于可控整流、交流调压、无触点电子开关、逆变及变频等电子电路中。二、用途:晶闸管的特点是具有可控的单向导电,即与一般的二极管相比,可以对导通电流进行控制。晶闸管具有以小电流(电压)控制大电流(电压)作用,并体积小、轻、功耗低、效率高、开关迅速等优点,广泛用于无触点开关、可控整流、逆变、调光、调压、调速等方面。
2023-07-24 18:33:423

晶闸管的原理是什么,它在电路中有那些作用。

原理:晶闸管在工作过程中,它的阳极(A)和阴极(K)与电源和负载连接,组成晶闸管的主电路,晶闸管的门极G和阴极K与控制晶闸管的装置连接,组成晶闸管的控制电路。主要有以下三个作用:1 可控整流作用:可控硅的作用之一就是可控整流,这也是可控硅最基本也最重要的作用。在一个最基本的单相半波可控整流电路中,当正弦交流电压处于正半周时,只有在控制极外加触发脉冲时,可控硅才被触发导通,负载上才会有电压输出,因此可以通过改变控制极上触发脉冲到来的时间,来进一步调节负载上输出电压的平均值,达到可控整流的作用。2 用作无触点开关:可控硅的作用之二就是用作无触点开关,经常用于自动化设备中,代替通用继电器,具有无噪音、寿命长的特点。3 开关和调压作用:可控硅的作用之三就是起到开关和调压的作用,经常应用于交流电路中,由于其被触发时间不同,因此通过它的电流只有其交流周期的一部分,通过它的电压只有全电压的一部分,因而起到调节输出电压的作用。
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晶闸管名词解释

晶闸管(Thyristor)是晶体闸流管的简称,又被称做可控硅整流器,以前被简称为可控硅;1957年美国通用电气公司开发出世界上第一款晶闸管产品,并于1958年将其商业化;晶闸管是PNPN四层半导体结构,它有三个极:阳极,阴极和控制极; 晶闸管具有硅整流器件的特性,能在高电压、大电流条件下工作,且其工作过程可以控制、被广泛应用于可控整流、交流调压、无触点电子开关、逆变及变频等电子电路中。作用:可控的导电开关,与二极管相比,不同之处是正向bai导通首控制极电流控制。晶闸管在电路中的主要作用是实现可控整流。当在晶闸管的阴极和阳极间加上正向电压而控制极不加任何信号时,晶闸管处于关断状态。如果在控制极和阴极之间加上一个正向的小电压,则晶闸管将导通,此时即使撤走控制信号,晶闸管仍能保持导通,除非断开阳极电源回路或将阳极电流降低到小于晶闸管的维持电流。通常情况下,触发晶闸管所需的电流等于流过晶闸管电流的1/100~1/1000。这意味着,当将晶闸管串联在弧焊变压器的次级绕组及焊接电缆上后,它不但能将交流变成直流,在相应的电子装置的配合下还能控制焊接电流的大小。晶闸管只有两种工作状态,即导通和截止,只能通过调节晶闸管的导通点(触发角)来调节电流的大小,图2给出了电阻性负载的单相桥式可控整流电路中在不同时刻触发晶闸管的输出波形。晶闸管的导通时刻越早,向负载输出的功率越大。扩展资料:晶闸管在工作过程中,它的阳极(A)和阴极(K)与电源和负载连接,组成晶闸管的主电路,晶闸管的门极G和阴极K与控制晶闸管的装置连接,组成晶闸管的控制电路。晶闸管为半控型电力电子器件,它的工作条件如下:1. 晶闸管承受反向阳极电压时,不管门极承受何种电压,晶闸管都处于反向阻断状态。2. 晶闸管承受正向阳极电压时,仅在门极承受正向电压的情况下晶闸管才导通。这时晶闸管处于正向导通状态,这就是晶闸管的闸流特性,即可控特性。3. 晶闸管在导通情况下,只要有一定的正向阳极电压,不论门极电压如何,晶闸管保持导通,即晶闸管导通后,门极失去作用。门极只起触发作用。4. 晶闸管在导通情况下,当主回路电压(或电流)减小到接近于零时,晶闸管关断。
2023-07-24 18:35:391

晶闸管并吸收电路的作用

晶闸管并吸收电路的作用:在没有RC阻容吸收时,有一条反压很高波形,加了RC后,吸收或抑制了下反压增加因素,使器件电压击穿损坏减少。加了RC吸收后,电路换相过零时,RC电容上电压特性相反,使器件加入反相电压,从而使器件可靠关断。晶闸管T在工作过程中,它的阳极A和阴极K与电源和负载连接,组成晶闸管的主电路,晶闸管的门极G和阴极K与控制晶闸管的装置连接,组成晶闸管的控制电路。扩展资料:当晶闸管承受正向阳极电压时,为使晶闸管导通,必须使承受反向电压的PN结J2失去阻挡作用。因此,两个互相复合的晶体管电路,当有足够的门极电流Ig流入时,就会形成强烈的正反馈,造成两晶体管饱和导通,晶体管饱和导通。设PNP管和NPN管的集电极电流相应为Ic1和Ic2;发射极电流相应为Ia和Ik;电流放大系数相应为a1=Ic1/Ia和a2=Ic2/Ik,设流过J2结的反相漏电电流为Ic0。
2023-07-24 18:35:522

晶体管与晶闸管的区别

晶体管与晶闸管的区别:1、功能不一样:晶体管的功能是检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等。而普通晶闸管的功能则是可控整流。2、优点不一样:晶闸管的优点是以小电流(电压)控制大电流(电压)作用,并体积小、轻、功耗低、效率高、开关迅速等。晶体管的有点则是输入电阻高、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等。3、分类不一样:晶闸管按其引脚和极性可分为二极晶闸管、三极晶闸管和四极晶闸管。晶体管主要分为两大类:双极性晶体管(BJT)和场效应晶体管(FET)。参考资料:百度百科-晶闸管百度百科-晶体管 (电子元件)
2023-07-24 18:36:087

晶闸管,三极管,二极管,可控管之间的区别

区别:一、结构不同1、晶闸管是PNPN四层半导体结构,它有三个极:阳极,阴极和门极。2、三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把整块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列方式有PNP和NPN两种。3、二极管一种具有两个电极的装置,只允许电流由单一方向流过。4、可关断晶闸管的结构和普通单向晶闸管一样,也是由PNPN四层半导体构成,外部也有三个电极,即门极G、阳极A和阴极K。二、工作原理不同1、晶闸管T在工作过程中,它的阳极A和阴极K与电源和负载连接,组成晶闸管的主电路,晶闸管的门极G和阴极K与控制晶闸管的装置连接,组成晶闸管的控制电路。2、晶体三极管(以下简称三极管)按材料分有两种:锗管和硅管。而每一种又有NPN和PNP两种结构形式,但使用最多的是硅NPN和锗PNP两种三极管,(其中,N是负极的意思(代表英文中Negative),N型半导体在高纯度硅中加入磷取代一些硅原子,在电压刺激下产生自由电子导电,而P是正极的意思(Positive)是加入硼取代硅,产生大量空穴利于导电)。3、晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的pn结,在其界面处两侧形成空间电荷层,并建有自建电场。当不存在外加电压时,由于pn结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当外界有正向电压偏置时,外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时,外界电场和自建电场进一步加强,形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。当外加的反向电压高到一定程度时,pn结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程,产生大量电子空穴对,产生了数值很大的反向击穿电流,称为二极管的击穿现象。pn结的反向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿之分。4、可关断晶闸管是一种通过门极来控制器件导通和关断的电力半导体器件。GTO既具有普通晶闸管的优点(耐压高、电流大、耐浪涌能力强、价格便宜),同时又具有GTR的优点(自关断能力、无须辅助关断电路、使用方便),是应用于高压、大容量场合中的一种大功率开关器件。扩展资料:可关断晶闸管(GTO)又称门极可关断晶闸管或门控晶闸管,是晶闸管的一种派生器件。它的主要特点是门极加正脉冲信号触发管子导通,门极加负脉冲信号触发管子关断,因而属于全控型器件。可关断晶闸管既保留了普通单向晶闸管耐压高、电流大的特性,又具备了自关断能力,且关断时间短,不需要复杂的换向电路,工作频率高,使用方便,但对关断脉冲信号的脉冲功率和门极负向电流的上升率要求较高。可关断晶闸管是理想的高压、大电流开关器件,广泛用于斩波调速、变频调速、逆变电源等领域。参考资料来源:百度百科-可关断晶闸管参考资料来源:百度百科-三极管参考资料来源:百度百科-二极管参考资料来源:百度百科-晶闸管
2023-07-24 18:36:471

