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kzg在中文中有”口组、日本化工”的意思，在英美地区还有”空气蒸汽用喷嘴系列”的意思，发音音标为[kzg]，kzg在英语中经常以名词形式出现，在《中小学生词典》中，共找到29个与kzg相关的句子。kzg的中文翻译1. 口组2. 日本化工3. 空气蒸汽用喷嘴系列4. 城邦花园东、空气蒸汽用喷嘴系列用法及短语示例kzg一般作为名词使用，在常见短语或俚语中出现较多。自考/成考有疑问、不知道自考/成考考点内容、不清楚当地自考/成考政策，点击底部咨询官网老师，免费领取复习资料：https://www.87dh.com/xl/

陈琦栋。根据查询CFkz游戏俱乐部可知，kzg俱乐部成立于2019年8月15日，老板是陈琦栋。《穿越火线》是由SmileGate开发，中国内地由腾讯游戏代理运营的一款第一人称射击游戏。

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KZG 代表电容，由NCC（Nippon Chemi-Con ，日本化工）生产。

高铁，动车，城际列车，和其他普通车都属于火车。车次G开头的是高铁，D开头的是动车，C开头的是城际列车，T开头的是特快，K开头的是快速列车，纯数字的是普通车次。

K字头是快速旅客列车，Z字头是直达特快旅客列车，D字头是普通动车组列车，G字头是高速动车组列车。1，K字头快速旅客列车级别高于普通旅客快车、低于特别快速旅客列车。快速旅客列车的车次以大写字母“K”开头，出现在中国第一次铁路大面积提速之后，载客车厢大多是红色的25G车体，亦被称为“红皮车”。2，Z字头直达特快列车在2014年12月10日调图之前，直达特快列车多为全程一站直达，也有部分会停靠起点站和或终点站所在路局集团有限公司管内的大站，以及中途必须技术停车的车站。3，D字头普通动车组列车在设计时速为300公里或350公里的线路上运行时，最高时速为250公里；当在设计时速为250公里或200公里的线路上运行时，最高时速为200公里。4，G字头高速动车组列车在设计时速为300公里或350公里的线路上运行时，最高时速为300公里，铁路系统标准念法为“高**次”。G字开头1号车G1001次就是武汉站～广州南站直达列车。扩展资料列车优先权：当两列车同时要开向同一轨道时，按以下原则让车：如果当因为特殊原因(如自然灾害，车祸等)火车发生晚点的时候，晚点车让正点车(当两列车都晚点时，晚点时间长的让时间短的)。如果按照上一条两列车都正点，按照车次开头数字(字母)排：L开头(临客)让6、7开头(普客)让1、2、3、5开头(普快)让K开头(快速)让T开头(特快)让Z开头(直达)。D开头(动车)；G开头(高铁)走专用铁路线。如：T和K在衡阳站同时等待开往北京，那么T先走，K后走。如果车次开头数字(字母)相同的时候，车次号较小的有优先权，假如说D1和D3因为水害的原因同时在山海关站等待开往沈阳北，这时候前方铁路异常状态排除，那么D1先开，之后D3再开。参考资料来源：百度百科-旅客列车参考资料来源：百度百科-直达特快列车参考资料来源：百度百科-快速旅客列车

是消防泵控制柜的代号，是控制柜的拼音第一个字母的首拼，

em2kzg是整流二极管。1、二极管是用半导体材料(硅、硒、锗等)制成的一种电子器件。2、它具有单向导电性能，即给二极管阳极和阴极加上正向电压时，二极管导通。3、当给阳极和阴极加上反向电压时，二极管截止。4、因此，二极管的导通和截止，则相当于开关的接通与断开。5、二极管是最早诞生的半导体器件之一，其应用非常广泛。6、特别是在各种电子电路中，利用二极管和电阻、电容、电感等元器件进行合理的连接，构成不同功能的电路，可以实现对交流电整流、对调制信号检波、限幅和钳位以及对电源电压的稳压。

日系品牌有：NICHICON，RUBICON，RUBYCON（红宝石）、KZG、 SANYO（三洋）、PANASONIC（松下）、NIPPON、FUJITSU（富士通）等；（日系七大电容厂商：Sanyo三洋、Rubycon红宝石、Nichicon蓝宝石、Matsushita松下、NCC（Nippon Chemi-Con日本化工）的KZG系列、Fujitsu、Nippon）。 台系品牌有：TAICON、G-LUXCON、TEAPO、CAPXON、OST、GSC、RLS等。NICHICON(蓝宝石),音译为尼吉康，与RUBYCON(红宝石)、KZG、SANYO(三洋)等是全球一线电容的代表.在固体铝电解方面具有全球一流水平, 并收购panasonic(松下)钽电容。Nichicon的最高级别HZ系列是目前所有电容级别最高的。名副其实的电解电容之王。Nichicon HN 系列电容是Nichicon中仅次于HZ系列的电容，性能参数非常不错，与其他品牌的顶级电容性能相当。高端主板上也不是很常见，有点像Rubycon MCZ电容，非常稀有。Nichicon HD 电容在以前非常流行，现在随着HM的普及取而代之以前的地位。在以前P3和早期的P4时代的主板上可以看到。再低一档次的就是NICHICON　HE系列电容。）另外，关于HV系列电容的定位不是很清楚。应该在HM和HE系列之间，性能参数与HD系列差不多。SANYO OSCON SVP电容，非常昂贵的高端固态电容，一般只会出现在中高端的主板上或是显卡上。只有极少数高端板卡会采用全部SANYO OSCON SVP 电容的阵容。价格一般会非常高。一分钱一分货。这是目前板卡上质量最好的电容之一。SANYO OSCON TCNQ电容，也是性能非常出色的SANYO固态电容，蓝色的外壳非常漂亮独特，可以一眼看出是SANYO的电容。质量也非常出众。价格略低于OSCON SVP电容，通常也是出现在中高端显卡上。一般高端显卡上更多的是采用OSCON 电容的阵容。SANYO 的WG和WX系列电容在技嘉和磐正的主板上比较多见。稳定性和性能相对SANYO来说逊色不少，不过质量也是不错的。RUBYCON（红宝石）MCZ顶级系列电容，完全可以与三洋的OSCON 固态电容有得一拼。MCZ是RUBYCON最高级别的系列电容，代表着红宝石的神话。可惜很少见到，只有高端才会有MCZ的身影。依然很稀有。Rubycon MBZ 电容是最常见的高级电容。通常出现在升技的主板上。升技的中高端主板全部采用的是Rubycon的电容。CPU供电部分一般都是采用的MBZ系列。用料非常不错。偶非常喜欢。MBZ也经常出现在显卡上。特别是五大通路品牌的显卡。虽然因为本成原因，没有使用固态电容，但也或多或少地使用了MBZ。只是显卡上那MBZ电容略短一些。Rubycon ZL系列电容和ZLH系列电容比较接近。各项性能标准上来说都是非常不错的。不过ZLH略好过ZL。升技的板卡通常是采用MBZ＋ZL的组合，偶非常喜欢。还有技嘉也曾经一度非常流行Rubycon ZL系列电容。Rubycon YXG电容，性能一般，是Rubycon中最普通的系列。常用于显卡上。NCC的PS系列固态电容，与SANYO OSCON 电容有得一比，也是非常昂贵的高端固态电容，一般只会出现在中高端的主板上或是显卡上。一般与SANYO OSCON 电容搭配使用出现在高端板卡上。这也是目前板卡上质量最好的固态电容之一。ＫＺＪ　电容Nippon Chemi-Con日本化工的顶级电解电容，性能勿需质疑，定位于红宝石的ＭＣＺ性能相当，但是也比较稀有。ＫＺＧ电容外观比较独特，很好认，华硕的最爱。通常在华硕的主板上可以看见整排的ＫＺＧ电容特别是CPU供电部分，很常见。ＤＦＩ的中低端也有使用ＫＺＧ电容，高端的CPU供电输入部分也很常见，不过CPU供电输出部分常用固态电容。ＫＺＧ的性能也是非常不错的。有不少的厂商都采用了ＫＺＧ电容。还有技嘉，微星两大厂商也经常采用。可以说三大厂商都一致信赖ＫＺＧ。ＫＺＥ电容也是以前比较多见。以前的ＫＺＥ外观为绿色，和三洋的ＷＧ,ＷＸ有点相近，不过感觉更像台系电容；现在的ＫＺＥ和ＫＺＧ一样为暗紫色。常见于华擎的主板。ＫＺＥ相对ＫＺＧ而言低了一个档次。ＫＹ电容长得还是比较ＹＹ的，有点像高端电容。可惜定位却是低端产品。ＫＹ系列是ＮＣＣ的低端产品，质量一般。通常搭配在主板非主要供电滤波电路上。Ｍａｔｓｕｓｈｉｔａ松下ＦＭ系列性能并不能与Nichicon的最高级别HZ系列以及RUBYCON（红宝石）MCZ顶级系列电容相比。松下的实力却是勿庸置疑的，松下在陶瓷电容方向上更有作为。华硕的产品线中有不少使用了松下电容。Matsushita　ＦＣ电容比较常见，主板上使用的松下滤波电容最常见的都是属于ＦＣ系列电容。质量也还算不错，有些主板的ＣＰＵ供电部分使用的是更高级别的ＦＭ系列电容。Fujitsu SU　固态电容，军工级电容。可惜这么好的电容被五大通路厂商的垃圾主板给浪费了。因为那些主板的ＣＰＵ供电电路大多都不惜成本地采用了全部Fujitsu SU　固态电容的阵容，可惜返修率依然居高不下。

lsgwangyi真空干燥箱的设计温度一般为200度。但在实际应用中，很少用那么高的温度！！干燥的目的是去除溶剂，400度沸点的溶剂，在高真空下，150度就能去除完全！！:sweat:xiaowankx说明书上有哦。箱体上应该也有标注的。thfeng最好看下说明书，另外机器上的参数牌子可能也有介绍猎鹰一般的都是240，有的能达到300wensome我们的烘箱上写着最高200度，但我有一次加到230了，呵呵

K应该就是快开的意思。z应该是压榨的意思。2000代表滤板是2000mm大的。F是过滤面积，500平方的。p是压力等级，0.6-0.75兆帕，也就是6-7.5bar

三洋(SANYO）日化NCC(Nippon Chemi Con)ABB富士通(Fujitsu)富士通已被蓝宝石并购，新出的产品带有FP字样SANYO 绝对是如今电容行业里的龙头，SANYO 电解液电容也是一个“K”字防爆纹，但和红宝石的不同。大家可以仔细比较，因为这是辨别 SANYO 和 Rubycon最为直接的方法。 4. Nippon Chemi-con日本化工 又称 NCC、黑金刚、佳美工。 （防爆纹特征：汉字“人”字形，就像奔驰车的标志；识别颜色：紫红色；识别字母：KZG/KZE） CHEMICON 也是一家非常老牌的厂， 近年来收购了美国陶瓷电容大厂 AVX， 可谓如虎添翼。NCC 电容外皮上没有标示厂牌只有型号 但是主机板上不外乎都是 KZG 与 KZE 系列防暴纹酷似奔驰汽车的标志,侧面会著名相应的 KZG 或 KZE 系列。如今的 CHEMICON 不仅在电解电容上造诣很深， 在陶瓷电容方面其技术和产品也是数一数二的。前文我们说过，为了和 SANYO 竞争， CHEMICON 的产品， 在价格相同的前提下， 其规格往往会比 SANYO更高。这有些像 AMD对付 INTEL 的方式。采用这种防爆纹的也不知至此一家，如 Chocon也采用此防爆凹槽。此时颜色和电容侧面的字样就成了分别它们的关键。 5.PANASONIC松下（防爆纹特征：字母 T 字形，侧面有“M”标记；识别颜色：黑白相间；识别字母：PANASONIC） 这是我们熟悉的松下。PANASONIC 的电解电容和陶瓷电容实力都很强。不过松下高端产品主要以钽固体聚合物电容为主，所以在一般硬件里面使用的很少。此外，松下的电解液电容GOLD（金装电容）系列也很有名。 采用此防爆纹的独此松下一家，非常好认，最近华硕（ASUS）多采用松下的电容。但松下在陶瓷电容上比较厉害些，在此类电容上名气远不如红宝石和三洋大。 HE KY YXF,YXG MV-AX,MV-CX FC (P2,P3,K6 时代等级) HD,HV KZE ZL,ZLH MV-WX FM (P3,K7时代等级) HM,HC KZG MBZ MV-WG FJ (K7,P4,K8,P4+ 时代高级电容) HN KZJ MCZ (更高一级的电容,市面上极少见到) HZ KZV (电解电容之王.) 6. 极品的 ELNA 法拉（防爆纹特征：这个不好说，自己看；识别颜色：褐色，紫红色；识别字母：ELNA） ELNA的防爆凹槽也是很有特色，类似于“十”字，但比较特殊，在上部的三分之一处是个分割的圆弧线。一般主板上很少用 ELNA电容，最豪华也就是在板载声卡周边电路用一两颗。此电容的性能在传统电解液电容中是佼佼者，贵族级的产品。 7. 军工级的FUJITSU 富士通（防爆纹特征：字母 K；识别颜色：黄色） 富士通电容是从前年开始流行的，当时很多宣传材料都说 XX 主板采用富士通极品固态电容……我当时就很纳闷，固态电容怎么还有防爆纹？到后来就很少 见到这样的字眼了，以富士通极品军工级电容所替代，这种说法还是可取的，单从 105 度下长期工作可达 40000小时这个数据来看，称为极品也不为过。这种 黄色的富士通极为好辨认，仅此一家用这种颜色。主板上电容主要分为台系和日系两种，日系品牌有：NICHICON，RUBICON，RUBYCON （红宝石） 、 KZG/KZE(日本化工Nippon Chemi- con)、 SANYO （三洋） 、 PANASONIC（松下） 、NIPPON、FUJITSU（富士通）等；台系品牌有：TAICON、G-LUXCON、 TEAPO（智宝） 、CAPXON、Choyo 、Chocon 、OST、Fcon 、GSC（口碑不怎么样，前几年经常爆浆的就是此品牌） 、 RLS 、Jackcon（口碑也很差）等。 也很常见的但是势单力薄的韩系品牌：Sacon（士康） OK,下面说说几家比较有名的厂商的最常见的铝电解液电容和识别方法，在这里先说一下什么是防爆纹，防爆纹就是为了防止电容长时间爆浆而特别在电容上刻画的印痕，可以有效的降低电容爆浆的几率，至于什么是爆浆，find在后文会讲到。 1.被过度神化了的 Rubycon红宝石（防爆纹特征：字母 K字形；识别颜色：紫色或褐色；识别字母：Rubycon） 所谓的“红宝石电容”其实就是日本的 RUBYCON厂牌生产的电容产品。要是不说清楚的话，恐怕有些不了解电容的人，还以 为这种电容是用红宝石造的呢（搞笑） 。以前很多音响发烧友觉得“红宝石电容”是高档的象征。但事实上，RUBYCON如今在技术上已经处于落后状态—— RUBYCON如今尚没有一款量产的固体聚合物导体电容，其产品口碑主要靠铝电解液电容来树立。何况，近几年 RUBYCON的铝电解液电容的制造水平也在 逐年降低，事实上其品质和价格都和一些国产电容越来越贴近了。 这就是为什么近年来市场里一下冒出了很多采用“红宝石电容”的产品。 谈到电容，大家要记住的是——哪怕品牌再差的固体聚合物导体电容（其实有能力造出这种电容的厂家， 其品牌就绝不会太差） ， 也要比名牌最好的电解液电容好得多。 这个“质变”和“量变”的道理，我想大家应该还是很容易理解的。所以看电容最重要的是看类型，而不是看品牌。 （这是后话了，在下一个部分 我也会详解） 说句题外话：如今还有很多玩音频的玩家，迷信什么聚丙烯（诸如此类薄膜电容）补品电容。其实随着技术的进步，薄膜电容有着进退两难的趋势， 其低端产品正被铝聚合物电容代替，而在高精密、高 Q场合，薄膜电容又无法和陶瓷电容相匹敌，所以大家以后不要盲目迷信很多音响杂志的宣传。实际性能才是我们最该关注的。 2.NICHICON蓝宝石(防爆纹：十字形；识别颜色：黑色，金黄色；识别字母：NICHICON) NICHICON（戏称“你吃糠”^_^）是日本的老牌电容厂，其成名的时间和著名的 RUBYCON（红宝石）差不多。不过它如今的水平比 RUBYCON要好一些，因为 NICHICON 现在已经有铝固体聚合物导体电容——F55 系列。不过 NICHICON 电容和 SANYO、 CHEMICON等厂牌相比，普遍的指标都比较低，其 LOW ESR 的最高端产品，ESR 值还停留在 10 几毫欧姆的水平（SANYO 的钽聚合物并联电容能达到 5 毫欧姆） 。基本上，NICHICON 的进步势头已经很慢了。 Nichcon 顶部有一“十”字防爆纹，一般比较偏爱黑色 另外，并非所有的“十”字防爆凹槽的电容都是 Nichcon 的，OST（外壳大部分是紫皮金颈，侧面有 OST 字样，ASUS 多采用此电容，已发出电容爆裂警告） 、GSC（EPOX 主板上爆了的电容） 、Taicon（偏好黑色）也是“十”字防爆纹。 3.SANYO 三洋（防爆纹特征：和红宝石明显不同的字母 K字形；识别颜色：绿色；识别字母：SANYO） SANYO 在电解电容行业里面的地位， 有些像三星在数字家电行业里面的地位。 因为 SANYO电容的种类和产量都是最多的，研发技术水准也是数一数 二的。单从性能上看，SANYO可能并不算最高端的品牌，但是从生产规模、供货能力、品控能力和研发水平综合评判，