可控硅的工作原理和主要作用

一、可控硅的工作原理:1、双向可控硅:双向可控硅是一种硅可控整流器件,也称作双向晶闸管。这种器件在电路中能够实现交流电的无触点控制,以小电流控制大电流,具有无火花、动作快、寿命长、可靠性高以及简化电路结构等优点。2、双向可控硅除了其中一个电极G仍叫做控制极外,另外两个电极通常却不再叫做阳极和阴极,而统称为主电极Tl和T2。它的符号也和普通可控硅不同,是把两个可控硅反接在一起画成的,它的型号,在我国一般用“3CTS”或“KS”表示。3、用“TRIAC”来表示的。双向可控硅的规格、型号、外形以及电极引脚排列依生产厂家不同而有所不同,但其电极引脚多数是按T1、T2、G的顾序从左至右排列(观察时,电极引脚向下,面对标有字符的一面)。市场上最常见的几种塑封外形结构双向可控硅的外形及电极引脚排列就可以工作。二、主要作用:1、普通晶闸管最基本的用途就是可控整流。以最简单的单相半波可控整流电路为例,在正弦交流电压U2的正半周期间,如果VS的控制极没有输入触发脉冲Ug,VS仍然不能导通,只有在U2处于正半周,在控制极外加触发脉冲Ug时,晶闸管被触发导通。2、通过改变控制极上触发脉冲Ug到来的时间,就可以调节负载上输出电压的平均值UL。在电工技术中,常把交流电的半个周期定为180°,称为电角度。这样,在U2的每个正半周,从零值开始到触发脉冲到来瞬间所经历的电角度称为控制角α;在每个正半周内晶闸管导通的电角度叫导通角θ。3、α和θ都是用来表示晶闸管在承受正向电压的半个周期的导通或阻断范围的。通过改变控制角α或导通角θ,改变负载上脉冲直流电压的平均值UL,实现了可控整流。扩展资料:1、可控硅从外形上分主要有螺旋式、平板式和平底式三种,螺旋式的应用较多。可控硅有三个电极---阳极(A)阴极(C)和控制极(G)。它有管芯是P型导体和N型导体交迭组成的四层结构,共有三个PN结。2、可控硅和只有一个PN结的硅整流二极度管在结构上迥然不同。可控硅的四层结构和控制极的引用,为其发挥“以小控大”的优异控制特性奠定了基础。3、在应用可控硅时,只要在控制极加上很小的电流或电压,就能控制很大的阳极电流或电压。电流容量达几百安培以至上千安培的可控硅元件。4、一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅,50安培以上的可控硅叫大功率可控硅。参考资料:百度百科-可控硅
2023-07-24 18:36:579

快速晶闸管的工作原理

快速晶闸管的结构和工作原理与普通晶闸管相同,但在设计与制造中采取了特殊措施以减少开关耗散功率。通常采用增加门极-阴极周界长度、减薄基区厚度的办法,增加初始导通面积,提高dI/dt耐量和提高扩展速度;采用阴极短路点、非对称结构、掺金、铂或用电子、快中子辐照技术等办法降低少子寿命,提高dV/dt耐量,降低关断时间。80年代,快速晶闸管已做到通态平均电流1000A,耐压2500V,关断时间30微秒。一种对工作频率有明确标定的快速晶闸管则称为高频晶闸管(中国型号为KG)。例如KG50(20kHz),表示该高频管的标称工作频率为20kHz,通态平均电流为50A(20kHz下正弦半波平均电流值)。80年代中期,中国已能生产KG100(20kHz)和KG200(10kHz),耐压为1~1.2kV的高频晶闸管。快速晶闸管采取的特殊措施,在一定程度上降低了静态特性(如升高了通态压降),故限制了它直接工作于更高频率的大功率电子设备。为满足更高频率下工作对晶闸管提出的特殊要求,开发了门极辅助关断晶闸管、可关断晶闸管等。晶闸管T在工作过程中,它的阳极A和阴极K与电源和负载连接,组成晶闸管的主电路,晶闸管的门极G和阴极K与控制晶闸管的装置连接,组成晶闸管的控制电路。晶闸管的工作条件:1. 晶闸管承受反向阳极电压时,不管门极承受和种电压,晶闸管都处于关短状态。2. 晶闸管承受正向阳极电压时,仅在门极承受正向电压的情况下晶闸管才导通。3. 晶闸管在导通情况下,只要有一定的正向阳极电压,不论门极电压如何,晶闸管保持导通,即晶闸管导通后,门极失去作用。4. 晶闸管在导通情况下,当主回路电压(或电流)减小到接近于零时,晶闸管关断。从晶闸管的内部分析工作过程:晶闸管是四层三端器件,它有J1、J2、J3三个PN结图1,可以把它中间的NP分成两部分,构成一个PNP型三极管和一个NPN型三极管的复合管图2当晶闸管承受正向阳极电压时,为使晶闸管导铜,必须使承受反向电压的PN结J2失去阻挡作用。图2中每个晶体管的集电极电流同时就是另一个晶体管的基极电流。因此,两个互相复合的晶体管电路,当有足够的门机电流Ig流入时,就会形成强烈的正反馈,造成两晶体管饱和导通,晶体管饱和导通。设PNP管和NPN管的集电极电流相应为Ic1和Ic2;发射极电流相应为Ia和Ik;电流放大系数相应为a1=Ic1/Ia和a2=Ic2/Ik,设流过J2结的反相漏电电流为Ic0,晶闸管的阳极电流等于两管的集电极电流和漏电流的总和:Ia=Ic1+Ic2+Ic0 或Ia=a1Ia+a2Ik+Ic0若门极电流为Ig,则晶闸管阴极电流为Ik=Ia+Ig从而可以得出晶闸管阳极电流为:I=(Ic0+Iga2)/(1-(a1+a2))(1—1)式硅PNP管和硅NPN管相应的电流放大系数a1和a2随其发射极电流的改变而急剧变化如图3所示。当晶闸管承受正向阳极电压,而门极未受电压的情况下,式(1—1)中,Ig=0,(a1+a2)很小,故晶闸管的阳极电流Ia≈Ic0 晶闸关处于正向阻断状态。当晶闸管在正向阳极电压下,从门极G流入电流Ig,由于足够大的Ig流经NPN管的发射结,从而提高起点流放大系数a2,产生足够大的极电极电流Ic2流过PNP管的发射结,并提高了PNP管的电流放大系数a1,产生更大的极电极电流Ic1流经NPN管的发射结。这样强烈的正反馈过程迅速进行。从图3,当a1和a2随发射极电流增加而(a1+a2)≈1时,式(1—1)中的分母1-(a1+a2)≈0,因此提高了晶闸管的阳极电流Ia.这时,流过晶闸管的电流完全由主回路的电压和回路电阻决定。晶闸管已处于正向导通状态。式(1—1)中,在晶闸管导通后,1-(a1+a2)≈0,即使此时门极电流Ig=0,晶闸管仍能保持原来的阳极电流Ia而继续导通。晶闸管在导通后,门极已失去作用。在晶闸管导通后,如果不断的减小电源电压或增大回路电阻,使阳极电流Ia减小到维持电流IH以下时,由于a1和a1迅速下降,当1-(a1+a2)≈0时,晶闸管恢复阻断状态。
2023-07-24 18:37:501