KZG、KZE 由着名的NCC（Nippon Chemi-Con 即日本化工）供应。 Teapo - 台系中最好的。 Sacon - 韩国电容厂家，品质8错。GSC - 暴浆王。Jackcon - 比GSC还烂。。。一代暴浆王。OST - 较容易暴浆，和GSC齐名。。。着名电容品牌识别 （仅供参考）Rubycon(红宝石)Rubycon(红宝石)产自日本，已是知名的名牌电容，品质优异。防暴纹为英文字母K字型，侧面注有Rubycon(字样NICHICON(你吃糠)NICHICON是日本的老牌电容厂，其成名的时间和着名的RUBYCON（红宝石）差不多。不过它如今的水平比RUBYCON要好一些，因为NICHICON现在已经有铝固体聚合物导体电容--F55系列。不过NICHICON电容和SANYO、CHEMICON等厂牌相比，普遍的指标都比较低，其LOW ESR的最高端产品，ESR值还停留在10几毫欧姆的水平（SANYO的钽聚合物并联电容能达到5毫欧姆）。基本上，NICHICON的进步势头已经很慢了。防暴纹为十字型（最垃圾的山寨电容也是十字）侧面有nichicon字样SANYO(三洋)SANYO在电解电容行业里面的地位，有些像三星在数字家电行业里面的地位。因为SANYO电容的种类和产量都是最多的，研发技术水准也是数一数二的。单从性能上看，SANYO可能并不算最高端的品牌，但是从生产规模、供货能力、品控能力和研发水平综合评判，SANYO绝对是如今电容行业里的龙头老大。也是K字防暴纹，则面sanyo字样NCCNippon Chemi-con 即日本化工，NCC电容外皮上没有标示厂牌只有型号 但是主机板上不外乎都是 KZG 与 KZE 系列防暴纹酷似奔驰汽车的标志，侧面会着名相应的 KZG 或 KZE 系列PANASONIC(松下)这是我们熟悉的松下。PANASONIC的电解电容和陶瓷电容实力都很强。不过松下高端产品主要以钽固体聚合物电容为主，所以在一般硬件里面使用的很少。此外，松下的电解液电容GOLD（金装电容）系列也很有名。防暴纹为T字型，侧面有M标记HE KY YXF,YXG MV-AX,MV-CX FC (P2,P3,K6时代等级)HD,HV KZE ZL,ZLH MV-WX FM (P3,K7时代等级)HM,HC KZG MBZ MV-WG FJ (K7,P4,K8,P4+ 时代高级电容)HN KZJ MCZ (更高一级的电容,市面上极少见到)国内来说还是绿宝石做的较好，上楼说得不错，红宝石和尼吉康在电容界确实不错，但是价格不是所有的人都能承受，而且交期很长，其时我们国产多家电容产品完全可以替代小日本的产品，又何必用小日本的呢

RubyconRubycon是一家电解电容制造厂，自1952年4月创业以来，全体员工团结一致，坚持不懈地以“进取”精神为创造优良“传统”而“努力”和“钻研”，并以“诚信”的敬业精神获得了顾客的“信赖”。RUBYCON用于生产电解电容的主要原材料铝箔和电解液均为RUBYCON CORPORATION自己研制、生产，有效地保证了产品质量。RUBYCON作为电解电容国际著名品牌，在知名的电子产品上广泛使用。扩展资料从设计、生产、销售等各方面进行环境影响评价，根据其性质和规模，制定节省能源、资源和减少废弃物的对策。1、遵守关于环境的法制法规以及其他的要求事项，（包含适应顾客要求的与环境相关的事项的处理），在技术允许的范围内，制定自己的标准，并加以维持和管理。2、确立并维持环境管理体系，进一步改善环境并承诺防止环境污染。参考资料来源：百度百科-rubycon

常见的日系电容Nichicon：Nichicon（音译尼吉康）公司成立于1950年8月1日，是日本电解电容行业的三大企业之一，在全球电解电容技术领域中，一直处于领先地位，Nichicon产品范围主要是电解电容器。Nichicon电容的防暴纹是“十”字型。 Sanyo：Sanyo（三洋）在电解电容行业里面的地位，类似三星在数字家电行业里面的地位，其电容的种类和产量，研发技术水准在业界都是数一数二的。单从性能上看，Sanyo可能并不算最高端的品牌，但是从生产规模、供货能力、品控能力和研发水平综合评判，Sanyo绝对是如今电容行业里的龙头老大。Sanyo普通电解电容的防暴纹是“K”字型。 Chemicon：Chemicon即日本化工，Chemicon电容外皮上没有标示厂牌，但在电容侧面会著明相应的产品型号，大家在显卡、主板上常见的KZG，KZJ，KZE等系列电容就是Chemicon的产品，该系列电容的防暴纹酷似奔驰汽车的标志，很好判断。 Panasonic：Panasonic就是大家熟悉的松下，其在电解电容和陶瓷电容上的制造实力很强，高端产品主要以钽固体聚合物电容为主，所以在一般硬件里面使用的很少。松下的Gold（金装电容）电解电容系列很有名，防暴纹是“T”字型，侧面有“M”标记。 Rubycon：Rubycon即红宝石，是日本三大电容器厂家之一，其主要产品为以铝电解电容、塑胶薄膜电容器为主的各种电容产品。著名的DIY主板品牌升技就曾经在其产品里广泛使用红宝石电容，主要产品有MBZ，MCZ系列电容，品质优异。防暴纹为英文字母“K”字型，侧面注有“Rubycon”字样。

问题一：哪个品牌电容最好？ Teapo - 台系中最好的。 Sacon - 韩国电容厂家，品质8错。GSC - 暴浆王。Jackcon - 比GSC还烂。。。一代暴浆王。OST - 较容易暴浆，和GSC齐名。。。着名电容品牌识别 （仅供参考）Rubycon(红宝石)Rubycon(红宝石)产自日本，已是知名的名牌电容，品质优异。防暴纹为英文字母K字型，侧面注有Rubycon(字样NICHICON(你吃糠)NICHICON是日本的老牌电容厂，其成名的时间和着名的RUBYCON（红宝石）差不多。不过它如今的水平比RUBYCON要好一些，因为NICHICON现在已经有铝固体聚合物导体电容--F55系列。不过NICHICON电容和SANYO、CHEMICON等厂牌相比，普遍的指标都比较低，其LOW ESR的最高端产品，ESR值还停留在10几毫欧姆的水平（SANYO的钽聚合物并联电容能达到5毫欧姆）。基本上，NICHICON的进步势头已经很慢了。防暴纹为十字型（最垃圾的山寨电容也是十字）侧面有nichicon字样SANYO(三洋)SANYO在电解电容行业里面的地位，有些像三星在数字家电行业里面的地位。因为SANYO电容的种类和产量都是最多的，研发技术水准也是数一数二的。单从性能上看，SANYO可能并不算最高端的品牌，但是从生产规模、供货能力、品控能力和研发水平综合评判，SANYO绝对是如今电容行业里的龙头老大。也是K字防暴纹，则面sanyo字样NCCNippon Chemi-con 即日本化工，NCC电容外皮上没有标示厂牌只有型号 但是主机板上不外乎都是 KZG 与 KZE 系列防暴纹酷似奔驰汽车的标志，侧面会着名相应的 KZG 或 KZE 系列PANASONIC(松下)这是我们熟悉的松下。PANASONIC的电解电容和陶瓷电容实力都很强。不过松下高端产品主要以钽固体聚合物电容为主，所以在一般硬件里面使用的很少。此外，松下的电解液电容GOLD（金装电容）系列也很有名。防暴纹为T字型，侧面有M标记HE KY YXF,YXG MV-AX,MV-CX FC (P2,P3,K6时代等级)HD,HV KZE ZL,ZLH MV-WX FM (P3,K7时代等级)HM,HC KZG MBZ MV-WG FJ (K7,P4,K8,P4+ 时代高级电容)HN KZJ MCZ (更高一级的电容,市面上极少见到)国内来说还是绿宝石做的较好，上楼说得不错，红宝石和尼吉康在电容界确实不错，但是价格不是所有的人都能承受，而且交期很长，其时我们国产多家电容产品完全可以替代小日本的产品，又何必用小日本的呢 问题二：电解电容什么牌子好 你好，我也在电容行业做了很长一段时间了。自我介绍一下，我是Nichicon原厂工作人员非代理或者贸易商云云。根据我的经验与市场信息反馈，目前整理了一下电容器品牌该如何选择的建议。 对于消费电子类，个人建议rubycon，说实话红宝石在63V以下的电容器做得真不错，质量与销量均是首屈一指。 对于工业级电解电容器（牛角&螺栓），建议选用Nichicon或者NCC，这两家在这个行业可谓死对头，质量价格均在一个水平线，在工业级电解电容器方面，Nichicon & NCC有绝对话语权。 薄膜电容器，随着光伏等产业的兴起，高额定电压的要求使得薄膜电容器逐渐替代了铝电解在这一领域的地位。目前薄膜电容器，做得最好的当属德国的EPCOS没有之一，当然国内的法拉电容技术和市场发展势头迅猛（个人认为是民族工业的骄傲）。当然像Nichicon&NCC也能做高质量的薄膜电容器，只是整个公司未将这个作为发展中心。 问题三：电容分哪几种啊？ 作为无源元件之一的电容，其作用不外乎以下几种： 1、应用于电源电路，实现旁路、去藕、滤波和储能的作用。下面分类详述之： 1. 旁路 旁路电容是为本地器件提供能量的储能器件，它能使稳压器的输出均匀化，降低负载需求。 就像小型可充电电池一样，旁路电容能够被充电，并向器件进行放电。 为尽量减少阻抗，旁路电容要尽量靠近负载器件的供电电源管脚和地管脚。 这能够很好地防止输入值过大而导致的地电位抬高和噪声。地弹是地连接处在通过大电流毛刺时的电压降。 2. 去藕 去藕，又称解藕。 从电路来说， 总是可以区分为驱动的源和被驱动的负载。如果负载电容比较大， 驱动电路要把电容充电、放电， 才能完成信号的跳变，在上升沿比较陡峭的时候， 电流比较大， 这样驱动的电流就会吸收很大的电源电流，由于电路中的电感，电阻（特别是芯片管脚上的电感，会产生反弹），这种电流相对于正常情况来说实际上就是一种噪声，会影响前级的正常工作，这就是所谓的“耦合”。 去藕电容就是起到一个“电池”的作用，满足驱动电路电流的变化，避免相互间的耦合干扰。将旁路电容和去藕电容结合起来将更容易理解。旁路电容实际也是去藕合的，只是旁路电容一般是指高频旁路，也就是给高频的开关噪声提高一条低阻抗泄防途径。高频旁路电容一般比较小，根据谐振频率一般取0.1μF、0.01μF 等；而去耦合电容的容量一般较大，可能是10μF 或者更大，依据电路中分布参数、以及驱动电流的变化大小来确定。 旁路是把输入信号中的干扰作为滤除对象，而去耦是把输出信号的干扰作为滤除对象，防止干扰信号返回电源。这应该是他们的本质区别。 3. 滤波 从理论上（即假设电容为纯电容）说，电容越大，阻抗越小，通过的频率也越高。但实际上超过1μF 的电容大多为电解电容，有很大的电感成份，所以频率高后反而阻抗会增大。有时会看到有一个电容量较大电解电容并联了一个小电容，这时大电容通低频，小电容通高频。电容的作用就是通高阻低，通高频阻低频。电容越大低频越容易通过，电容越大高频越容易通过。具体用在滤波中,大电容（1000μF）滤低频，小电容（20pF）滤高频。 曾有网友形象地将滤波电容比作“水塘”。由于电容的两端电压不会突变，由此可知，信号频率越高则衰减越大，可很形象的说电容像个水塘，不会因几滴水的加入或蒸发而引起水量的变化。它把电压的变动转化为电流的变化，频率越高，峰值电流就越大，从而缓冲了电压。滤波就是充电，放电的过程。 4. 储能 储能型电容器通过整流器收集电荷，并将存储的能量通过变换器引线传送至电源的输出端。 电压额定值为40～450VDC、电容值在220～150 000μF 之间的铝电解电容器（如EPCOS 公司的 B43504 或B43505）是较为常用的。根据不同的电源要求，器件有时会采用串联、并联或其组合的形式， 对于功率级超过10KW 的电源，通常采用体积较大的罐形螺旋端子电容器。 2、应用于信号电路，主要完成耦合、振荡/同步及时间常数的作用： 1. 耦合 举个例子来讲，晶体管放大器发射极有一个自给偏压电阻，它同时又使信号产生压降反馈到输入端形成了输入输出信号耦合， 这个电阻就是产生了耦合的元件，如果在这个电阻两端并联一个电容， 由于适当容量的电容器对交流信号较小的阻抗，这样就减小了电阻产生的耦合效应，故称此电容为去耦电容。 2. 振荡/同步 包括RC、LC 振荡器及晶体的负载电容都属于这一范畴。 3. 时间常数 这就是常见的 R、C 串联构成的积分电路。当输入信号电压加在输入端时，电容（C）上的电压逐渐上升。而其充电电流......>> 问题四：用哪种电容做高频电容好？ 云母电容器和陶瓷电容器的高频最好 问题五：电容有哪几种？有什么作用 太多了，有介质分类，有电容封装分类，有极性和无极性，耐压与容量的区别。不同的材料稳定性不一样。主要起作用为通交流租直流。具有存放电的作用。在电力强电中起补偿功率因数。在电子电路中作用较广，滤波，震荡，耦合信号，微积分电路运用等等。 问题六：电容表哪种好 比较大的是CM9601A，比较小的是CM7115A，最畅销的型号 前者60元左右，后者50元左右，某宝售价 问题七：电容器厂商哪一个比较好？？ 我司目前有用陶瓷电容 安规Y电容 是从电容厂家购买的 我也去看过工厂 硬件设施还是不错的 问题八：红宝石电容哪种质量好 红宝石的电容只有分系列、没有哪种好 哪种不好的 不同系列 参数不同 这类选择是看工程的 红宝石就是一个牌子 日本的 做工和材料很好、不过价格都很贵、如果不是工程特别需求很少人会用的、毕竟成本太高了 同时这类大牌子、市场上假货也不会少 市场上做的比较好的牌子还有蓝宝石、黑金刚 等 不懂的可以询问这边、谢谢 （这边有蓝宝石的电容） 问题九：y5v和x5r哪种电容好 这个是按美国电工协会（EIA）标准，不同介质材料的MLCC按温度稳定性分成三类：超稳定级（工类）的介质材料为COG或NPO；稳定级（II类）的介质材料为X7R；能用级（Ⅲ）的介质材料Y5V。 X7R电容器被称为温度稳定型的陶瓷电容器。当温度在-55℃到+125℃时其容量变化为15%，需要注意的是此时电容器容量变化是非线性的。 X7R电容器的容量在不同的电压和频率条件下是不同的，它也随时间的变化而变化，大约每10年变化1%ΔC，表现为10年变化了约5%。 X7R电容器主要应用于要求不高的工业应用，而且当电压变化时其容量变化是可以接受的条件下。它的主要特点是在相同的体积下电容量可以做的比较大。 COG,X7R,X5R,Y5V均是电容的材质，几种材料的温度系数和工作范围是依次递减的，不同材质的频率特性也是不同的。 NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要区别是它们的填充介质不同。在相同的体积下由于填充介质不同所组成的电容器的容量就不同，随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也就不同。所以在使用电容器时应根据电容器在电路中作用不同来选用不同的电容器。 一 NPO电容器 NPO是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器。它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的。NPO电容器是电容量和介质损耗最稳定的电容器之一。在温度从-55℃到+125℃时容量变化为0±30ppm/℃，电容量随频率的变化小于±0.3ΔC。NPO电容的漂移或滞后小于±0.05%， NPO(COG) 多层片式陶瓷电容器,它只是一种电容 COG（Chip On Glass）即芯片被直接邦定在玻璃上。这种安装方式可以大大减小LCD模块的体积，且易于大批量生产，适用于消费类电子产品的LCD，如：手机，PDA等便携式产品，这种安装方式，在IC生产商的推动下，将会是今后IC与LCD的主要连接方式。 相对大于±2%的薄膜电容来说是可以忽略不计的。其典型的容量相对使用寿命的变化小于±0.1%。NPO电容器随封装形式不同其电容量和介质损耗随频率变化的特性也不同，大封装尺寸的要比小封装尺寸的频率特性好。下表给出了NPO电容器可选取的容量范围。 NPO电容器适合用于振荡器、谐振器的槽路电容，以及高频电路中的耦合电容。 二 X7R电容器 X7R电容器被称为温度稳定型的陶瓷电容器。当温度在-55℃到+125℃时其容量变化为15%，需要注意的是此时电容器容量变化是非线性的。 X7R电容器的容量在不同的电压和频率条件下是不同的，它也随时间的变化而变化，大约每10年变化1%ΔC，表现为10年变化了约5%。 X7R电容器主要应用于要求不高的工业应用，而且当电压变化时其容量变化是可以接受的条件下。它的主要特点是在相同的体积下电容量可以做的比较大。下表给出了X7R电容器可选取的容量范围。 三 Z5U电容器 Z5U电容器称为”通用”陶瓷单片电容器。这里首先需要考虑的是使用温度范围，对于Z5U电容器主要的是它的小尺寸和低成本。对于上述三种陶瓷 单片电容起来说在相同的体积下Z5U电容器有最大的电容量。但它的电容量受环境和工作条件影响较大，它的老化率最大可达每10年下降5%。 尽管它的容量不稳定，由于它具有小体积、等效串联电感（ESL）和等效串联电阻（ESR）低、良好的频率响应，使其具有广泛的应用范围。尤其是在退耦电路的应用中。下表给出了Z5U电容器的取值范围。 Z5U电容器的其他技术指标如下:工作温度范围 +10℃ --- +85℃ 温度特性 +22% ---- -56% 介质损耗 最大4% 四 Y5V电......>> 问题十：滤波电容要选哪种类型的电容? 大电解电容