单极管,三极管,可控硅的作用分别是什么

“三极管”: 1、三个端为三个极,分别为基极、集电极、发射极。 2、简单的说,“三极管”主要具有两种功能,一种是放大作用,另一种就是开关作用。 a)、 由于制造工艺的不同,在必要条件下,较小的基极电流变化可引起较大的集电极电流变化。换句话说,它 能把微弱变化的电流转换成一定强度变化的电流,这是“三极管”的其本特性,这就是“三极管”的放大作用。 b)、 由于掺杂,光敏、热敏等特性的决定,基极电流在不同的数量范围内,其性能就发生急剧变化,可分别工作在放大、截止、饱和状态。这就是“三极管”的开关作用。 3、“三极管”还能够做成一些可独立使用的两端或三端器件,如扩流;代换;模拟等。 可控硅”: 1、三个极,分别为控制极、阳极、阴极; 2、“可控硅”是一种大功率半导体器件,它能控制较大的电流和功率,用来进行电机调速、电镀、电解、充电、励磁、恒温、调压、稳压、无触点开关、变频等作用。 3、工作原理 http://www.zbpe.com/zs/yl.html4 可控硅在自动控制控制,机电领域,工业电气及家电等方面都有广泛的应用。可控硅是一种有源开关元件,平时它保持在非道通状态,直到由一个较少的控制信号对其触发或称“点火”使其道通,一旦被点火就算撤离触发信号它也保持道通状态,要使其截止可在其阳极与阴极间加上反向电压或将流过可控硅二极管的电流减少到某一个值以下
2023-07-24 18:38:051

晶闸管的主要用途

普通晶闸管最基本的用途就是可控整流。大家熟悉的二极管整流电路属于不可控整流电路。如果把二极管换成晶闸管,就可以构成可控整流电路、逆变、电机调速、电机励磁、无触点开关及自动控制等方面。现在我画一个最简单的单相半波可控整流电路〔图4(a)〕。在正弦交流电压U2的正半周期间,如果VS的控制极没有输入触发脉冲Ug,VS仍然不能导通,只有在U2处于正半周,在控制极外加触发脉冲Ug时,晶闸管被触发导通。现在,画出它的波形图〔图4(c)及(d)〕,可以看到,只有在触发脉冲Ug到来时,负载RL上才有电压UL输出(波形图上阴影部分)。Ug到来得早,晶闸管导通的时间就早;Ug到来得晚,晶闸管导通的时间就晚。通过改变控制极上触发脉冲Ug到来的时间,就可以调节负载上输出电压的平均值UL(阴影部分的面积大小)。在电工技术中,常把交流电的半个周期定为180°,称为电角度。这样,在U2的每个正半周,从零值开始到触发脉冲到来瞬间所经历的电角度称为控制角α;在每个正半周内晶闸管导通的电角度叫导通角θ。很明显,α和θ都是用来表示晶闸管在承受正向电压的半个周期的导通或阻断范围的。通过改变控制角α或导通角θ,改变负载上脉冲直流电压的平均值UL,实现了可控整流。晶闸管晶体闸流管(英语:Thyristor),简称晶闸管,指的是具有四层交错P、N层的半导体装置。最早出现与主要的一种是硅控整流器(Silicon Controlled Rectifier,SCR),中国大陆通常简称可控硅,又称半导体控制整流器,是一种具有三个PN结的功率型半导体器件,为第一代半导体电力电子器件的代表。晶闸管的特点是具有可控的单向导电,即与一般的二极管相比,可以对导通电流进行控制。晶闸管具有以小电流(电压)控制大电流(电压)作用,并体积小、轻、功耗低、效率高、开关迅速等优点,广泛用于无触点开关、可控整流、逆变、调光、调压、调速等方面。
2023-07-24 18:38:141

晶闸管的作用是什么 说的清楚点 我不是蛮懂得谢谢

晶闸管(Thyristor)是晶体闸流管的简称,又可称做可控硅整流器,以前被简称为可控硅;1957年美国通用电器公司开发出世界上第一款晶闸管产品,并于1958年将其商业化;晶闸管是PNPN四层半导体结构,它有三个极:阳极,阴极和门极; 晶闸管具有硅整流器件的特性,能在高电压、大电流条件下工作,且其工作过程可以控制、被广泛应用于可控整流、交流调压、无触点电子开关、逆变及变频等电子电路中。 编辑本段工作原理 晶闸管T在工作过程中,它的阳极A和阴极K与电源和负载连接,组成晶闸管的主电路,晶闸管的门极G和阴极K与控制晶闸管的装置连接,组成晶闸管的控制电路。 晶闸管的工作条件: 1. 晶闸管承受反向阳极电压时,不管门极承受何种电压,晶闸管都处于关断状态。 2. 晶闸管承受正向阳极电压时,仅在门极承受正向电压的情况下晶闸管才导通。 3. 晶闸管在导通情况下,只要有一定的正向阳极电压,不论门极电压如何,晶闸管保持导通,即晶闸管导通后,门极失去作用。 4. 晶闸管在导通情况下,当主回路电压(或电流)减小到接近于零时,晶闸管关断。
2023-07-24 18:38:391

晶闸管的原理及特性?

晶闸管工作条件为:加正向电压且门极有触发电流;其派生器件有:快速晶闸管,双向晶闸管,逆导晶闸管,光控晶闸管等。它是一种大功率开关型半导体器件,在电路中用文字符号为“V”、“VT”表示(旧标准中用字母“SCR”表示)。晶闸管T在工作过程中,它的阳极(A)和阴极(K)与电源和负载连接,组成晶闸管的主电路,晶闸管的门极G和阴极K与控制晶闸管的装置连接,组成晶闸管的控制电路。  晶闸管的工作条件:  ⒈晶闸管承受反向阳极电压时,不管门极承受何种电压,晶闸管都处于反向阻断状态  ⒉晶闸管承受正向阳极电压时,仅在门极承受正向电压的情况下晶闸管才导通。这时晶闸管处于正向导通状态,这就是晶闸管的闸流特性,即可控特性.  ⒊晶闸管在导通情况下,只要有一定的正向阳极电压,不论门极电压如何,晶闸管保持导通,即晶闸管导通后,门极失去作用。门极只起触发作用  ⒋晶闸管在导通情况下,当主回路电压(或电流)减小到接近于零时,晶闸管关断。
2023-07-24 18:38:491

什么是可控硅,有什么作用

  可控硅:是可控硅整流元件的简称,是一种具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件,亦称为晶闸管。  可控硅具有体积小、结构相对简单、功能强等特点,是比较常用的半导体器件之一。该器件被广泛应用于各种电子设备和电子产品中,多用来作可控整流、逆变、变频、调压、无触点开关等。家用电器中的调光灯、调速风扇、空调机、电视机、电冰箱、洗衣机、照相机、组合音响、声光电路、定时控制器、玩具装置、无线电遥控、摄像机及工业控制等都大量使用了可控硅器件。
2023-07-24 18:39:121

什么情况会让晶闸管导通?

加正向电压且门极有触发电流。晶闸管在工作过程中,它的阳极(A)和阴极(K)与电源和负载连接,组成晶闸管的主电路,晶闸管的门极G和阴极K与控制晶闸管的装置连接,组成晶闸管的控制电路。晶闸管承受反向阳极电压时,不管门极承受何种电压,晶闸管都处于反向阻断状态。晶闸管承受正向阳极电压时,仅在门极承受正向电压的情况下晶闸管才导通。这时晶闸管处于正向导通状态,这就是晶闸管的闸流特性,即可控特性。晶闸管在导通情况下,只要有一定的正向阳极电压,不论门极电压如何,晶闸管保持导通,即晶闸管导通后,门极失去作用。门极只起触发作用。晶闸管在导通情况下,当主回路电压(或电流)减小到接近于零时,晶闸管关断。扩展资料:晶闸管承受反向阳极电压时,不管门极承受何种电压,晶闸管都处于反向阻断状态。晶闸管承受正向阳极电压时,仅在门极承受正向电压(或电流)的情况下晶闸管才导通。这时晶闸管处于正向导通状态。一旦晶闸管开始导通,它就被钳住在导通状态,而此时门极电流可以取消。晶闸管不能被门极关断,像一个二极管一样导通,直到电流降至零和有反向偏置电压作用在晶闸管上时,它才会截止。当晶闸管再次进入正向阻断状态后,允许门极在某个可控的时刻将晶闸管再次触发导通。
2023-07-24 18:39:201

请问一下双向晶闸管的作用啊?