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　　这个问题比较难回答清楚，因为实在没有标准可以界定：　　流传的说法是，红皮电容最差，黑皮倒数第二，绿皮的居中，蓝皮和紫皮的是高档（棕色的属于什么，这个说法似乎没给答案）。这有一些道理，因为有一些牌子（多是台湾，香港和国内的电容），其黑皮的属于低档，比如G－luxon，GSC，Choyo这几个台湾牌子。　　说这话没道理，也会误导人的是，著名的一线牌子，日系的nichicon（蓝宝石），很多品种都是黑皮，所以有的人看到华硕主板，技嘉等一线主板上经常有大把的黑皮电容，就说“华硕偷工减料”等，就是笑话了——nichicon和rubycon（红宝石）是日本最有名的两大电容品牌，如今nichicon已经在rubycon之上了，用到nichicon的黑皮电容，那是好事情啊！此外，传统说法让人以为绿皮电容是中档，但是电容厂里综合实力最大的三洋，主打系列就是绿皮的，难道绿皮就是中档货色的代言人吗。　　所以，要真正识别电容的好坏，最好是了解一线，二线，三线的主要牌子，和每个牌子下面所谓主打电容系列。不多，好了解，各个主板厂采用的基本是如下：　　一线，日本的nichicon，rubycon， Sanyo ， Ncc（Nippon Chemi-con　　，即日本化工，一线主板厂最爱用其KZG系列，棕皮的，华硕，技嘉等主板上最常见），Panasonic。　　二线，日本的OST（早期的技嘉，微星等台系一线主板用，现在是精英等靠“出货量”自标“一线”的实质是二线的主板在用），Nippon，台系的　　Jackcon，Taicon，Teapo。 Jackcon曾经有“爆浆大王”的称号。　　Teapo的性价比不错，所以以前技嘉等大厂也用，现在精英等二线主板也用。 Nippon的现在罕见。　　三线，韩国的Sacon，台系的GSC，Choyo，Chocon，Fcon。 其中，GSC是国内最常见的，也是精英的最爱（精英的中低端主板上GSC是常客），此外，三线和山寨系主板也爱用。之余国内很多低端板子和中端板子上次要部位上常见的G-luxon，　　一线的电容颜色就不能靠外表看了，几乎是个有特色，比如蓝宝石多是黑色，红宝石多是紫色，三洋多是绿色，NCC下属的KZG系列是性价比高的中高端，棕色。。。。。二线有意思，有点“模仿”的意思，比如ost用紫色，看上去很像高档的红宝石，Teapo多是绿色（似乎是仿上三洋了）。　　一般，看pvc外皮的颜色是否饱和，深沉，字体是否锐利清晰，也能帮助你判断。比如G-Luxon，其品质好的是绿皮（其它是黑皮），但绿皮的印刷粗糙，色泽和字体比三洋的差太远，和Teapo比也能一眼看出来。　　蓝宝石的黑皮电容，黑色透亮，深沉，字体小而清晰，和三线的黑皮电容的印刷质量，有明显差别。

Nippon----日系电容 不是二线的吧，我是做NCC（NIPPON CHEMI-CON）代理的，还知道一些，是一线厂商，他的电解液配方是保密的，不像其它电解厂商，而且也为日系其它供应各种原材料，如：阳极铝箔等，而且从销售额来讲是排名第一的（铝电解方面），紧随其后的是ROBYCON。

宿迁第一个日资电子企业落户苏州宿迁工业园区写在尼吉康电子（宿迁）有限公司签约之际2011年1月21日，日本企业尼吉康株式会社在宿迁国际饭店与苏州宿迁工业园区正式签订投资协议，投资建设高科技电容器项目，项目计划总投资2亿美元，一期投资8800万美元，注册资本3300万美元。一、从富士通到尼吉康到日科能高公司的发展轨迹富士通多媒体部品（苏州）有限公司是苏州工业园区第一家日资企业，由世界500强日本富士通公司于1995年3月投资设立, 主要生产销售机能性高分子铝电解电容器，自1998年以来一直被评为江苏省高新技术企业。公司占地面积40亩，注册资本为4305万美元，总投资达1.2亿美元，员工2000名左右。2010年公司实现销售4.9亿元，利润4000万元。公司在苏州工业园区发展壮大的同时，还积极协助苏州工业园区招商引资，推荐更多的日资企业落户园区。日本尼吉康（NICHIKON）株式会社自1950年起从事变电设备的电力电容器的开发、制造、销售，与RUBYCON(红宝石)、KZG、SANYO(三洋)等是全球一线电容的代表，在固体铝电解电容方面具有全球一流水平。尼吉康株式会社于2009年收购了富士通多媒体部品（苏州）有限公司，并将其更名为日科能高电子（苏州）有限公司。二、扩张冲动下的寻寻觅觅2008年金融危机后，日科能高在2010年产品订单翻了一番。预计2012年，市场需求量将达到现有产量的2—3倍，因此新厂扩建势在必行，而苏州工业园区在土地供给、劳动力资源供给等方面，已经不能满足企业发展需求，公司高层开始在国内进行选址考察，经过几个月的寻寻觅觅，初步意向选择在长三角某个城市投资。三、苏州宿迁工业园区“飞地”效应最终导致日企落户2010年10月，经苏宿工业园区上门招商推介，日科能高公司开始关注苏宿园区。11月8日，小崎良一董事长一行5人专程来苏州宿迁工业园区商务考察，苏宿工业园区良好的投资环境、与苏州工业园区一样的政府亲商服务，充足的劳动力资源，给日本客商留下了深刻印象。此后，双方密切交流，频繁走动，快捷高效地逐一落实项目细节。2010年12月19日，尼吉康株式会社派出高管森永芳孝董事一行，专程从日本京都总部飞来中国、赶到宿迁，代表总部对投资项目进行具体考察，形成投资选址方案上报总部。2011年初，从京都传来好消息：尼吉康株式会社董事会作出决定，最终选择到苏州宿迁工业园区去发展。为什么作出这样的选择？日科能高公司给出的理由是：1、苏州宿迁工业园区具有完善的投资环境及高标准的基础设施建设；2、在苏州宿迁园区能享受到和苏州工业园区一样的政府服务；3、宿迁劳动力供应充足、发展后劲大。四、尼吉康电子（宿迁）有限公司入驻对宿迁发展的意义市委三届七次全委会指出：宿迁发展要实现更大突破，早日实现工业化和城市化，关键是要吸引投资规模大、实力强、税收贡献大的项目。尼吉康宿迁项目的签约，意味着一个大型高科技外资企业正式诞生在宿迁，标志着宿迁高科技产业发展有了一个崭新的开端，预示着今后会有更多的日企青睐和关注宿迁。从富士通成为苏州工业园区第一家日企，到首个日资电子企业入驻宿迁，必将有力推动宿迁电子产业发展壮大，进而带动宿迁外资企业集聚发展和宿迁外向型经济的壮大。

日系电容也不全是固态电容，关键看你需要什么样的产品，固态电容更贵。消费质量决定供给质量。日系普通电解电容再高温下长期使用容易造成爆浆，这是电解电容的性质，而固态电容就不一样了，固态电容是一种高分子电容，理论上不会爆浆，但不意味着它的寿命的无止境，只不过比电解电容寿命长。对于系统的稳定性更起作用。固态电容一般都是铝壳封装，表面平整光滑，无防爆纹。普通电解电容就有K型防爆纹。常见的日系电容 Nichicon：Nichicon（音译尼吉康）公司成立于1950年8月1日，是日本电解电容行业的三大企业之一，在全球电解电容技术领域中，一直处于领先地位，Nichicon产品范围主要是电解电容器。Nichicon电容的防暴纹是“十”字型。 Sanyo：Sanyo（三洋）在电解电容行业里面的地位，类似三星在数字家电行业里面的地位，其电容的种类和产量，研发技术水准在业界都是数一数二的。单从性能上看，Sanyo可能并不算最高端的品牌，但是从生产规模、供货能力、品控能力和研发水平综合评判，Sanyo绝对是如今电容行业里的龙头老大。Sanyo普通电解电容的防暴纹是“K”字型。 Chemicon：Chemicon即日本化工，Chemicon电容外皮上没有标示厂牌，但在电容侧面会著明相应的产品型号，大家在显卡、主板上常见的KZG，KZJ，KZE等系列电容就是Chemicon的产品，该系列电容的防暴纹酷似奔驰汽车的标志，很好判断。 Panasonic：Panasonic就是大家熟悉的松下，其在电解电容和陶瓷电容上的制造实力很强，高端产品主要以钽固体聚合物电容为主，所以在一般硬件里面使用的很少。松下的Gold（金装电容）电解电容系列很有名，防暴纹是“T”字型，侧面有“M”标记。 Rubycon：Rubycon即红宝石，是日本三大电容器厂家之一，其主要产品为以铝电解电容、塑胶薄膜电容器为主的各种电容产品。著名的DIY主板品牌升技就曾经在其产品里广泛使用红宝石电容，主要产品有MBZ，MCZ系列电容，品质优异。防暴纹为英文字母“K”字型，侧面注有“Rubycon”字样。

方法如下：1、CPU、PCI、AGP、打印口、COM口等插槽和接口的生产商，目前公认FOXCON的比较好，其次AMP，MOLEX也还行，如果不是上述三家或者根本就找不到厂牌商标，那质量就很难说了。2、重要电容，首先是品牌，三洋、nichicon、KZG、KZE、rubycon的属于一流货色，OST、G-luxry、LXF属于二流货色，其他的都很一般；其次是容量，一般都是算总容量，比方同为865PE主板，A厂的CPU插座旁边同规格电容总容量是19800uf，B厂的则是15000uf，那么B厂的就不如A厂的主板，至少在供电能力上弱。3、焊接工艺，一看元件排列是否规则整齐，二看焊点处理是否饱满、均匀，三看焊点是否清洁。4、PCB做工，质量好的应该牢固，不易变形，从边缘对光观察，均匀透光且透光性比较低的PCB较为密实，或者用指甲用力刮一下，痕迹越小越好。5、不成文的规矩：看品牌，ASUS最便宜的主板，做工也不会比山寨厂自己生产的最贵的主板差。

按锅炉结构型式可分为下面六种： 一、烟一火管式热水锅炉 这一类型锅炉有立式和卧式两种，适用于燃油燃气。立式烟一火管燃油燃气热水锅炉的参数范围： 额定热功率 ≤2.8MW 额定压力 常压，1.0MPa 供回水温度 95℃／70℃ WNS型卧式内燃热水锅炉系列产品的参数范围： 额定热功率 0.35一7.6 MW 额定压力 0.7MPa；1.0 MPa 供回水温度 95℃／70℃； 115℃／70℃ 二、水一火管式热水锅炉 这一类型锅炉主要由卧式外燃回火管锅炉加上水冷壁管受热面构成，结构比较紧凑，整装出厂，故称“快装”锅炉。这一类型的热水锅炉，在我国使用最为广泛，数量最多。其型号有：KZL型、KZG型、KZW型、KZZ型等系列产品。其工作参数范围： 额定功率 0.35—14MW； 额定压力 0.7—1.25MPa； 供回水温度 95℃／70℃；115℃／70℃；130℃／70℃ 三、无锅筒立式排管热水锅炉 这一类型锅炉，一般为强制循环方式，炉膛采用立式排管，对流受热面采用管架式。对燃煤热水锅炉，其功率≤7.0MW；对燃油燃气热水锅炉，其功率≤14MW。这种热水锅炉结构紧凑，制造方便，节省钢材。目前小容量的热水锅炉常采用这种型式。燃烧方式有往复炉排，链条炉排，振动炉排等。 因为管架式对流受热面的布置，在高度方向受到限制，因此容量较大的热水锅炉，不宜采用这种型式。 该型锅炉的产品系列参数有：0.2MW，2.8MW，4.2MW，7.0MW等燃煤热水锅炉。燃油燃气锅炉有14MW的热水锅炉。 四、带有锅筒弯水管强制循环热水锅炉 过去为汽改水的热水炉，例如SZPl0—1.3型或SHL20—13型蒸汽锅炉改为热水锅炉，强制循环，一般由下集箱和下锅筒进水，将下降管节流，水在受热面内以一定的流速上升，由上锅筒出水。 设计的强制循环的热水锅炉产品系列有：QXL4.2—0.7—95／70一A型，QXL7.0—1.0一115／70一A型，QXLl4—1.0—115／70一A型等几种。 五、带有锅筒的立式水管自然循环热水锅炉 这种锅炉的特点是回水从上锅筒进入，经锅筒内设有的配水装置，使锅炉的回水送到下降管，水冷壁管或上升炉管中的水受热后引入上锅筒并送出热水。这类锅炉的炉型有：SZW型，SHW型， SHL型，DHL型，DHD型等。其参数范围：额定热功率 0.35—29MW额定压力 0.7～2.45MPa供回水温度 95℃／70℃；115℃／70℃；130℃／70℃；150℃／90℃ 六、带有锅筒的汽水两用炉 这种锅炉的特点是既供汽又供热水，而且是高温水。由于在供汽的同时，还可以排除一部分氧气，与一般热水锅炉相比，减少了锅炉氧腐蚀。这种锅炉容量较小，约在2.8—4.2MW左右，压力在≤1.3MPa以下。 这种汽、水两用锅炉出水温度接近于饱和温度，因此在进入网路系统前必须采取混水和降温措施，所以运行操作要比一般热水锅炉要复杂些。 如果是电站锅炉，通俗来讲就是电厂用来发电的锅炉。一般容量较大，现在主力机组为300MW。 电站锅炉主要有两类：煤粉炉和循环流化床锅炉。这两类锅炉是目前电站所用的主要类型。流化床炉和煤粉炉的最大区别是液体和煤块粉状。 另外大型机组还可以分为塔式、箱式，π型（π型又可以根据燃烧器布置方式分为前后墙对冲、W炉、四角切圆、前墙布置） 总之这些东西说来话长了。

电容器日本的最好，就是民族感情上，不想支持小日本。像Nichicon，Rubycon、KZG、Sanyo、Panasonic、Nippon Chemi-Con、Fujitsu都是顶尖的品牌。你可以看看这，资料还挺详细的： 尼吉康： http://info.ec.hc360.com/2011/04/151718421466.shtml 三洋： http://info.ec.hc360.com/2011/04/181033421906.shtml 日本化工：http://info.ec.hc360.com/2011/04/200830422166.shtml 松下： http://info.ec.hc360.com/2011/04/200830422226.shtml 红宝石： http://info.ec.hc360.com/2011/04/200849422367.shtml 富士通： http://info.ec.hc360.com/2011/04/200902422397.shtml 差不多就这些了，希望能帮到你哈，怎么不给点分呢？

LZ你好， 要显示器吗？要显示器的话，配i5的就有点困难了，光一个i5CPU就需要一千多，而且DNF和CF这种低配置游戏根本用不到i5，先配个不要显示器的配置，要显示器的话我帮你再配。CPU：酷睿i52300(盒）1185元主板：华硕P8H61-MLE 499元内存：芝奇8GBDDR31333（F3-10666CL9D-8GBRL）299元硬盘：希捷Barracuda320GB7200转16MBSATA3（ST500DM002）360元显卡：蓝宝HD6750512MBGDDR5白金版 569元电源：安钛克VP550P399元机箱：先马绝影II239元239元总价 3550呵呵，这配置现在一般游戏也都没问题，以后要玩特大型3D游戏直接换个高性能的显卡就行了， 希望可以帮到你，有问题再问我，， 望采纳

炉石传说标准模式是游戏中的主要玩法，贫瘠之地版本标准模式有哪些强力卡组？下面给大家分享炉石传说贫瘠之地4月15日标准模式国服天梯前20卡组炉石传说贫瘠之地4月15日标准模式国服天梯前20卡组分享霸气登顶/冰火丨上将豪抄了也登顶的奥秘骑如果没什么问题的话，今晚霸气会来总结一下注意的打法和构筑的问题AAECAZ3DAwiW6AP86APb7gPn8AOoigSwigTqnwTIoAQLysEDns0DjtQDg94Dhd4DkeQDzOsDzusDz+sD4+sD658EAA==疏星丨往昔登顶节奏瞎这种偏中速节奏瞎在不太灵活的环境下能够一直压制慢速，类似宇宙猎AAECAc7WAwL86APn8AMOxLwD2cYD+84D/tEDxd0DzN0D8+MDkOQDwvEDgIUEg58Etp8E0p8E7KAEAA==九千羽第四圣契骑甩笔依然可用，但是主要解场的话一张足矣，鸟毛这里的想法是圣契骑在削弱直伤之后要用5-3大刀补伤害AAECAZzhAwrKuAOEwQOfzQOO1AOF3gP94wOR7APb7gOoigTIoAQK/bgD6rkD67kD7LkDysEDns0Dg94DzOsDzusDz+sDAA==KZGxiaobai前十超生德AAECAZICArnSA9efBA7lugPvugP5zAObzgPw1AOJ4AOK4APR4QOM5AOP5AOt7AOz7AOunwTZnwQA雷霸霸前十T7猎T7猎在这种分段还是上下限太低，很多情况下毫无办法， 所以他玩这套总体表现并不好，已经转向奥秘骑了AAECAR8GgtAD/OgDnuoDouwD5e8D5/ADDNzMA7nSA4biA/HpA9vqA5rsA5/sA9vtA6mfBLugBL6gBL+gBAA=LFBleau 11 法术法呼啦可以换第二个燃烧AAECAc76AwSU0QPr3gOT4QPonwQNwbgDjLkDgb8D4MwDx84Dzc4D99ED+90D0OwD0ewD/J4E/Z4E/p4EAA==wcysai控制牧法师开愚人的机会少了，牧师可以偏向上版本龙牧的节奏走随从站场控场模式了AAECAaKrBAT70QP76APU7QPn8AMNk7oDm7oDr7oD28wD3swD184DtNED/tEDjtQD4t4D+OMDkeQDlugDAA==虎牙丶幻觉系统吸血瞎这套牌的来源是幻觉在卡组里面加入了伊格诺斯，系统自动完成的构建，通过加入亡语体系来帮助过牌卸牌抗节奏，幻觉和小船在40-20分段各自都玩了三十局，都打出了70+的胜利AAECAaarBAbVyAPQ3QO/7QOoigTUnwSXoAQM6b4D2cYDztID3dMDx90D8+MDlegDmOoDu+0D/e0DoaAE7KAEAA==独坐黄昏前20节奏贼还是版本更新前的思路，不过甩笔的卡位换成了123， 抓节奏瞎一绝AAECAcKPBATZ0QOX5wP86APn8AMNqssDpNEDi9UD390D590D890DlugDqOsDqusDkZ8E9p8E7qAE76AEAA==

K字头是快速旅客列车，Z字头是直达特快旅客列车，D字头是普通动车组列车，G字头是高速动车组列车。1，K字头快速旅客列车级别高于普通旅客快车、低于特别快速旅客列车。快速旅客列车的车次以大写字母“K”开头，出现在中国第一次铁路大面积提速之后，载客车厢大多是红色的25G车体，亦被称为“红皮车”。2，Z字头直达特快列车在2014年12月10日调图之前，直达特快列车多为全程一站直达，也有部分会停靠起点站和或终点站所在路局集团有限公司管内的大站，以及中途必须技术停车的车站。3，D字头普通动车组列车在设计时速为300公里或350公里的线路上运行时，最高时速为250公里；当在设计时速为250公里或200公里的线路上运行时，最高时速为200公里。4，G字头高速动车组列车在设计时速为300公里或350公里的线路上运行时，最高时速为300公里，铁路系统标准念法为“高**次”。G字开头1号车G1001次就是武汉站～广州南站直达列车。扩展资料列车优先权：当两列车同时要开向同一轨道时，按以下原则让车：如果当因为特殊原因(如自然灾害，车祸等)火车发生晚点的时候，晚点车让正点车(当两列车都晚点时，晚点时间长的让时间短的)。如果按照上一条两列车都正点，按照车次开头数字(字母)排：L开头(临客)让6、7开头(普客)让1、2、3、5开头(普快)让K开头(快速)让T开头(特快)让Z开头(直达)。D开头(动车)；G开头(高铁)走专用铁路线。如：T和K在衡阳站同时等待开往北京，那么T先走，K后走。如果车次开头数字(字母)相同的时候，车次号较小的有优先权，假如说D1和D3因为水害的原因同时在山海关站等待开往沈阳北，这时候前方铁路异常状态排除，那么D1先开，之后D3再开。参考资料来源：百度百科-旅客列车参考资料来源：百度百科-直达特快列车参考资料来源：百度百科-快速旅客列车

快装纵置式固定炉排锅炉...。

日系品牌有：NICHICON，RUBICON，RUBYCON（红宝石）、KZG、 SANYO（三洋）、PANASONIC（松下）、NIPPON、FUJITSU（富士通）等；（日系七大电容厂商：Sanyo三洋、Rubycon红宝石、Nichicon蓝宝石、Matsushita松下、NCC（Nippon Chemi-Con日本化工）的KZG系列、Fujitsu、Nippon）。台系品牌有：TAICON、G-LUXCON、TEAPO、CAPXON、OST、GSC、RLS等。NICHICON(蓝宝石),音译为尼吉康，与RUBYCON(红宝石)、KZG、SANYO(三洋)等是全球一线电容的代表.在固体铝电解方面具有全球一流水平, 并收购panasonic(松下)钽电容。Nichicon的最高级别HZ系列是目前所有电容级别最高的。名副其实的电解电容之王。Nichicon HN 系列电容是Nichicon中仅次于HZ系列的电容，性能参数非常不错，与其他品牌的顶级电容性能相当。高端主板上也不是很常见，有点像Rubycon MCZ电容，非常稀有。Nichicon HD 电容在以前非常流行，现在随着HM的普及取而代之以前的地位。在以前P3和早期的P4时代的主板上可以看到。再低一档次的就是NICHICON　HE系列电容。）另外，关于HV系列电容的定位不是很清楚。应该在HM和HE系列之间，性能参数与HD系列差不多。SANYO OSCON SVP电容，非常昂贵的高端固态电容，一般只会出现在中高端的主板上或是显卡上。只有极少数高端板卡会采用全部SANYO OSCON SVP 电容的阵容。价格一般会非常高。一分钱一分货。这是目前板卡上质量最好的电容之一。SANYO OSCON TCNQ电容，也是性能非常出色的SANYO固态电容，蓝色的外壳非常漂亮独特，可以一眼看出是SANYO的电容。质量也非常出众。价格略低于OSCON SVP电容，通常也是出现在中高端显卡上。一般高端显卡上更多的是采用OSCON 电容的阵容。SANYO 的WG和WX系列电容在技嘉和磐正的主板上比较多见。稳定性和性能相对SANYO来说逊色不少，不过质量也是不错的。RUBYCON（红宝石）MCZ顶级系列电容，完全可以与三洋的OSCON 固态电容有得一拼。MCZ是RUBYCON最高级别的系列电容，代表着红宝石的神话。可惜很少见到，只有高端才会有MCZ的身影。依然很稀有。Rubycon MBZ 电容是最常见的高级电容。通常出现在升技的主板上。升技的中高端主板全部采用的是Rubycon的电容。CPU供电部分一般都是采用的MBZ系列。用料非常不错。偶非常喜欢。MBZ也经常出现在显卡上。特别是五大通路品牌的显卡。虽然因为本成原因，没有使用固态电容，但也或多或少地使用了MBZ。只是显卡上那MBZ电容略短一些。Rubycon ZL系列电容和ZLH系列电容比较接近。各项性能标准上来说都是非常不错的。不过ZLH略好过ZL。升技的板卡通常是采用MBZ＋ZL的组合，偶非常喜欢。还有技嘉也曾经一度非常流行Rubycon ZL系列电容。Rubycon YXG电容，性能一般，是Rubycon中最普通的系列。常用于显卡上。NCC的PS系列固态电容，与SANYO OSCON 电容有得一比，也是非常昂贵的高端固态电容，一般只会出现在中高端的主板上或是显卡上。一般与SANYO OSCON 电容搭配使用出现在高端板卡上。这也是目前板卡上质量最好的固态电容之一。KZJ　电容Nippon Chemi-Con日本化工的顶级电解电容，性能勿需质疑，定位于红宝石的MCZ性能相当，但是也比较稀有。KZG电容外观比较独特，很好认，华硕的最爱。通常在华硕的主板上可以看见整排的KZG电容特别是CPU供电部分，很常见。DFI的中低端也有使用KZG电容，高端的CPU供电输入部分也很常见，不过CPU供电输出部分常用固态电容。KZG的性能也是非常不错的。有不少的厂商都采用了KZG电容。还有技嘉，微星两大厂商也经常采用。可以说三大厂商都一致信赖KZG。KZE电容也是以前比较多见。以前的KZE外观为绿色，和三洋的WG,WX有点相近，不过感觉更像台系电容；现在的KZE和KZG一样为暗紫色。常见于华擎的主板。KZE相对KZG而言低了一个档次。KY电容长得还是比较YY的，有点像高端电容。可惜定位却是低端产品。KY系列是NCC的低端产品，质量一般。通常搭配在主板非主要供电滤波电路上。Matsushita松下FM系列性能并不能与Nichicon的最高级别HZ系列以及RUBYCON（红宝石）MCZ顶级系列电容相比。松下的实力却是勿庸置疑的，松下在陶瓷电容方向上更有作为。华硕的产品线中有不少使用了松下电容。Matsushita　FC电容比较常见，主板上使用的松下滤波电容最常见的都是属于FC系列电容。质量也还算不错，有些主板的CPU供电部分使用的是更高级别的FM系列电容。Fujitsu SU　固态电容，军工级电容。可惜这么好的电容被五大通路厂商的垃圾主板给浪费了。因为那些主板的CPU供电电路大多都不惜成本地采用了全部Fujitsu SU　固态电容的阵容，可惜返修率依然居高不下。