你好:——★双向晶闸管就是双向可控硅。双向晶闸管的作用是利用(交流电的)正、反向导通角度,来达到调节输出电压、或调速的作用。
2023-07-24 18:39:341

晶闸管是如何导通和关断的?

晶闸管导通的条件是其触发极有一定的电位,维持晶闸管导通的条件是其电流不能小于最低维持电流!加反压或使其电流低于维持电流能使晶闸管由导通变为关断。维持晶闸管导通的条件是,晶闸管在导通情况下,只要有一定的正向阳极电压,不论门极电压如何,晶闸管保持导通,即晶闸管导通后,门极失去作用。  减小正向阳极电压至一个数值一下,或加反向阳极电压就可以使晶闸管由导通变为关断。扩展资料:晶闸管按其封装形式可分为金属封装晶闸管、塑封晶闸管和陶瓷封装晶闸管三种类型。其中,金属封装晶闸管又分为螺栓形、平板形、圆壳形等多种;塑封晶闸管又分为带散热片型和不带散热片型两种。晶闸管按电流容量可分为大功率晶闸管、中功率晶闸管和小功率晶闸管三种。通常,大功率晶闸管多采用金属壳封装,而中、小功率晶闸管则多采用塑封或陶瓷封装。参考资料来源:百度百科-晶体闸流管
2023-07-24 18:39:541

二极管,可控硅,IGBT有什么区别?

二极管不用说了吧,单向导通,可以实现整流;可控硅也叫晶闸管,分双向和单向,单向可控硅也是单向导通,可以实现整流,但它通过控制导通角可以实现可控整流程IGBT:绝缘栅场效应晶体管,作用类似三极管,但在这里当开关管用(不能用于放大状态),通过控制G极可以实现C,E两端的通断。一般可用在逆变回路中。
2023-07-24 18:40:111

晶闸管的原理是什么,它在电路中有那些作用。

晶闸管调光电路的工作原理v6、r2、r3、r4、np、c组成单结晶体管的张弛振荡器。在接通电源前,电容c上电压为零;接通电源后,电容经由r4、rp充电使电压uc逐渐升高。当电容两端电压uc达到峰点电压时,e—b1间变成导通,电容上电压经e—b1向电阻r3放电,在r3上输出一个脉冲电压。随着c的放电,uc很快下降,放电电流也迅速衰减。当uc降到谷点电压后,管子恢复了阻断。由于r4、rp的电阻值较大,当电容上的电压降到谷点电压时,电流小于谷点电流,不能满足导通要求,于是单结晶体管恢复阻断状态。此后,电容又重新充电,重复上述过程,结果在电容上形成锯齿状电压,在r3上形成脉冲电压。在交流电压的每个半周期内,单结晶体管都将输出一组脉冲,起作用的第一个脉冲去触发v5的控制极,使晶闸管导通,灯泡发光。改变rp的电阻值,可以改变电容充电的快慢,即改变锯齿波的振荡频率。从而改变晶闸管v5的导通角大小,即改变了可控整流电路的直流平均输出电压,达到调节灯泡亮度的目的。
2023-07-24 18:40:201

单向晶闸管,单结晶体管,稳压管在电路中的作用和导通条件

单向晶闸管导通条件:大于峰点电压时导通,小于谷底电压时截止。单结晶体管的作用:作为调压开关。稳压管作用:把电压稳定在8V上。
2023-07-24 18:40:452

晶闸管的原理及特性?

 晶闸管工作条件为:加正向电压且门极有触发电流;其派生器件有:快速晶闸管,双向晶闸管,逆导晶闸管,光控晶闸管等。它是一种大功率开关型半导体器件,在电路中用文字符号为“V”、“VT”表示(旧标准中用字母“SCR”表示)。 晶闸管T在工作过程中,它的阳极(A)和阴极(K)与电源和负载连接,组成晶闸管的主电路,晶闸管的门极G和阴极K与控制晶闸管的装置连接,组成晶闸管的控制电路。  晶闸管的工作条件:  ⒈ 晶闸管承受反向阳极电压时,不管门极承受何种电压,晶闸管都处于反向阻断状态  ⒉ 晶闸管承受正向阳极电压时,仅在门极承受正向电压的情况下晶闸管才导通。这时晶闸管处于正向导通状态,这就是晶闸管的闸流特性,即可控特性.  ⒊ 晶闸管在导通情况下,只要有一定的正向阳极电压,不论门极电压如何,晶闸管保持导通,即晶闸管导通后,门极失去作用。门极只起触发作用  ⒋ 晶闸管在导通情况下,当主回路电压(或电流)减小到接近于零时,晶闸管关断。
2023-07-24 18:40:552

什么是可控硅,其工作原理是什么?

可控硅是P1N1P2N2四层三端结构元件,共有三个PN结,分析原理时,可以把它看作由一个PNP管和一个NPN管所组成。 当阳极A加上正向电压时,BG1和BG2管均处于放大状态。此时,如果从控制极G输入一个正向触发信号,BG2便有基流ib2流过,经BG2放大,其集电极电流ic2=β2ib2。因为BG2的集电极直接与BG1的基极相连,所以ib1=ic2。此时,电流ic2再经BG1放大,于是BG1的集电极电流ic1=β1ib1=β1β2ib2。这个电流又流回到BG2的基极,表成正反馈,使ib2不断增大,如此正向馈循环的结果,两个管子的电流剧增,可控硅使饱和导通。 由于BG1和BG2所构成的正反馈作用,所以一旦可控硅导通后,即使控制极G的电流消失了,可控硅仍然能够维持导通状态,由于触发信号只起触发作用,没有关断功能,所以这种可控硅是不可关断的。 由于可控硅只有导通和关断两种工作状态,所以它具有开关特性,这种特性需要一定的条件才能转化,条件如下: A、从关断到导通 1、阳极电位高于是阴极电位,2、控制极有足够的正向电压和电流,两者缺一不可。 B、维持导通 1、阳极电位高于阴极电位,2、阳极电流大于维持电流,两者缺一不可。 C、从导通到关断 1、阳极电位低于阴极电位,2、阳极电流小于维持电流,任一条件即可 http://www.netsun.com/comments/biz-146445.1.html http://my.sme.cn/jsp/main/module/news/news_view.jsp?corp_id=20050311152203&ch_id=20050311160110&news_id=20050402093937 工作特性http://www.kkg.com.cn/news/news.asp?new_id=335
2023-07-24 18:41:032

全控整流电路中晶闸管的作用是什么?