KZG、KZE 由著名的NCC（Nippon Chemi-Con 即日本化工）供应。 Teapo — 台系中最好的。 Sacon — 韩国电容厂家，品质8错。GSC — 暴浆王。Jackcon — 比GSC还烂。。。一代暴浆王。OST — 较容易暴浆，和GSC齐名。。。著名电容品牌识别 （仅供参考）Rubycon(红宝石)Rubycon(红宝石)产自日本，已是知名的名牌电容，品质优异。防暴纹为英文字母“K”字型，侧面注有“Rubycon(”字样NICHICON(你吃糠)NICHICON是日本的老牌电容厂，其成名的时间和著名的RUBYCON（红宝石）差不多。不过它如今的水平比RUBYCON要好一些，因为NICHICON现在已经有铝固体聚合物导体电容——F55系列。不过NICHICON电容和SANYO、CHEMICON等厂牌相比，普遍的指标都比较低，其LOW ESR的最高端产品，ESR值还停留在10几毫欧姆的水平（SANYO的钽聚合物并联电容能达到5毫欧姆）。基本上，NICHICON的进步势头已经很慢了。防暴纹为十字型（最垃圾的山寨电容也是十字）侧面有“nichicon”字样SANYO(三洋)SANYO在电解电容行业里面的地位，有些像三星在数字家电行业里面的地位。因为SANYO电容的种类和产量都是最多的，研发技术水准也是数一数二的。单从性能上看，SANYO可能并不算最高端的品牌，但是从生产规模、供货能力、品控能力和研发水平综合评判，SANYO绝对是如今电容行业里的龙头老大。也是“K”字防暴纹，则面“sanyo”字样NCCNippon Chemi-con 即日本化工，NCC电容外皮上没有标示厂牌只有型号 但是主机板上不外乎都是 KZG 与 KZE 系列防暴纹酷似奔驰汽车的标志，侧面会著名相应的 KZG 或 KZE 系列PANASONIC(松下)这是我们熟悉的松下。PANASONIC的电解电容和陶瓷电容实力都很强。不过松下高端产品主要以钽固体聚合物电容为主，所以在一般硬件里面使用的很少。此外，松下的电解液电容GOLD（金装电容）系列也很有名。防暴纹为“T”字型，侧面有“M”标记 HE KY YXF,YXG MV-AX,MV-CX FC (P2,P3,K6时代等级)HD,HV KZE ZL,ZLH MV-WX FM (P3,K7时代等级)HM,HC KZG MBZ MV-WG FJ (K7,P4,K8,P4+ 时代高级电容)HN KZJ MCZ (更高一级的电容,市面上极少见到)

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其实从元件用料上就可以发现1、CPU、PCI、AGP、打印口、COM口等插槽和接口的生产商，目前公认FOXCON的比较好，其次AMP，MOLEX也还行，如果不是上述三家或者根本就找不到厂牌商标，那质量就很难说了2、重要电容，首先是品牌，三洋、nichicon、KZG、KZE、rubycon的属于一流货色，OST、G-luxry、LXF属于二流货色，其他的都很一般；其次是容量，一般都是算总容量，比方同为865PE主板，A厂的CPU插座旁边同规格电容总容量是19800uf，B厂的则是15000uf，那么B厂的就不如A厂的主板，至少在供电能力上弱3、焊接工艺，一看元件排列是否规则整齐，二看焊点处理是否饱满、均匀，三看焊点是否清洁4、PCB做工，质量好的应该牢固，不易变形，从边缘对光观察，均匀透光且透光性比较低的PCB较为密实，或者用指甲用力刮一下，痕迹越小越好5、不成文的规矩：看品牌，ASUS最便宜的主板，做工也不会比山寨厂自己生产的最贵的主板差

太复杂了,简单点 1拿一块好板子,是沉甸甸的,用工扎实呀,水平拿起来看,能看到几层,比较厚,说明是用料充足的,比如PCB6层,8层. 2看外观,全固态电容,是那种银色的圆柱形,这种电容很稳定,不易浆暴. 3看配置,比如DVIHIMI接口,光纤输出,同轴等. 4再看看主板上的接口,SATA有几个?至少有四个,好板子是6-8个,USB也有二个以上.综上,可以总判断一个板子是否缩水,当然这种板子通常是比较贵的,600元以上,500元以下的,本来就缩水了不少了

映泰在主板界也算是巨头了，除了三大主板巨头之外，接下来可能就要算是映泰了，不过由于三大巨头的过于强势，使得映泰主板的风头显得少了一点，但今年开始，映泰主板似乎开始发力，接连推出一些比较有卖点产品，你如果比较喜欢这个牌子的话我可以给你推荐一款个人觉得还不错的主板供你参考： 映泰TForce4 U775是首款面市的C19 Ultra主板，也是映泰T系形超频主板中的重要成员。作为映泰T系列的一员，他的超频能力不可小视。 映泰TForce 4 U 775采用蓝色ATX大板设计，基于最新的nForce4 Ultra +MCP51-N芯片组，支持全系列Intel LGA775架构的处理器，包括最新的双核处理器，主板提供1066MHz前端总线的支持、支持DDR2 677内存规格，最大容量为4G，并且这块主板还支持双通道模式、RAID等功能。 供电部分使用了完整的三相供电回路，并且使用了昂贵的固态电容和高品质KZG电解电容来保证供电的稳定，电感也是性能较好的半封闭陶瓷电感。 大板设计的TForce 4 U 775不出意外地使用了4条内存插槽，比市场上普通的C19主板多了两个插槽，内存容量也大一倍，最大可以使用4G的内存，并且有2个PCIE1X，4个PCI插槽来保证其扩展性。细节方面，主板一角安置了LED灯，使得超频爱好者可以更方便地操作及了解计算机状态。并且，为了满足超频玩家对内存电压的要求，特别准备了一个内存电压跳线 在功能方面主板配备了千兆网卡和7.1声道音效芯片，并且提供了4个SATA接口，可以组建RAID磁盘阵列。经测试，用TForce 4 U 775可以把PD805超到200外频，此时频率已经高达4G！ 经PD805+TForce4U775勇超4G表明， TForce4U775不同于市面上杂版C19主板，完全是为PD805等Smithfield核心以及下一代的Presler核心超频而打造,可以说是应运而生，是intel平台超频最佳选择。

炉石传说spring是寂寞无敌冷酷春少。炉石传说2022大师巡回赛秋季总决赛将在10月28日-30日每日15:00起进行，寂寞无敌冷酷春少（spring），加赛胜出的lovestorm（5kslovestorm）、小马哥（kzgxmg）、白琴里（kzgxiaobai）登场世界赛，究竟谁能从一众冠军选手中突出重围。

分类: 娱乐休闲 >> 动漫 问题描述: 汉字用假名标注,迷,没有你的夏天,kimigaireba(没记错是日语名),ぼくがいる(谁能找到?银翼の奇术师插曲)越多越好 解析: [名侦探柯南TV版 OP3] 歌手：小松未步 作词：小松未歩 作曲：小松未歩 编曲：古井弘人 この世であなたの爱を 手に入れるもの 踊るライト见つめて 忘れない ahh 谜が解けてゆく 君はまだ 疑うことなく 友达と呼べた日々过ごし 今もずっと 涙あふれ 止まらなくて 失うことだけを 教えてゆくつもり 少しでも伝えたくて 伤む心が どんな経験しても やっぱり迷うのよ この世であなたの爱を 手に入れるもの 踊るライト见つめて 忘れない ahh 谜が解けてゆく 君がただ 见失う时は やり场のない想いを感じ 镜となる わざとじゃなく ひらめくのよ 不思议なシグナルが 私に仕挂けるの もうすぐ私のもとにハートが届く だけどこの胸騒ぎ 今すぐ会いたくて 谜めくあなたの爱を手に入れたとき 世界は生まれ変わる 目覚めたら ahh 无限に広がる 少しでも伝えたくて 伤む心が どんな経験しても やっぱり迷うのよ この世であなたの爱を 手に入れるもの 踊るライト见つめて 忘れない ahh 谜が解けてゆく 谜が解けてゆく.. 在这个世界上把你的爱 放在手里 看着舞动的灯光 忘记不了 去把谜团解开 你仍然充满疑惑 和朋友一起度过每天 直到以后 流着眼泪 停也停不了 只想请教如何追回失去的东西 及时只有一点点也请说出来 因为受伤的心 不论怎样有经验 还是会感到迷惑 在这个世界上把你的爱 放在手里 看着舞动的灯光 忘记不了 去把谜团解开 你只在迷失的时候 觉得不知该想些什么 象块镜子 不是刻意去想 是忽然想出 不可思议的信号机 为我而安置 很快你会把你的心送到我的身边 但是胸中一阵骚动 因为马上要和你相遇 把你的爱放在手里的时候 世界发生变化 睁眼一看 无限宽广 流着眼泪 停也停不了 只想请教如何追回失去的东西 及时只有一点点也请说出来 因为受伤的心 不论怎样有经验 还是会感到迷惑 在这个世界上把你的爱 放在手里 看着舞动的灯光 忘记不了 去把谜团解开 去把谜团解开 kono yo de anata no ai o te ni ireru mono odoru RAITO mitsumete wasurenai ahh nazo ga tokete yuku kimi wa mada utagau koto naku tomodachi to yobeta hibi sugoshi ima mo zutto namida afure tomaranakute ushinau koto dake o oshiete yuku tsumori sukoshi demo tsutaetakute itamu kokoro ga donna keiken shite mo yappari mayou no yo kono yo de anata no ai o te ni ireru mono odoru RAITO mitsumete wasurenai ahh nazo ga tokete yuku kimi ga tada miushinau toki wa yariba no nai omoi o kanji kagami to naru waza to janaku hirameku no yo fushigi na SHIGUNARU ga watashi ni shikakeru no mou sugu watashi no moto ni HAATO ga todoku dakedo kono munasawagi ima sugu aitakute nazo meku anata no ai o te ni ireta toki sekai wa umarekawaru mezametara ahh mugen ni hirogaru sukoshi demo tsutaetakute itamu kokoro ga donna keiken shite mo yappari mayou no yo kono yo de anata no ai o te ni ireru mono odoru RAITO mitsumete wasurenai ahh nazo ga tokete yuku nazo ga tokete yuku... 君がいない夏 [名侦探柯南TV版 ED4] 歌手：DEEN 作词：小松未歩 作曲：小松未歩 编曲：池田大介 つらい朝はうんざりするね つまずいても楽しく生きてゆくよ 缲り出そう 追いかけてはるかな梦を どんなに离れていてもわかる 忘れかけてた甘い夏の日を あれからどれくらいの 时间がたつの？ 大好きだったあの笑颜だけは しばらく近くで重ねあう日々を ahh もう戻れない时を小さく祈っている 今は远い优しい君を 打ち寄せてる穏やかな波がさらう 何もかも 思い出を失くしたせいさ あの日のように辉く梦も 忘れかけてた甘い夏の日も いつかは二人の胸によみがえる 少し大人になれる気がしてた それそれ违う人生を选ぶことで ahh もう戻らない时を小さく祈っている 鲜やかすぎる 君がいない夏 あの声 あの仕草が 広がってく 言叶になんかできなくてもいい こぼれた日差しに心がにじんだ ahh もう戻れない时を小さく祈っている ahh もう戻れない时を小さく祈っている 一早上的辛劳 我有些倦怠 但我仍快乐的迎接每个日出 哪怕在低徊的时候 让我们都去追寻遥远的梦想吧 我知道遥远的距离也不能把我们分开 那难以忘怀的甜蜜夏日 已经是多久以前的往事了！ 充满爱恋的笑靥 仿佛还近在昨天 啊 我平静地祈求回到 那再也追不回的过去时光 正在万水千山之外的人啊 微波拍打着 恍若要载你到远方 为什么 我失去了所有的记忆 只珍存了那一天 我闪光的梦想 那难以忘怀的甜蜜夏日 总有一天 它仍回到你我的心里 更加成熟的我们 也许将能在那时找到自己的人生选择 啊 我平静地祈求 那再也追不回的过去时光 你走的那个夏天 至今仍在我的脑海里鲜明如昔 你的声音 你的怪癖 依然历历在目 不在乎能否用语言表达 夕阳的美丽映在我心底 啊 我平静地祈求 回到那再也追不回的过去时光 啊 我平静地祈求 回到那再也追不回的过去时光 tsurai asa wa unzari suru ne tsumazuite mo tanoshiku ikite yuku yo kuridasou oikakete haruka na yume o donna ni hanarete ite mo wakaru wasurekaketeta amai natsu no hi o are kara dore kurai no toki ga tatsu no? daisuki datta ano egao dake wa shibaraku chikaku de kasaneau hibi o ahh mou modorenai toki o chiisaku inotte iru ima wa tooi yasashii kimi o uchi yoseteru odayaka na nami ga sarau nani mo kamo omoide o nakushita sei sa ano hi no you ni kagayaku yume mo wasurekaketeta amai natsu no hi mo itsuka wa futari no mune ni yomigaeru sukoshi otona ni nareru ki ga shiteta sorezore chigau michi o erabu koto de ahh mou modorenai toki o chiisaku inotte iru azayaka sugiru kimi ga inai natsu ano koe ano shigusa ga horogatteku kotoba ni nanka dekinakute mo ii koboreta hizashi ni kokoro ga nijinda ahh mou modorenai toki o chiisaku inotte iru ahh mou modorenai toki o chiisaku inotte iru キミがぃれば 演唱：伊织 作词：高柳 恋 作曲：大野克夫 编曲大野克夫 日文歌词 ぅつむくその背中に 痛ぃ雨がつき刺さる 祈る想ぃで见てぃた この世にもしも伞が たったひとつだとしても 搜してキミに渡すょ なにも出来なぅけどキミの代はり 濡れるくらぃわけもなぃさ ぉ愿ぃ その恼みを どぅ私か打に明ちけて 必ず朝は来るさ 终わらなぃ雨もなぃね だから自分を信じて 月と太阳なら私は月 キミがぃれば辉けるよ ひとりで背负わなぃで 气づぃて私がぃるまこと もぅすぐその心に きれぃな虹が架るから もぅすぐその心に きれぃな虹が架るから 中文歌词 雨点敲打着你 低垂的背脊 我怀着祈祷的心情一直关注着你 如果这个世界上 只有一把伞 我要把它找给你 我不能为你做点什么 带你淋雨也无济于事 求求你 将那些烦恼 向我倾诉吧 黑夜过后一定会有黎明 世界上也没有下个不停的雨 所以请你相信自己 你是太阳 那么我就是月亮 如果有你我才能发光 你不要一个人承担痛苦 你要知道我就在你身边 因为很快 你的心里 就会架起美丽的彩虹 罗马发音 UTsuMuKu SoNoSeNaGaNi ITaiIMe GaZuKiSaSaRu INoRuOMoITeMo TeITa KoNoYoNi MoShiMoKoYuKa TaTaHiTo TsuDaToShiTeMo SaKaShiTeKiMiNiWa TaSuYo NaNiMoDeSaNaITeDo KiMiNoKaWaRi NeReRuKuRaI WaTeMoNaISa ONeKaI SoNoNaYaMiWo DouKaWa TaShiNiUSaAKeTe KaNaRaZu ASaHaKuRuSa OWaRaNai AMeMoNaINe DaKaRaShiFunWo ShinXiTe ZuKiToTaIYoUNaRa WaTaShiHaZuKi KiMiGaIReBA KzGYaKeRuYo HiToRiDe SeOWaNaIDe SaZuITe WaTaShiKaIRuKoTo MouSuGu SoNoKoKoRoNi KiReiNa DaiGaKaKaRuKaRa MouSuGu SoNoKoKoRoNi KiReiNa DaiGaKaKaRuKaRa ぼくがいる（柯南之歌） 歌手：伊织 作词：阿久悠 作曲/编曲：大野克夫 日文歌词 明日になれば 涙が干く 心も色ついて来る 笑颜が似合う あなたのために いつでもこのぼくがいる 満月が赤くにじんで见え 哀しい歌が流れる いいコだ いいコ 泣かないでくれ 近くにこのぼくがいる コナン おしゃべり好きの あなたが好きさ いつでもこのぼくがいる つむじ风 街を走って行く 谁かの声に呼ばれて いいコだ いいコ 泣かないでくれ 近くにこのぼくがいる コナン LA LA LA... コナン °．·∴终わる°． ° ∴· 中文歌词 明天 将不再流泪 为了怀念春天的你 为了充满笑脸的你 我随时都在你身边 满月透着红色 哀怨的歌声回荡 好孩子呀 好孩子 你不要哭 你身边还有我 柯南 我喜欢 喜欢多嘴的你 我随时都在你身边 旋风横扫街道而去 风中有声音在呼唤我 好孩子啊 好孩子 你不要哭 你身边还有我 柯南