晶闸管又叫可控硅。提到可控硅模块,人们都会想到它是一种类似于二极管的东西,但是详细作用往往不是特别了解,尤其是在电路中的作用更是知之甚少,下面就详细讲解可控硅模块在电路中的作用。可控硅在电路中的作用一般有两种,主要是可控整流和无触点开关。
2023-07-24 18:41:182

可控硅的用途是什么

 可控硅,英文名称为Silicon Controlled Rectifier,简写为SCR,是可控硅整流元件的简称,有时也将其称为晶闸管。可控硅是一个具有三个PN结、四层结构的大功率半导体器件,具有体积小、结构简单、功能强、抗高压的特点,现已广泛应用于电视机、电冰箱、无线电遥控、摄像机、定时控制器等设备中。可控硅的作用一:可控整流作用可控硅的作用之一就是可控整流,这也是可控硅最基本也最重要的作用。大家所熟知的二极管整流电路只可完成整流的功能,并没有实现可控,而一旦把二极管换做可控硅,便构成了一个可控整流电路。一个最基本的单相半波可控整流电路中,当正弦交流电压处于正半周时,只有在控制极外加触发脉冲时,可控硅才被触发导通,负载上才会有电压输出,因此可以通过改变控制极上触发脉冲到来的时间,来进一步调节负载上输出电压的平均值,达到可控整流的作用。可控硅的作用二:用作无触点开关可控硅的作用之二就是用作无触点开关,经常用于自动化设备中,代替通用继电器,具有无噪音、寿命长的特点。可控硅的作用三:开关和调压作用可控硅的作用之三就是起到开关和调压的作用,经常应用于交流电路中,由于其被触发时间不同,因此通过它的电流只有其交流周期的一部分,通过它的电压只有全电压的一部分,因而起到调节输出电压的作用。
2023-07-24 18:41:272

三极管,二极管,电容,晶闸管,可控硅等元器件有什么作用,特性?

二极管:单向导电性;三极管:又称晶体管,具有电流放大作用;电容:存储元件;晶闸管:也具有单向导电性,但它的单向导电性是可控的或者说是有条件的,因此晶闸管又称可控硅
2023-07-24 18:41:351

单向晶闸管和双向晶闸管的作用和区别

它们的用途不同。单向晶闸管用于直流电路,双向晶闸管用于交流电路。
2023-07-24 18:41:442

晶闸管的工作原理

晶闸管的工作原理有双向导通性能、触发控制性能等等。1、双向导通性能晶闸管能够在两个方向上导通电流。这是因为晶闸管中存在两个与之相对应的PN结,被称为正向PN结和反向PN结。正向PN结具有导通电流的性能,而反向PN结则具有阻断电流的特性。2、触发控制性能晶闸管的导通状态需要外部的触发信号来激活。触发信号的作用是改变晶体管中存在的PN结的电荷分布,从而使得导通条件得到满足。触发信号的大小和形态,可以通过外部电路来控制晶闸管的导通。晶闸管为半控型电力电子器件,它的工作条件如下:1、晶闸管承受反向阳极电压时,不管门极承受何种电压,晶闸管都处于反向阻断状态。2、晶闸管承受正向阳极电压时,仅在门极承受正向电压的情况下晶闸管才导通。这时晶闸管处于正向导通状态,这就是晶闸管的闸流特性,即可控特性。3、晶闸管在导通情况下,只要有一定的正向阳极电压,不论门极电压如何,晶闸管保持导通,即晶闸管导通后,门极失去作用。门极只起触发作用。4、晶闸管在导通情况下,当主回路电压(或电流)减小到接近于零时,晶闸管关断。以上内容参考:百度百科-普通晶闸管
2023-07-24 18:41:531

晶闸管整流器的晶闸管整流器的作用

晶闸管整流器具有开环控制、恒流控制、恒功率控制等多种工作方式。强大的通讯功能(标准 Modbus RTU 通讯协议),方便联机进行网络控制。短路保护、过流保护、超温保护、电流限制、电压限制、缺相保护、负载断线等完善的自我保护和自我诊断功能,确保设备长期、稳定可靠运行。
2023-07-24 18:42:211

为什么说晶闸管具有“弱电控制强电”的作用?

因为晶闸管的通断是通过门极和阴极的电压来控制通断的。而门极和阴极的电压都是低压的。而阴极和阳极流过的却是大电流和高电压。所以说晶闸管有弱电控制强电的作用
2023-07-24 18:42:363

晶闸管的用途是什么?

一、晶闸管是晶体闸流管的简称,又可称做可控硅整流器,以前被简称为可控硅;1957年美国通用电气公司开发出世界上第一款晶闸管产品,并于1958年将其商业化;晶闸管是PNPN四层半导体结构,它有三个极:阳极,阴极和门极; 晶闸管具有硅整流器件的特性,能在高电压、大电流条件下工作,且其工作过程可以控制、被广泛应用于可控整流、交流调压、无触点电子开关、逆变及变频等电子电路中。二、用途:晶闸管的特点是具有可控的单向导电,即与一般的二极管相比,可以对导通电流进行控制。晶闸管具有以小电流(电压)控制大电流(电压)作用,并体积小、轻、功耗低、效率高、开关迅速等优点,广泛用于无触点开关、可控整流、逆变、调光、调压、调速等方面。
2023-07-24 18:42:593

晶闸管的用途是什么?

一、晶闸管是晶体闸流管的简称,又可称做可控硅整流器,以前被简称为可控硅;1957年美国通用电气公司开发出世界上第一款晶闸管产品,并于1958年将其商业化;晶闸管是PNPN四层半导体结构,它有三个极:阳极,阴极和门极;晶闸管具有硅整流器件的特性,能在高电压、大电流条件下工作,且其工作过程可以控制、被广泛应用于可控整流、交流调压、无触点电子开关、逆变及变频等电子电路中。二、用途:晶闸管的特点是具有可控的单向导电,即与一般的二极管相比,可以对导通电流进行控制。晶闸管具有以小电流(电压)控制大电流(电压)作用,并体积小、轻、功耗低、效率高、开关迅速等优点,广泛用于无触点开关、可控整流、逆变、调光、调压、调速等方面。
2023-07-24 18:43:221

晶闸管的作用是什么?其工作原理有哪些

作用:可控的导电开关,与二极管相比,不同之处是正向导通首控制极电流控制。工作原理:在整流电路中,晶闸管在承受正向电压的时间内,改变触发脉冲的输入时刻,即改变控制角的大小,在负载上可得到不同数值的直流电压,因而控制了输出电压的大小。晶闸管导通的条件是阳极承受正向电压,处于阻断状态的晶闸管,只有在门极加正向触发电压,才能使其导通。门极所加正向触发脉冲的最小宽度,应能使阳极电流达到维持通态所需要的最小阳极电流,即擎住电流IL以上。导通后的晶闸管管压降很小。补充:晶闸管导通条件为:加正向电压且门极有触发电流;其派生器件有:快速晶闸管,双向晶闸管,逆导晶闸管,光控晶闸管等。它是一种大功率开关型半导体器件,在电路中用文字符号为“V”、“VT”表示(旧标准中用字母“SCR”表示)。晶闸管(Thyristor)是一种开关元件,能在高电压、大电流条件下工作,并且其工作过程可以控制、被广泛应用于可控整流、交流调压、无触点电子开关、逆变及变频等电子电路中,是典型的小电流控制大电流的设备。1957年,美国通用电器公司开发出世界上第一个晶闸管产品,并于1958年使其商业化。
2023-07-24 18:43:341

晶闸管的作用

  晶闸管的作用:  1.检查触发能力;  2.检查关断能力。  晶闸管(Thyristor)是晶体闸流管的简称,又可称做可控硅整流器,以前被简称为可控硅;1957年美国通用电气公司开发出世界上第一款晶闸管产品,并于1958年将其商业化;晶闸管是PNPN四层半导体结构,它有三个极:阳极,阴极和门极; 晶闸管具有硅整流器件的特性,能在高电压、大电流条件下工作,且其工作过程可以控制、被广泛应用于可控整流、交流调压、无触点电子开关、逆变及变频等电子电路中。
2023-07-24 18:43:454

晶闸管的主要作用是什么?