炉石传说目前已经推出21.3版本更新，新版本标准模式有哪些常用的强势卡组？下面给大家分享炉石传说21.3版本标准模式前十卡组补丁之后，我们找到了国服前十的几位玩家，要到了一些他们的卡组供大家作参考，根据前十玩家的使用卡组来看，吸血瞎和锁喉贼应该是版本最强的两套卡组，但同时也伴随着一定的操作难度。大家可以根据自身情况选择合适的卡组上分，最后祝大家都能打到自己想要的名次。第一 疏星丨往昔 吸血瞎AAECAbn5AwTQ3QP39gOL9wPQ+QMN6b4D1tED3dMD+dUDx90D2d4D8+MDlegD/e0DivcDxfkDtKAE7KAEAA==第三 梦碎了一地 锁喉贼AAECAaIHAp/NA/zoAw7evgPgvgOqywPHzgOk0QOL1QPn3QPz3QOo6wOr6wP+7gOO9AP2nwT3nwQA第五 JrsRandoph 快攻猎AAECAR8G4c4Dj+MDleQD3OoD5e8D5/ADDKK5A9e+A96+A9zMA6LOA4LQA7nSA4vVA4biA/DsA/f4A7ugBAA=第六 LFyueying 锁喉贼AAECAcKPBAKfzQPn8AMO3r4D4L4DqssDlc0DpNEDi9UD390D590D890DqOsDq+sD/u4DjvQD9p8EAA==第八 KZGxiaobai 海盗战AAECAYwWBvbCA5PQA/fUA47tA5XtA5j2AwzizAO13gP+5wOP7QPV8QOV9gOW9gOX9gPP+wOmigStoASvoAQA第九 雾都丨上学威龙 邪能吸血瞎AAECAea5AwLQ3QON9wMO6b4D2cYD1tED3dMDxd0Dx90D8+MDlegDwvEDifcDivcDg58Etp8E7KAEAA==第十 小劲哥 海盗战AAECAaPLAwjizAOT0AP31AOO7QOm7wOY9gPQ+QP4gAQLtd4Dtt4D/ucDj+0D1fEDlfYDlvYDl/YDz/sDpooEr6AEAA==

Sanyo----三洋电容 Rubycon---红宝石 Nichicon --日系电容 KZG-------日系电容 日本化工,Nippon Chemi-con KZE-------日系电容 Panasonic-日系（松下）电容

映泰主板！映泰在主板界也算是巨头了，除了三大主板巨头之外，接下来可能就要算是映泰了，不过由于三大巨头的过于强势，使得映泰主板的风头显得少了一点，但今年开始，映泰主板似乎开始发力，接连推出一些比较有卖点产品，你如果比较喜欢这个牌子的话我可以给你推荐一款个人觉得还不错的主板供你参考：映泰TForce4 U775是首款面市的C19 Ultra主板，也是映泰T系形超频主板中的重要成员。作为映泰T系列的一员，他的超频能力不可小视。映泰TForce 4 U 775采用蓝色ATX大板设计，基于最新的nForce4 Ultra +MCP51-N芯片组，支持全系列Intel LGA775架构的处理器，包括最新的双核处理器，主板提供1066MHz前端总线的支持、支持DDR2 677内存规格，最大容量为4G，并且这块主板还支持双通道模式、RAID等功能。供电部分使用了完整的三相供电回路，并且使用了昂贵的固态电容和高品质KZG电解电容来保证供电的稳定，电感也是性能较好的半封闭陶瓷电感。大板设计的TForce 4 U 775不出意外地使用了4条内存插槽，比市场上普通的C19主板多了两个插槽，内存容量也大一倍，最大可以使用4G的内存，并且有2个PCIE1X，4个 PCI插槽来保证其扩展性。细节方面，主板一角安置了LED灯，使得超频爱好者可以更方便地操作及了解计算机状态。并且，为了满足超频玩家对内存电压的要求，特别准备了一个内存电压跳线在功能方面主板配备了千兆网卡和7.1声道音效芯片，并且提供了4个SATA接口，可以组建RAID磁盘阵列。经测试，用TForce 4 U 775可以把PD805超到200外频，此时频率已经高达4G！经PD805+TForce4U775勇超4G表明， TForce4U775不同于市面上杂版C19主板，完全是为PD805等Smithfield核心以及下一代的Presler核心超频而打造,可以说是应运而生，是intel平台超频最佳选择。

伊织（平假名：いおり，1979年2月6日—）是日本的女歌手。隶属于环球唱片。曾经隶属于Polydor Records。出生于东京都，血型是B型。于1997年唱《名侦探柯南》主题曲《キミがいれば 》出道。她给《名侦探柯南》配的很多插曲都深受喜爱,如《キミがいれば 》，《爱はいつも》等。她的嗓音悠扬，无论快歌还是忧伤的歌，都舒展自如。《如果有你在》专辑封面发行专辑（只列《名侦探柯南》中，不全。其他不详）★《名侦探柯南》剧场版1——引爆摩天楼插曲「キミがいれば/逢いたいよ」☆发行日期：1997年4月23日作词：高柳恋作曲：大野克夫演奏：カラオケ☆收录曲目：1.キミがいれば2.逢いたいよ3.キミがいれば(Instrumental)4.逢いたいよ(Instrumental)★《名侦探柯南》歌曲专辑 - 如果有你在「名探侦コナン」ソングアルバム　ぼくがいる☆发行日期：1997年10月22日☆收录曲目：1.(2"47") ぼくがいる～コナンのテーマ～2.(2"51") いいひとに逢えたね～新一のテーマ～3.(2"59") ナゾが仆らを呼んでいる～少年探侦団のテーマ～4.(3"31") 瞳を闭じれば～兰のテーマ～5.(3"34") ホシが歩いた道を～名探侦コナン 新メイン·テーマ～6.(4"32") 想い出たち～想い出～7.(2"46") やるっきゃないのさ～コナンの胜利～8.(3"15") あなたを感じてる～兰·爱のテーマ～9.(3"05") キミがいれば(アルバム ヴァージョン)～名探侦コナン メイン·テーマ～伊织 - 逢いたいよ伊织（いおり）は日本の女性歌手。ユニバーサルミュージック(UNIVERSAL MUSIC)所属。所属レーベルはポリドール(Polydor Records)。シングル伊织是日本的女性歌手。universal音乐(UNIVERSAL MUSIC)所属。所属唱片公司是多多尔(Polydor Records)。1st1997年4月13日キミがいれば作词：高柳恋作曲：大野克夫编曲：大野克夫テレビアニメ『名探侦コナン』主题歌映画『名探侦コナンシリーズ』挿入歌c/w「逢いたいよ」1st：1997年4月13日如果有你在作品:高柳恋 作曲:大野克夫曲子:大野克夫电视动画片『名侦探柯南』主题歌电影『名侦探柯南系列』插曲「想见」2nd1997年9月26日ぼくがいる作词：阿久悠作曲：大野克夫编曲：大野克夫テレビアニメ『名探侦コナン』挿入歌c/w「やるっきゃないのさ」2nd：1997年9月26日有我在作词：阿久悠 作曲:大野克夫曲子:大野克夫电视动画片『名侦探柯南』插曲3rd1999年4月1日莎花作词：浅田优美作曲：井内竜次编曲：井内竜次ドリームキャスト『シェンムー 一章横须贺』挿入歌3rd：1999年4月1日莎花作品:浅田美作曲:井内龙次曲子:井内龙次Dreamcast『shenmu』插曲アルバム1st1997年10月22日ぼくがいるテレビアニメ『名探侦コナン』イメージソングアルバム相片簿：1997年10月22日电视动画片『名侦探柯南』印象歌相片簿伊织和大野克夫下面列出她为《名侦探柯南》所唱过剧中插曲的歌词（不全，欢迎补充）キミがぃれば(伊织) 如果有你（KiMiGaILeBa）(伊织剧场版第一作-计时引爆摩天楼)~名探侦コナン メイン.テ—マ~ぅつむくその背中に（UTsuMuKu SoNoSeNaGaNi ）你低垂着背脊痛ぃ雨がつき刺さる（ITaiIMe GaZuKiSaSaRu ）雨点敲打着你让我心痛祈る想ぃで见てぃた（INoRuOMoITeMo TeITa ）我怀着祈祷的心情一直关注着你この世にもしも伞が（KoNoYoNi MoShiMoKoYuKa）如果这个世界上たったひとつだとしても（TaTaHiTo TsuDaToShiTeMo ）只有一把伞搜してキミに渡すょ（SaKaShiTeKiMiNiWa TaSuYo）我定要找到送给你なにも出来なぅけどキミの代はり（NaNiMoDeSaNaITeDo KiMiNoKaWaRi ）我不能为你做点什么濡れるくらぃわけもなぃさ（NeReRuKuRaI WaTeMoNaISa）代你淋雨也无所谓ぉ愿ぃ その恼みを（ONeKaI SoNoNaYaMiWo）求求你将那些烦恼どぅ私か打に明ちけて（DouKaWa TaShiNiUSaAKeTe）向我倾诉吧必ず朝は来るさ（KaNaRaZu ASaHaKuRuSa）黑夜过后一定会有黎明终わらなぃ雨もなぃね（OWaRaNai AMeMoNaINe）世界上也没有下不停的雨だから自分を信じて（DaKaRaShiFunWo ShinXiTe）所以请你相信自己月と太阳なら 私は月（ZuKiToTaIYoUNaRa WaTaShiHaZuKi）如果将我们比做月亮和太阳，那么我就是月亮キミがぃれば辉けるよ（KiMiGaIReBA KzGYaKeRuYo）如果有你在我才能发光ひとりで背负わなぃで（HiToRiDe SeOWaNaIDe）你不要一个人承担痛苦气づぃて私がぃるまこと（SaZuITe WaTaShiKaIRuKoTo）你要知道我就在你身边もぅすぐその心に（MouSuGu SoNoKoKoRoNi）因为很快，你的心里きれぃな虹が架るから（KiReiNa DaiGaKaKaRuKaRa）就会架起美丽的彩虹もぅすぐその心に（MouSuGu SoNoKoKoRoNi）因为很快，你的心里きれぃな虹が架るから（KiReiNa DaiGaKaKaRuKaRa）就会架起美丽的彩虹《ぼくがいる》有我在歌手：伊织（亦有高山南、柯南翻唱版本）明日になれば 涙が乾く （a sh ita ni na re ba na mi da ga ka wa ku）只要明天一到 眼泪就会流干心も色づいて来る （ko ko ro mo i ro du i te ku ru）心也会渐渐著上色彩笑颜が似合う あなたのために（e ga o ga ni a u a na ta no ta me ni）为了最适合笑容的你いつでもこのぼくがいる （i tsu de mo ko no bo ku ga i ru）总是会有这样的我在満月が赤くにじんで见え （ma n ge tsu ga a ka kun i jin de mi e）可以看见渗出红光的满月哀しい歌が流れる （ka na shi i u ta ga na ga re ru）传来哀伤的歌曲いいコだ いいコ （i i ko da i i ko）好孩子啊 好孩子泣かないでくれ （na ka na i de ku re）不要再哭泣了近くにこのぼくがいる （chi ka ku ni ko no bo ku ga i ru）在附近会有这样的我在コナン （konan）柯南君！おしゃべり好きの あなたが好きさ （o sya be ri zu ki no a na ta ga su ki sa）我最喜欢 爱说话的你了！ 是被谁的声音所引来的いつでもこのぼくがいる （i tsu de mo ko no bo ku ga i ru）总是会有这样的我在つむじ风 街を走って行く （tsu mu ji ka ze ma chi wo ha shi tte yu ku）有股旋风 穿越著城市过去谁かの声に呼ばれて （da re ka no ko e ni yo ba re te）是被谁的声音所引来的いいコだ いいコ （i i ko da i i ko）好孩子啊 好孩子泣かないでくれ （na ka na i de ku re）不要再哭泣了近くにこのぼくがいる （chi ka ku ni ko no bo ku ga i ru）在附近会有这样的我在コナン（konan）柯南君！La La La La…コナンLa La La La…柯南君！《想い出たち》往事回忆词：及川眠子 曲：大野克夫 编曲：大野克夫歌手：伊织（亦有高山南、柯南翻唱版本）そっと目を闭じれば いまも浮かぶよ （sotto me wo tojireba i ma mo ukabu yo）轻轻的闭上眼睛 眼前就会浮现きらめく阳射しと なつかしい风景が （kirameku hizashi to natsukashii fuukei ga）光芒四射的阳光 以及令人怀念的风景时が流れても ぼくの心で （toki ga nagaretemo boku no kokoro de）即使时光流逝 我的心なんにも変わらない まぶしいまま（nannimo kawaranai mabushii mama）却没有改变 始终夺目耀眼帰りたくて帰れなくて 远いあの顷には（kaeritakute kaerenakute to o i ano koro ni wa）想回头却无法回头 只希望遥远的过去里甘くそしてせつない想い こみあげてくるだけ （amaku soshite setsunai omoi komiagete kuru dake）那甜蜜而又痛苦的心情 再次涌上心头风に诱われて 梦のかなたで （kaze ni sasowarete yume no kanata de）风儿诱惑着我 在遥远的梦想静かに揺れている 想い出たち （shizuka ni yurete iru omoide tachi）静静的摇晃 那一些回忆青い空の下 いまも振り向く （aoi sora no shita ima mo furimuku）蔚蓝的天空下 直到现在我还在回望友だちといっしょに 游んだ川べりを（tomodachi to issho ni asonda kawaberi wo）和朋友们一起 曾游戏过的河滨不思议なくらいに 忘れられない （fushigi na kurai ni wasurerarenai）简直不可思议 我忘不了ちいさなぼくがいた 无邪気な日々（chiisa na boku ga ita mujaki na hibi）小小的我曾度过的 那些无忧无虑的日子戾りらくて戾れなくて 不意に恋しくなる （modoritakute modorenakute fui ni koishiku naru）想回到从前却回不到从前 在不经意间恋爱了いつか会えると信じながら また歩きだすけど （itsuka aeru to shinji nagara mata arukidasu kedo）一直相信总有一天会见面 又开始了我的旅程いつだってぼくの 胸にあろのさ （itsudatte boku no mune ni aru no sa）无论何时 永在我心中优しさという名の 想い出たち （yasashisa to iu na no omoide tachi）温柔的那一些回忆想い出たち （omoide tachi）一些回忆想い出たち （omoide tachi）一些回忆

匡增桂 郭依群 沙志斌 梁金强（广州海洋地质调查局 广州 510760）作者简介：匡增桂（1983—），男，工程师，主要从事石油地质和天然气水合物的研究。E-mail：kzg21001＠163.com。摘要 本文回顾了近年来国外在天然气水合物沉积学方面的研究进展，并以加拿大马利克（Mallik）以及日本南海海槽的水合物勘探实践为例进行了详细的阐述。在马利克的三角洲相的砂岩层中以及日本南海海槽的浊积砂岩层中都钻遇了高饱和度的天然气水合物，这表明高饱和度易于开发的天然气水合物优先在粗碎屑砂岩中富集，受沉积相控制明显，这一结论为天然气水合物沉积学的研究指明了方向。关键词 天然气水合物 沉积学 马利克 日本南海海槽1 前言20世纪90年代以来，天然气水合物调查研究在世界范围内迅速扩大和深入，调查研究的深度、广度以及技术水平不断提高。其中大洋钻探计划对水合物研究给予了高度重视，随着各个专门调查航次的实施，有力地推动了水合物勘探及研究科学技术的进步。近年来，美国、加拿大、日本、印度、韩国等相继实施钻探、发现并获取了水合物实物样品（图1），给人类带来了开发利用水合物的希望曙光。就水合物的沉积学或成矿沉积条件研究来说，也由于钻井岩心资料的日益丰富也取得了较大的突破。2 水合物储层类型及远景2009年，Collett［1］等首次提出了水合物油气系统（Gas-Hydrate petroleum system）的概念，主要包括了以下六个方面的内容：(1)水合物稳定条件（温压、气体成分以及孔隙水的盐度）；(2)气源；(3)水源；(4)气体迁移；(5)储层、圈闭及盖层；(6)演化时间（圈闭的形成，天然气的生成及就位在时间上的相互匹配）。沉积学在水合物勘探中需要解决的问题就是寻找优质储层、圈定成矿有利相带，而要进行水合物的储层研究，其中最重要的一个手段就是从已取得的岩心入手。Sloan和Koh（2008）［2］通过对已取得的水合物样品的分析，总结出了水合物的四种赋存状态：(1)充填于粗颗粒岩石的孔隙空间；(2)弥散于细颗粒岩石中；(3)充填于裂缝之中；(4)呈瘤状或块状产出。但是大量的水合物勘探实践表明，高饱和度的水合物一般产出于裂缝以及粗颗粒沉积物中，在这些环境中，水合物一般充填于裂缝之中或者富砂层的孔隙之中。Boswell和Collett（2006）［3］根据水合物的赋存量以及开采的难易程度将水合物划分为四种远景类型：(1)砂岩储层；(2)泥岩裂缝型储层；(3)块状水合物（暴露于海底或产出于细粒沉积物中）；(4)低饱和度、弥散于低渗透泥岩之中。他们把这四种类型用一个金字塔表现出来（图2），从塔尖到塔底，资源量逐渐增加，但储层质量逐渐降低，开采难度也逐渐增大。位于塔尖的是最接近商业开发的远景类型，这种类型中最具代表性的水合物聚集带是北极冻土带砂岩储层中的高饱和度水合物藏，包括加拿大麦肯齐三角洲的马利克地区以及美国阿拉斯加的北部陆坡。其次最具开发前景的是海洋环境中砂岩储层的中-高饱和度水合物藏，这种类型以日本南海海槽地区以及美国墨西哥湾地区为代表。金字塔中位于砂岩储层类型之下的是泥岩裂缝型储层，水合物以块状或充填状产出，这种类型以印度的孟加拉湾地区以及韩国东海地区为代表。但是如果要从这种泥岩裂缝中提取出水合物，则需要大量的技术革新，以现有的技术水平很难实现经济开发［4］。位于金字塔底的是在低渗透率泥岩中产出的低饱和度水合物藏，这种类型最典型的实例是美国布莱克海台，以现有的经济技术水平要获取这种弥散状水合物是非常困难的，但是全球绝大部分的水合物资源都赋存在这种泥岩中。现有的常规开发技术只适用于砂岩储层的水合物藏，因此Boswell（2007）［4］认为只有前两种远景类型才值得进一步勘探。下文对加拿大马利克地区以及日本南海海槽的沉积学研究进行简要回顾。图1 全球天然气水合物的研究现状［1］图2 天然气水合物储层类型及远景［3］3 马利克在近期马利克水合物钻探研究计划之前，加拿大帝国石油公司于1972年在马利克地区实施了第一口探井Mallik L-38，完钻井深为2524 m，在810～1102 m的层段内，发现了至少存在10个含水合物的砂层段，合计达110 m长［5］。到90年代，人们逐渐认识到水合物的资源潜力，各国政府对水合物的研究投入逐年增加。1998年，日本石油勘探公司、日本国家石油公司与加拿大地调局合作，启动了Mallik2L-38水合物钻探研究计划，旨在查清水合物在马利克地区的分布。Mallik 2L-38距离Mallik L-38只有100 m，完钻深度1150 m［5］。在878～944 m层段内，获取了37 m的岩心，发现水合物主要以充填孔隙空间的形式赋存于未固结的砂岩和砾岩中，而粉砂岩及泥岩夹层则几乎不含水合物。通过测井曲线分析，Mallik 2L-38在889～1101 m深度范围内大约存在150 m厚的水合物层［1］。这项研究的结果证实了在马利克地区，高饱和度的水合物（达到80％）主要赋存于砂岩和砾岩中，而细粒沉积物则很少含水合物［5］。Mallik 2L-38水合物钻探计划虽然查明了水合物的成因及分布，但是却没有评估水合物的产出能力。2001年，加拿大地调局与日本国家石油公司联合美国地调局、美国能源部等组织了 “Mallik 2002钻探研究计划”。这个计划总共实施了三口钻井，其中Mallik3L-38与Mallik 4L-38为两口观察井，Mallik 5L-38为产能测试井［5］。这次钻探获得了从885.63 m至1150.79 m共265 m长的岩心，根据这些岩心的岩性、层理以及沉积构造的不同，科学家将其划分出6个沉积单元（图3）。单元一（885.63～932.64 m）：块状至弱层状，生物扰动细砂岩，可见粉砂及砾岩夹层。单元二（932.64～944.44 m）：弱层状至层状粉砂岩，见低品位煤及褐煤夹层。单元三（944.44～1004.65 m）：一套厚的砂岩层，顶部可见基质支撑的砾岩夹层，粉砂岩互层广泛分布。砂岩为细至中砂岩，呈弱层状至层状。发育一系列向上变细的旋回。单元四（1004.65～1087.56 m）：富含有机质的层状粉砂岩，夹黄褐色低品位煤及褐煤，底部可见块状细砂岩。单元五（1087.56～1143.70 m）：块状至弱层状细至中砂岩，偶见有机质层及砾岩层。单元六（1142.7～1150.79 m）：层状粉砂岩，夹砂岩及泥岩层［6］。图3 Mallik 5L-38井岩心柱状图［6］其中单元一属于中新世的麦肯齐湾层序（Mackenzie Bay Sequence），单元二至单元六属于渐新世的卡格玛丽特层序（Kugmallit Sequence），除了一些薄的被白云石胶结的砂岩层之外，所有的沉积物都是未固结的，整个岩心段都可见自生黄铁矿（图4）。Medioli等（2003）根据所获得岩心研究认为：麦肯齐湾层序上部的粉砂岩段及底部的砂岩段为三角洲前缘相沉积，卡格玛丽特层序则为三角洲平原相沉积，包括河道（砾岩层）、分流河道（砂岩砾岩互层）以及泛滥平原（粉砂及煤互层）等沉积微相［6］。图4 Mallik 5L-38井含水合物岩心，（a）粗-中砂岩；（b）砾岩4 南海海槽1995年，日本经济贸易及工业省（METI）启动了日本第一个大型的国家水合物研究计划，至2000年该计划结束，已经在日本南海海槽地区成功钻探了一系列布置紧密的钻孔，并进行了地球物理测井。2001年，METI启动了一个更大规模的水合物研究项目——“日本甲烷水合物开发计划”，以评估日本南海海槽地区深水天然气水合物的资源潜力。至2004年，已经成功实施了16个站位的钻探，获得了大量的含水合物的砂岩岩心。该计划在2010年完成了水合物的产能测试，2016年完成实施商业开采的技术准备［1］。值得注意的是，日本企业直接参与并领导了加拿大Mallik水合物研究计划，事实上，日本在水合物研究领域已经成为世界的领先者。在1999 ～2000年日本南海海槽钻探计划中，共设置了一口试验井和三口探井，钻探结果证实，这些探井中至少存在4个含水合物的砂层段，并认为这些砂层段属于浊积扇体的沉积。在随后的2004年钻探计划中，共布置了16个站位的钻探，水深从720～2030 m。测井数据以及岩心样品表明，日本南海的水合物主要有以下三种赋存状态：(1)充填于砂岩孔隙空间；(2)充填于粉砂岩孔隙空间；(3)呈块状产出于细粒沉积物中。其中在站位4和站位13钻遇的水合物属于第一类（图5），站位4中的含水合物的砂岩层总厚度为50 m（282～332 mbsf），站位13则达到了100 m（95～197 mbsf），保压岩心及测井曲线揭示这些砂岩层的水合物平均饱和度为55％～68％［1］。图5 日本南海海槽站位13含水合物砂岩岩心，（a）取自海底以下164.3m；（b）取自海底以下162.8m，样品被保存在塑料袋中，由于水合物分解而使得塑料袋迅速膨胀［7］图6 日本南海海槽站位13岩心综合柱状图［7］图7 日本南海海槽沉积相模式图（Fujii，T.，M.，2009）站位13所取得的岩心显示，海底之下是一段2.5 m厚的砂岩层，紧接着是一段大约40 m厚的泥岩层。从海底50 m往下，砂岩及泥岩的含量开始逐渐增加，从测井曲线上来看，厚的砂岩层段分布于海底之下93～197 m（图6），单层砂岩厚度为1～80 cm。站位13中的砂岩大部分是细砂岩，但在含水合物层段可见中砂岩。微体化石测年显示这些砂岩沉积物的年龄为0.65～1.65 Ma，属于晚上新世沉积。科学家们经过详细的岩心观察及描述，识别出了五个沉积相（图7），分别为A：分流河道沉积；B：近端舌状体沉积；C：远端舌状体沉积；D：天然堤沉积；E：深海平原沉积。在A～D四个沉积相内可以明显的识别出鲍马序列以及向上变细的正粒序层理。相分析结果进一步证实了站位4以及站位13所处的沉积环境为海底扇沉积体系［7］。5 结论综上所述，马利克及日本南海海槽的水合物勘探实践证实，高饱和度水合物的分布与沉积物的岩性有较好的对应关系，它们优先富集于较粗的砂岩以及砾岩当中，粉砂岩及泥岩层含量则相对较低。而以目前的经济技术水平，存在于砂岩中的高饱和度水合物是最有可能也是最容易进行商业开发的类型。沉积相对于高饱和度易于开发的水合物的成藏有着非常重要的控制作用，三角洲沉积及海底扇沉积是其成藏的最有利场所，这对我国水合物的勘探事业具有重要的导向意义。参考文献［1］Collett T S A H Johnson，C C Knapp，R Boswell.Natural Gas Hydrates：A Review，in T.Collett，A.Johnson，C.Knapp，and R.Boswell，eds.，Natural gas hydrates—Energy resource potential and associated geologic hazards：AAPGMemoir 89，2009，P.146～219.［2］Sloan E D and C A Koh.Clathrate hydrates of natural gases，3d ed.：New York，CRC Press，Taylor and Francis Group，2008，p.721.［3］Boswell R，and T S Collett.The gas hydrates resource pyramid：Fire in the ice：Methane hydrate newsletter，Fall issue，2006，p.5～7：http：//www.netl.doe.gov/technologies/oil-gas/ publications/Hydrates/ Newsletter/HMNewsFall06.pdf＃Page＝1（accessed November 26，2008）.［4］Boswell R，R Kleinberg，T S Collett，and M Frye.Exploration priorities for marine gas hydrate resources：Fire in the ice：Methane hydrate newsletter，Spring/Summerissue，2007，p.11～13：http：//www.netl.doe.gov/technologies/oil-gas/publications/Hydrates/Newsl etter/HMNewsSpringSummer07.pdf＃page＝11（accessed November 26，2008）.［5］Max M D，Johnson A H，Dillon W P.State of development of gas hydrate as an economic resource，Chapter 5 in Economicgeology of natural gas hydrate，2006，p.193～195.［6］Medioli B E，Wilson N，Dallimore S R，Dominque Paré，Patricia Brennan-Alpert，and H Oda.Sedimentology of the coredinterval，JAPEX/JNOC/GSC et al.Mallik 5L-38 Gas Hydrate Production Well，Mackenzie Delta，Northwest Territories，Mallik international symposium “From Mallik to the future”，2003.［7］Fujii T，M Nakamizu，Y Tsuji，T Namikawa，T Okui，M Kawasaki，K Ochiai，M Nishimura，and O Takano.Methane-hy-drate occurrence and saturation confirmed from core samples，eastern Nankai Trough，Japan，in T.Collett，A.Johnson，C.Knapp，and R.Boswell，eds.，Natural gas hydrates—Energy resource potential and associated geologic hazards：AAPGMemoir 89，2009，p.385～400.Progress in gas hydrate sedimentology research abroad, with an example of Mallik and Nankai TroughKuang Zenggui，Guo Yiqun，Sha Zhibin，Liang Jinqiang（Guangzhou Marine Geologic Survey，Guangzhou，510760）Abstract：This paper comprehensively reviewed the progress made in gas hydrate sedimentologyresearch abroad in recent years，and had a detailed description on this with examples of gas hy-drate exploration practices conducted in Mallik and Nankai Trough.High saturation gas-hydratewas driled in the sandstone developed in delta environment in Mallik area and in turbidity subma-rine-fan environment in Nankai Trough.This result suggested that high saturation and most acces-sible gas hydrate，obviously dominated by sedimentary facies，preferential enrichment in coarseclastic as sandstones.This conclusion shows the direction of the gas hydrate sedimentology re-search.Key words：Gas hydrate Sedimentology Mallik Nankai Trough