作用:可控的导电开关,与二极管相比,不同之处是正向导通首控制极电流控制。晶闸管在电路中的主要作用是实现可控整流。当在晶闸管的阴极和阳极间加上正向电压而控制极不加任何信号时,晶闸管处于关断状态。如果在控制极和阴极之间加上一个正向的小电压,则晶闸管将导通,此时即使撤走控制信号,晶闸管仍能保持导通,除非断开阳极电源回路或将阳极电流降低到小于晶闸管的维持电流。通常情况下,触发晶闸管所需的电流等于流过晶闸管电流的1/100~1/1000。这意味着,当将晶闸管串联在弧焊变压器的次级绕组及焊接电缆上后,它不但能将交流变成直流,在相应的电子装置的配合下还能控制焊接电流的大小。晶闸管只有两种工作状态,即导通和截止,只能通过调节晶闸管的导通点(触发角)来调节电流的大小,图2给出了电阻性负载的单相桥式可控整流电路中在不同时刻触发晶闸管的输出波形。晶闸管的导通时刻越早,向负载输出的功率越大。扩展资料:晶闸管在工作过程中,它的阳极(A)和阴极(K)与电源和负载连接,组成晶闸管的主电路,晶闸管的门极G和阴极K与控制晶闸管的装置连接,组成晶闸管的控制电路。晶闸管为半控型电力电子器件,它的工作条件如下:1. 晶闸管承受反向阳极电压时,不管门极承受何种电压,晶闸管都处于反向阻断状态。2. 晶闸管承受正向阳极电压时,仅在门极承受正向电压的情况下晶闸管才导通。这时晶闸管处于正向导通状态,这就是晶闸管的闸流特性,即可控特性。3. 晶闸管在导通情况下,只要有一定的正向阳极电压,不论门极电压如何,晶闸管保持导通,即晶闸管导通后,门极失去作用。门极只起触发作用。4. 晶闸管在导通情况下,当主回路电压(或电流)减小到接近于零时,晶闸管关断。参考资料:百度百科——晶闸管
2023-07-24 18:44:053

晶闸管的作用是什么?其工作原理有哪些?

晶闸管作用:可控的导电开关,与二极管相比,不同之处是正向导通首控制极电流控制。工作原理:在整流电路中,晶闸管在承受正向电压的时间内,改变触发脉冲的输入时刻,即改变控制角的大小,在负载上可得到不同数值的直流电压,因而控制了输出电压的大小。晶闸管导通的条件是阳极承受正向电压,处于阻断状态的晶闸管,只有在门极加正向触发电压,才能使其导通。门极所加正向触发脉冲的最小宽度,应能使阳极电流达到维持通态所需要的最小阳极电流,即擎住电流IL以上。导通后的晶闸管管压降很小。晶闸管(Thyristor)是晶体闸流管的简称,又被称做可控硅整流器,以前被简称为可控硅;1957年美国通用电气公司开发出世界上第一款晶闸管产品,并于1958年将其商业化。晶闸管是PNPN四层半导体结构,它有三个极:阳极,阴极和控制极; 晶闸管具有硅整流器件的特性,能在高电压、大电流条件下工作,且其工作过程可以控制、被广泛应用于可控整流、交流调压、无触点电子开关、逆变及变频等电子电路中。
2023-07-24 18:44:202

请问晶闸管的作用是什么?其工作原理是什么?

作用:可控的导电开关,与二极管相比,不同之处是正向导通首控制极电流控制。工作原理: 在整流电路中,晶闸管在承受正向电压的时间内,改变触发脉冲的输入时刻,即改变控制角的大小,在负载上可得到不同数值的直流电压,因而控制了输出电压的大小。 晶闸管导通的条件是阳极承受正向电压,处于阻断状态的晶闸管,只有在门极加正向触发电压,才能使其导通。门极所加正向触发脉冲的最小宽度,应能使阳极电流达到维持通态所需要的最小阳极电流,即擎住电流IL以上。导通后的晶闸管管压降很小。补充:晶闸管导通条件为:加正向电压且门极有触发电流;其派生器件有:快速晶闸管,双向晶闸管,逆导晶闸管,光控晶闸管等。它是一种大功率开关型半导体器件,在电路中用文字符号为“V”、“VT”表示(旧标准中用字母“SCR”表示)。晶闸管(Thyristor)是一种开关元件,能在高电压、大电流条件下工作,并且其工作过程可以控制、被广泛应用于可控整流、交流调压、无触点电子开关、逆变及变频等电子电路中,是典型的小电流控制大电流的设备。1957年,美国通用电器公司开发出世界上第一个晶闸管产品,并于1958年使其商业化。
2023-07-24 18:44:444

晶闸管的作用是什么?其工作原理有哪些?

作用:可控的导电开关,与二极管相比,不同之处是正向导通首控制极电流控制。工作原理: 在整流电路中,晶闸管在承受正向电压的时间内,改变触发脉冲的输入时刻,即改变控制角的大小,在负载上可得到不同数值的直流电压,因而控制了输出电压的大小。 晶闸管导通的条件是阳极承受正向电压,处于阻断状态的晶闸管,只有在门极加正向触发电压,才能使其导通。门极所加正向触发脉冲的最小宽度,应能使阳极电流达到维持通态所需要的最小阳极电流,即擎住电流IL以上。导通后的晶闸管管压降很小。补充:晶闸管导通条件为:加正向电压且门极有触发电流;其派生器件有:快速晶闸管,双向晶闸管,逆导晶闸管,光控晶闸管等。它是一种大功率开关型半导体器件,在电路中用文字符号为“V”、“VT”表示(旧标准中用字母“SCR”表示)。晶闸管(Thyristor)是一种开关元件,能在高电压、大电流条件下工作,并且其工作过程可以控制、被广泛应用于可控整流、交流调压、无触点电子开关、逆变及变频等电子电路中,是典型的小电流控制大电流的设备。1957年,美国通用电器公司开发出世界上第一个晶闸管产品,并于1958年使其商业化。
2023-07-24 18:45:041

晶闸管阻断时,其可能承受的电压大小决定于什么

  晶闸管所承受电压是由它本身生产工艺而定的,一般各型号的晶闸管都有它的耐压值,而且是指它的峰值耐压。这可查阅有关手册。使用它的时候一般取它的一半耐压值就可以了,如果电路是100V,那么选择管子时只能选耐压超过200V的。  晶闸管:晶体闸流管(英语:Thyristor),简称晶闸管,指的是具有四层交错P、N层的半导体装置。最早出现与主要的一种是硅控整流器(Silicon Controlled Rectifier,SCR),中国大陆通常简称可控硅,又称半导体控制整流器,是一种具有三个PN结的功率型半导体器件,为第一代半导体电力电子器件的代表。晶闸管的特点是具有可控的单向导电,即与一般的二极管相比,可以对导通电流进行控制。晶闸管具有以小电流(电压)控制大电流(电压)作用,并体积小、轻、功耗低、效率高、开关迅速等优点,广泛用于无触点开关、可控整流、逆变、调光、调压、调速等方面。
2023-07-24 18:46:491

什么是晶闸管,工作原理是什么

晶闸管(Thyristor)是晶体闸流管的简称,又被称做可控硅整流器,以前被简称为可控硅;1957年美国通用电气公司开发出世界上第一款晶闸管产品,并于1958年将其商业化;晶闸管是PNPN四层半导体结构,它有三个极:阳极,阴极和控制极; 晶闸管具有硅整流器件的特性,能在高电压、大电流条件下工作,且其工作过程可以控制、被广泛应用于可控整流、交流调压、无触点电子开关、逆变及变频等电子电路中。工作原理:晶闸管在工作过程中,它的阳极(A)和阴极(K)与电源和负载连接,组成晶闸管的主电路,晶闸管的门极G和阴极K与控制晶闸管的装置连接,组成晶闸管的控制电路。晶闸管为半控型电力电子器件,它的工作条件如下:1. 晶闸管承受反向阳极电压时,不管门极承受何种电压,晶闸管都处于反向阻断状态。2. 晶闸管承受正向阳极电压时,仅在门极承受正向电压的情况下晶闸管才导通。这时晶闸管处于正向导通状态,这就是晶闸管的闸流特性,即可控特性。3. 晶闸管在导通情况下,只要有一定的正向阳极电压,不论门极电压如何,晶闸管保持导通,即晶闸管导通后,门极失去作用。门极只起触发作用。4. 晶闸管在导通情况下,当主回路电压(或电流)减小到接近于零时,晶闸管关断。参考百科词条:晶闸管
2023-07-24 18:46:592

请问单极管,三极管,可控硅的作用分别是什么

三极管的工作原理三极管是一种控制元件,主要用来控制电流的大小,以共发射极接法为例(信号从基极输入,从集电极输出,发射极接地),当基极电压UB有一个微小的变化时,基极电流IB也会随之有一小的变化,受基极电流IB的控制,集电极电流IC会有一个很大的变化,基极电流IB越大,集电极电流IC也越大,反之,基极电流越小,集电极电流也越小,即基极电流控制集电极电流的变化。但是集电极电流的变化比基极电流的变化大得多,这就是三极管的放大作用。IC 的变化量与IB变化量之比叫做三极管的放大倍数β(β=ΔIC/ΔIB, Δ表示变化量。),三极管的放大倍数β一般在几十到几百倍。三极管在放大信号时,首先要进入导通状态,即要先建立合适的静态工作点,也叫 建立偏置 ,否则会放大失真。在三极管的集电极与电源之间接一个电阻,可将电流放大转换成电压放大:当基极电压UB升高时,IB变大,IC也变大,IC 在集电极电阻RC的压降也越大,所以三极管集电极电压UC会降低,且UB越高,UC就越低,ΔUC=ΔUB。仅供参考,请参考有关书籍。可控硅也称作晶闸管,它是由PNPN四层半导体构成的元件,有三个电极,阳极A,阴极K和控制极G 。可控硅在电路中能够实现交流电的无触点控制,以小电流控制大电流,并且不像继电器那样控制时有火花产生。可控硅动作快、寿命长、可靠性好。在调速、调光、调压、调温以及其他各种控制电路中都有它的身影。可控硅分为单向的和双向的,符号也不同。单向可控硅有三个PN结,由最外层的P极和N极引出两个电极,分别称为阳极和阴极,由中间的P极引出一个控制极。单向可控硅有其独特的特性:当阳极接反向电压,或者阳极接正向电压但控制极不加电压时,它都不导通,而阳极和控制极同时接正向电压时,它就会变成导通状态。一旦导通,控制电压便失去了对它的控制作用,不论有没有控制电压,也不论控制电压的极性如何,将一直处于导通状态。要想关断,只有把阳极电压降低到某一临界值或者反向。双向可控硅的引脚多数是按T1、T2、G的顺序从左至右排列(电极引脚向下,面对有字符的一面时)。加在控制极G上的触发脉冲的大小或时间改变时,就能改变其导通电流的大小。与单向可控硅的区别是,双向可控硅G极上触发脉冲的极性改变时,其导通方向就随着极性的变化而改变,从 而能够控制交流电负载。而单向可控硅经触发后只能从阳极向阴极单方向导通,所以可控硅有单双向之分。电子制作中常用可控硅,单向的有MCR-100等,双向的有TLC336.
2023-07-24 18:47:081

晶闸管在开关电路中的作用是什么?

可控硅双叫晶闸管,只要是在阳极A与阴极K之间外加正向电压、它的控制极G与阴极K之间输入一个正向触发电压。它就会导通后,即使去掉触发电压,仍然维持导通状态。所以我们称它为“一触即发”。另外还有一个特点,控制了导通角,它导通的量也变化,就像我们把水龙头拧小些,水流量就小,拧大些水流量就大。 可控硅的用途非常广:整流、逆变、变频、调压、无触点开关等。家用电器中的调光灯、调速风扇、空调机、电视机、电冰箱、洗衣机、照相机、组合音响、声光电路、定时控制器、玩具装置、无线电遥控、摄像机及工业控制等都大量使用了可控硅器件。参考资料:http://baike.baidu.com/view/685100.htm
2023-07-24 18:47:183

晶闸管调压模块的作用是什么?

晶闸管(Thyristor)是晶体闸流管的简称,又可称做可控硅整流器,以前被简称为可控硅;1957年美国通用电器公司开发出世界上第一晶闸管产品,并于1958年使其商业化;晶闸管是PNPN四层半导体结构,它有三个极:阳极,阴极和门极;晶闸管工作条件为:加正向电压且门极有触发电流;其派生器件有:快速晶闸管,双向晶闸管,逆导晶闸管,光控晶闸管等。它是一种大功率开关型半导体器件,在电路中用文字符号为“V”、“VT”表示(旧标准中用字母“SCR”表示)。 晶闸管具有硅整流器件的特性,能在高电压、大电流条件下工作,且其工作过程可以控制、被广泛应用于可控整流、交流调压、无触点电子开关、逆变及变频等电子电路中。 晶闸管的种类 晶闸管有多种分类方法。 (一)按关断、导通及控制方式分类 晶闸管按其关断、导通及控制方式可分为普通晶闸管、双向晶闸管、逆导晶闸管、门极关断晶闸管(GTO)、BTG晶闸管、温控晶闸管和光控晶闸管等多种。 (二)按引脚和极性分类 晶闸管按其引脚和极性可分为二极晶闸管、三极晶闸管和四极晶闸管。 (三)按封装形式分类 晶闸管按其封装形式可分为金属封装晶闸管、塑封晶闸管和陶瓷封装晶闸管三种类型。其中,金属封装晶闸管又分为螺栓形、平板形、圆壳形等多种;塑封晶闸管又分为带散热片型和不带散热片型两种。 (四)按电流容量分类 晶闸管按电流容量可分为大功率晶闸管、中功率晶闸管和小功率晶闸管三种。通常,大功率晶闸管多采用金属壳封装,而中、小功率晶闸管则多采用塑封或陶瓷封装。 (五)按关断速度分类 晶闸管按其关断速度可分为普通晶闸管和高频(快速)晶闸管。晶闸管的工作原理晶闸管T在工作过程中,它的阳极A和阴极K与电源和负载连接,组成晶闸管的主电路,晶闸管的门极G和阴极K与控制晶闸管的装置连接,组成晶闸管的控制电路。晶闸管的工作条件:1. 晶闸管承受反向阳极电压时,不管门极承受和种电压,晶闸管都处于关短状态。2. 晶闸管承受正向阳极电压时,仅在门极承受正向电压的情况下晶闸管才导通。3. 晶闸管在导通情况下,只要有一定的正向阳极电压,不论门极电压如何,晶闸管保持导通,即晶闸管导通后,门极失去作用。4. 晶闸管在导通情况下,当主回路电压(或电流)减小到接近于零时,晶闸管关断。从晶闸管的内部分析工作过程:晶闸管是四层三端器件,它有J1、J2、J3三个PN结图1,可以把它中间的NP分成两部分,构成一个PNP型三极管和一个NPN型三极管的复合管图2当晶闸管承受正向阳极电压时,为使晶闸管导铜,必须使承受反向电压的PN结J2失去阻挡作用。图2中每个晶体管的集电极电流同时就是另一个晶体管的基极电流。因此,两个互相复合的晶体管电路,当有足够的门机电流Ig流入时,就会形成强烈的正反馈,造成两晶体管饱和导通,晶体管饱和导通。设PNP管和NPN管的集电极电流相应为Ic1和Ic2;发射极电流相应为Ia和Ik;电流放大系数相应为a1=Ic1/Ia和a2=Ic2/Ik,设流过J2结的反相漏电电流为Ic0,晶闸管的阳极电流等于两管的集电极电流和漏电流的总和:Ia=Ic1+Ic2+Ic0 或Ia=a1Ia+a2Ik+Ic0若门极电流为Ig,则晶闸管阴极电流为Ik=Ia+Ig从而可以得出晶闸管阳极电流为:I=(Ic0+Iga2)/(1-(a1+a2))(1—1)式硅PNP管和硅NPN管相应的电流放大系数a1和a2随其发射极电流的改变而急剧变化如图3所示。当晶闸管承受正向阳极电压,而门极未受电压的情况下,式(1—1)中,Ig=0,(a1+a2)很小,故晶闸管的阳极电流Ia≈Ic0 晶闸关处于正向阻断状态。当晶闸管在正向阳极电压下,从门极G流入电流Ig,由于足够大的Ig流经NPN管的发射结,从而提高起点流放大系数a2,产生足够大的极电极电流Ic2流过PNP管的发射结,并提高了PNP管的电流放大系数a1,产生更大的极电极电流Ic1流经NPN管的发射结。这样强烈的正反馈过程迅速进行。从图3,当a1和a2随发射极电流增加而(a1+a2)≈1时,式(1—1)中的分母1-(a1+a2)≈0,因此提高了晶闸管的阳极电流Ia.这时,流过晶闸管的电流完全由主回路的电压和回路电阻决定。晶闸管已处于正向导通状态。式(1—1)中,在晶闸管导通后,1-(a1+a2)≈0,即使此时门极电流Ig=0,晶闸管仍能保持原来的阳极电流Ia而继续导通。晶闸管在导通后,门极已失去作用。在晶闸管导通后,如果不断的减小电源电压或增大回路电阻,使阳极电流Ia减小到维持电流IH以下时,由于a1和a1迅速下降,当1-(a1+a2)≈0时,晶闸管恢复阻断状态。可关断晶闸管GTO(Gate Turn-Off Thyristor)亦称门控晶闸管。其主要特点为,当门极加负向触发信号时晶闸管能自行关断。前已述及,普通晶闸管(SCR)靠门极正信号触发之后,撤掉信号亦能维持通态。欲使之关断,必须切断电源,使正向电流低于维持电流IH,或施以反向电压强近关断。这就需要增加换向电路,不仅使设备的体积重量增大,而且会降低效率,产生波形失真和噪声。可关断晶闸管克服了上述缺陷,它既保留了普通晶闸管耐压高、电流大等优点,以具有自关断能力,使用方便,是理想的高压、大电流开关器件。GTO的容量及使用寿命均超过巨型晶体管(GTR),只是工作频纺比GTR低。目前,GTO已达到3000A、4500V的容量。大功率可关断晶闸管已广泛用于斩波调速、变频调速、逆变电源等领域,显示出强大的生命力。可关断晶闸管也属于PNPN四层三端器件,其结构及等效电路和普通晶闸管相同,因此图1仅绘出GTO典型产品的外形及符号。大功率GTO大都制成模块形式。尽管GTO与SCR的触发导通原理相同,但二者的关断原理及关断方式截然不同。这是由于普通晶闸管在导通之后即外于深度饱和状态,而GTO在导通后只能达到临界饱和,所以GTO门极上加负向触发信号即可关断。GTO的一个重要参数就是关断增益,βoff,它等于阳极最大可关断电流IATM与门极最大负向电流IGM之比,有公式βoff =IATM/IGM βoff一般为几倍至几十倍。βoff值愈大,说明门极电流对阳极电流的控制能力愈强。很显然,βoff与昌盛 的hFE参数颇有相似之处。下面分别介绍利用万用表判定GTO电极、检查GTO的触发能力和关断能力、估测关断增益βoff的方法。1.判定GTO的电极将万用表拨至R×1档,测量任意两脚间的电阻,仅当黑表笔接G极,红表笔接K极时,电阻呈低阻值,对其它情况电阻值均为无穷大。由此可迅速判定G、K极,剩下的就是A极。2.检查触发能力如图2(a)所示,首先将表Ⅰ的黑表笔接A极,红表笔接K极,电阻为无穷大;然后用黑表笔尖也同时接触G极,加上正向触发信号,表针向右偏转到低阻值即表明GTO已经导通;最后脱开G极,只要GTO维持通态,就说明被测管具有触发能力。3.检查关断能力现采用双表法检查GTO的关断能力,如图2(b)所示,表Ⅰ的档位及接法保持不变。将表Ⅱ拨于R×10档,红表笔接G极,黑表笔接K极,施以负向触发信号,如果表Ⅰ的指针向左摆到无穷大位置,证明GTO具有关断能力。4.估测关断增益βoff进行到第3步时,先不接入表Ⅱ,记下在GTO导通时表Ⅰ的正向偏转格数n1;再接上表Ⅱ强迫GTO关断,记下表Ⅱ的正向偏转格数n2。最后根据读取电流法按下式估算关断增益:βoff=IATM/IGM≈IAT/IG=K1n1/ K2n2 式中K1—表Ⅰ在R×1档的电流比例系数;K2—表Ⅱ在R×10档的电流比例系数。βoff≈10×n1/ n2 此式的优点是,不需要具体计算IAT、IG之值,只要读出二者所对应的表针正向偏转格数,即可迅速估测关断增益值。注意事项:(1)在检查大功率GTO器件时,建议在R×1档外边串联一节1.5V电池E′,以提高测试电压和测试电流,使GTO可靠地导通。(2)要准确测量GTO的关断增益βoff,必须有专用测试设备。但在业余条件下可用上述方法进行估测。由于测试条件不同,测量结果仅供参考,或作为相对比较的依据。逆导晶闸管RCT(Reverse-Conducting Thyristir)亦称反向导通晶闸管。其特点是在晶闸管的阳极与阴极之间反向并联一只二极管,使阳极与阴极的发射结均呈短路状态。由于这种特殊电路结构,使之具有耐高压、耐高温、关断时间短、通态电压低等优良性能。例如,逆导晶闸管的关断时间仅几微秒,工作频率达几十千赫,优于快速晶闸管(FSCR)。该器件适用于开关电源、UPS不间断电源中,一只RCT即可代替晶闸管和续流二极管各一只,不仅使用方便,而且能简化电路设计。逆导晶闸管的符号、等效电路如图1(a)、(b)所示。其伏安特性见图2。由图显见,逆导晶闸管的伏安特性具有不对称性,正向特性与普通晶闸管SCR相同,而反向特性与硅整流管的正向特性相同(仅坐标位置不同)。
2023-07-24 18:47:282

请问bta06-600c是什么管?怎么检测?

一般这类可控硅触发电压在10V触发电流2A左右,由于触发脉宽很窄所以感觉触发电流很小。为了可靠触发一般都是使用电容器放电形式触发,通常电容器的充电电压在18V以上才可以保证充电饱满。  可控硅:可控硅又叫晶闸管,是晶体闸流管(Thyristor)的简称,俗称可控硅,指的是具有四层交错P、N层的半导体装置。最早出现的一种是硅控整流器(Silicon Controlled Rectifier,SCR),中国大陆通常简称可控硅,又称半导体控制整流器,是一种具有三个PN结的功率型半导体器件,为第一代半导体电力电子器件的代表。晶闸管的特点是具有可控的单向导电,即与一般的二极管相比,可以对导通电流进行控制。晶闸管具有以小电流(电压)控制大电流(电压)作用,并体积小、轻、功耗低、效率高、开关迅速等优点,广泛用于无触点开关、可控整流、逆变、调光、调压、调速等方面。
2023-07-24 18:47:372

“晶闸管、三极管、二极管、可控管”之间的区别?

晶闸管和二极管是两类不同的器件,谈不上区别。晶闸管有单向和双向之分,通常的晶闸管,开通后不能自行关断,需要在外加电压下降到0甚至反向时才关断。三极管简称晶体管或晶体三极管,三极管大都有三个外部电极,常用于对信号的放大和开关。二极管又叫做晶体二级管,一般都有单向导电的功能。跟据其特征大致分晶体二级管,发光二级管,温度效应二级管,变容二级管,隧道二级管,稳压二级管,开关二级管,双向二级管等。可控管简称可关断晶闸管,它保留了晶闸管的大电压、大电流,又具有在没信号时,靠门信号的微弱信号也能保持通态。
2023-07-24 18:47:461