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虽然我不懂MM模块，但是你可以在LOOP里面写个AT END OF XXX来完成这个动作，希望我的回答对你有所帮助 LOOP AT itab INTO wa. If wa-SHKZG = "S". wa-YI = wa-MENGE.Else.wa-YI = wa-MENGE * -1.Endif.MODIFY itab from wa.clear : wa.endloop. 因为不懂模块，所以我只能在程序方面上给你解答，模块方面请教别人吧

对大家来说，所熟知的制造技术应该是从0.25微米开始，到1999年的0.18微米、2001年的0.13微米、2003年的90纳米(0.09微米)，以及2005年将要引入的65纳米(0.065微米)制造工艺。在这个过程中，英特尔始终是领先了一步，ibm、摩托罗拉、amd、ti、富士通、台积电、联电等半导体企业一直都是落后了半拍。但它们对于新工艺的转换同样十分积极，虽然这些企业目前刚刚开始过渡到90纳米阶段，但新一代的65纳米技术同样处于开发阶段，有望在未来一两年内投入实用中。于是，半导体工业界将迎来全新的65纳米技术，而它将与双核心处理器一道成为it界的又一次盛宴。导入新工艺的三大理由半导体的工艺进步主要体现在线长(line length)的不断缩短上，所谓线长指的是芯片内各个硅晶体管连接导线的宽度。线宽越小，芯片的集成度就越高，同样面积的芯片内可以容纳下更多的晶体管，与之对应，晶体管自身的尺寸也相应的缩小。根据目前半导体制造产业的惯例，每隔两年，半导体芯片线宽都会减小30%(相当于原长的70%)。那么，这种改变究竟可以带来多少实质性的好处呢?1、更高的芯片集成度最直接的好处就是可以让芯片的集成度大大增加。我们知道，为了获得更高的性能，芯片内容纳的晶体管数会变得越来越多。对cpu而言，便是运算核心的增强和缓存单元的增大。第一代willamette核心的pentium 4只有4200万个晶体管，转变到northwood核心之后提高到5500万个，而到了现在的prescott核心，晶体管总数达到1亿2500万个。至于下一代的yonah双核心处理器，晶体管规模将突破3亿个。为了尽可能提高性能，各厂商都热衷于增大缓存容量，而cpu的高速缓存要求运行在数ghz的高频率上，只能使用sram类型的存储逻辑。 sram的每一个比特位需要占用6个晶体管，存储密度很低，1mb容量的二级缓存就需要占用5000万个晶体管，这是一个相当惊人的数字。目前在cpu的逻辑分布中，二级缓存占据的硅芯片面积甚至大于运算核心。而按照现有发展趋势，每隔两年cpu的二级缓存容量都会增大一倍。从 willamette(256kb)到northwood(512kb)、到prescott(1mb)，移动领域的banias(1mb)和 dothan(2mb)无不如此，而明年中期出现的yonah双核心处理器甚至将装备高达4mb的二级缓存，晶体管规模急剧提升。换一种说法，就是cpu 芯片的集成度越来越高，基本上与摩尔定律的内容相符合。如果业界不引入新的技术，制造出更高集成度的cpu芯片将成为一项不可能完成的任务。因为芯片的晶体管数量越多，cpu芯片的尺寸变得越来越大，无论对制造成本、散热还是提高运行速度都相当不利，提升制造工艺成为业界共同的选择。反过来，采用先进的制造技术往往能让芯片拥有更出色的表现，从而在激烈的竞争中获得领先优势。在过去几十年间，英特尔始终牢牢把握着这一项优势，几乎每年它们都投入巨资建设或升级自己的十几家芯片制造工厂，无论是在0.25微米、 0.18微米、0.13微米还是90纳米工艺，它们都比对手领先一步。同样，65纳米工艺也是英特尔领衔，我们将于2005年中期看到该工艺被用于新一代双核心处理器的生产。而相较之下，amd的速度比它晚了一年左右的时间。2.更低的成本提升制造工艺意味着巨额的资金投入，改造一条芯片生产线往往需要花费数十亿美金，如果没有庞大的财力，将无法完成这样的任务，事实上这也是其他厂商速度滞后的主要原因。但另一方面，制造工艺的升级可以带来芯片制造成本的降低。对于同样晶体管规模的半导体芯片，新工艺意味着更小的核心面积(芯片的制造成本与核心面积的平方成正比)，那么，同样尺寸的硅晶圆上就可以生产出数量更多的芯片，创造出更多的产值，平均计算一下不难发现每个芯片的直接制造成本实际上是下降了。每一种芯片的产量数以千万计，节约下来的成本完全抵冲了工艺提升所需的巨额投入，正是受到实际利益的驱使，各个半导体厂商才会不遗余力对制造工艺进行一再升级。我们不妨来看看实际的例子。northwood核心、512kb二级缓存的pentium 4 c拥有5500万个晶体管，它的核心面积为131/146平方毫米。而prescott核心、1mb缓存的新版pentium 4拥有高达1亿2500万个晶体管，但它的核心尺寸降低到112平方毫米。在良品率相当的前提下，prescott的制造成本低于前者，这也是prescott一上市就以低价面貌出现的原因之一，当然也不排除竞争的原因。同样，amd、ibm、三星等厂商也在每次新工艺引入中直接受益。即便不为了提高芯片的性能，单单降低成本、提升产品竞争力这一项就足以让各半导体厂商作出提升工艺的决定。3.更低的功耗与更高的工作频率对半导体芯片来说，新工艺往往可以带来运算性能和电气性能双方面的改进。一个非常简单的事实就是，同样的半导体芯片，若用先进工艺制造往往可以带来功耗的明显降低，而低功耗同时又意味着芯片的工作频率可以继续向上提升一个等级，这在过去的实践中也得到极好的例证。amd的athlon xp就是因为工艺的一再升级，工作频率得到不断的提升，使其市场生命力长达5年之久，创下单个cpu架构的新纪录。另一方面，低功耗可以让pc更节能，对散热设计不会带来什么压力，安静、低噪音运行可以得到充分保障。反之，若半导体芯片功耗太高，不可避免将出现运行过程中高热、高噪音的状况，用户对此向来是深恶痛绝。不过，在从0.13微米到90纳米的工艺升级中我们并没能看到这一点。大家可以看到，90纳米工艺的prescott比之前的pentium 4在功耗上高出一大截，这主要是由于cpu设计方案发生改变所致。另一方面，90纳米工艺所产生的晶体管漏电问题一直没有得到应有的解决，芯片功耗降低的效应体现得并不明显。同样，amd也碰到了类似的情况?0纳米工艺制造的athlon 64新品在功耗方面与同频率、0.13微米工艺的产品相当，晶体管漏电问题同样是罪魁祸首，关于这个问题我们会在下文中进行深入的探讨。intel半导体工艺发展蓝图在介绍65纳米技术之前，我们有必要来了解一下英特尔在半导体制造工艺领域的发展计划。在下面这个处理器晶体管规模的曲线图中，我们可以看到英特尔基本上严格遵守摩尔定律，芯片的集成度保持18个月翻一番甚至更快的上升节奏。目前，英特尔所拥有最高集成度的芯片应该是montecito核心的itanium处理器，montecito集成两个cpu核心，缓存单元的容量达到26.5mb，而晶体管规模高达17.2亿个，超出了摩尔定律的定义。英特尔打算用90纳米工艺来生产montecito，这不可避免使它的生产成本极其高昂，考虑到itanium产品线的定位，90纳米的高成本也是可以接受的。再者，这也是目前65纳米工艺尚无法进入实用阶段的权宜之计。在工艺发展上，英特尔有自己的一套严格计划，我们可以从下表中很清楚看到相关的细节。2001年，引入代号为px60的130纳米工艺，晶体管门长度为70纳米，使用200/300毫米的硅晶圆加工生产。2003年，引入代号为p1262的90纳米工艺，晶体管门长度降低到50纳米，全面使用 300毫米的硅晶圆。2005年，引入代号为p1264的65纳米工艺，晶体管的门长度只有35纳米，同样使用300毫米晶圆。而到了2007年，代号为 p1266的45纳米工艺将被及时引入，晶体管门长度只有25纳米尺度。2009年，代号p1268的32纳米工艺导入，晶体管门长度降低到18纳米的惊人尺度。在这之后，硅半导体制造技术将会出现原子极限，但可以保证，至少到2009年，摩尔定律都是有效的。英特尔在研发65纳米工艺之时并没有忘记前瞻性的研究，例如euv深紫外光光刻机技术，为2010年后半导体芯片准备的三门晶体管技术等等，在后文中我们也会对这些内容作一定的介绍。65纳米工艺制造的70mbit容量sram芯片，面积只有110平方毫米。可以看到，现在正处于从90纳米向65纳米转换的关口。英特尔的65纳米技术由位于俄勒冈州hillsboro的英特尔90纳米开发工厂(称为 d1d)开发，在2005年8月份，它就宣布65纳米技术已经开发成功并制造出sram芯片样品。该sram的容量达到70mbit(相当于 8.75mb)，包含了5亿多个晶体管，每个晶体管栅极(打开和关闭晶体管的开关)的尺寸只有35纳米，相当于目前90纳米技术的70%，人体的一个红细胞都比它大上100倍之多。另外，英特尔在晶体管内部使用了低k值(低介电常数)的新材料来提高芯片中的信号速度，而在晶体管之间栅极则使用厚度为1.2纳米的氧化物材料，有利于降低栅极电容，缓解电流泄漏的问题，最终有效降低芯片的功耗。在现有的90纳米工艺上，英特尔就没能解决这个问题，电流泄漏造成芯片功耗不降反增。此外，英特尔在65纳米工艺中成功开发出八个铜互联层结构，达到了相当高的工艺水平。毫无疑问，65纳米工艺令芯片的面积大大缩小，集成度也创下新高，所公布的70mbit容量、65纳米工艺制造的sram芯片本身只占据110平方毫米的面积，若将容量降到4mb，那么芯片本身只需占据50平方毫米左右，即使加上两个cpu内核，一枚芯片所占据的面积也只有100平方毫米，成本比现在的pentium 4还要低，这充分说明65纳米工艺的优越性。65纳米sram芯片的基本存储单元，白虚线区域的面积只有0.57平方微米。65纳米的几项关键技术(一)从90纳米工艺向65纳米的转变过程中，引入各项先进技术是必然的事情。具体来说，英特尔的65纳米工艺包含新的生产设备、新型半导体材料以及新的设计方案等三方面的研究。其中生产设备负责硅晶圆上65纳米宽度连接线路的生成，所指的主要就是光刻机。新型半导体材料，用于提升晶体管性能或克服先进工艺带来的一些负面效应(如漏电流现象增大)。至于新的设计方案，更多是为了适应芯片高集成度带来的新问题，英特尔将在65纳米工艺中引入的“睡眠晶体管”技术就是为了尽可能降低芯片的功耗。印刷电路的制造与光刻设备制造半导体芯片最重要的设备就是光刻机。我们知道，半导体芯片制造过程包含硅晶圆制造、光罩设计、芯片生成和芯片封装等四大步骤，其中，硅晶圆是在专业化的上游工厂完成，而真正决定线宽尺度的关键工作是“光罩设计”—芯片电路在设计完毕之后，提交给制造工厂。光罩的设计和显影过程，逻辑电路在硅芯片上生成。接着，工程人员使用规定波长的紫外线(对应设备为光刻机)照射硅晶圆，而光罩被放置在硅晶圆与照射的光源之间，光罩的金属铬膜就会遮挡光线，没有金属铬膜的地方，紫外线将透过玻璃或石英到达硅片上，形成所需要的图形(这个过程也被称为“显影”，图4)。容易看出，芯片内晶体管连接导线的宽度就取决于光罩的设计和光刻机所采用紫外线的波长，由于制造光罩使用电子束技术，可以达到相当高的精度，这样芯片的线宽尺度实际上是完全依赖于光刻机所发出紫外线的具体波长。波长越短，光路的干涉和衍射现象就越不明显，晶体管就可以达到更小的线宽。既然光刻机是决定芯片线宽尺寸的关键，那么所有的重点就被转移到光刻机的设计上来。要命的是，光刻机是一个高度精密且价格高昂的设备，基本上无法完全依靠第三方公司提供，有实力的半导体厂商基本上都是自行研发或改造设备，同样，英特尔也是走这样的道路并获得相当的成就。针对65纳米工艺的需要，英特尔设计出被称为“交互相移掩模(alternating phase shift masks)”的新颖技术，这项技术能够让193纳米波长的光刻设备继续用于65纳米工艺的芯片制造中，而该设备目前广泛用于90纳米精度的芯片生产中。英特尔的目标是让现在的248纳米波长的光刻设备也能够得到再利用，该设备现在用于130纳米工艺的芯片制造。如果不用大规模更换设备，65纳米工艺的实施成本便能够显著降低，芯片的量产工作也得以快速实现，这对英特尔扭转当前不利形势可谓是至关重要的一环。集成电路的完整制造流程65纳米的几项关键技术(二)材料技术--增强型应变硅(strained silicon)应变硅技术在英特尔的90纳米工艺中得到采用，大家可能会认为这项技术徒有虚名，因为采用该技术的prescott在功耗方面令人极度失望。事实并非如此，应变硅技术的着眼点并非降低功耗，而是加速晶体管内部电流的通过速度，让晶体管获得更出色的效能。所谓应变硅，指的是一种仅有1.2纳米厚度的超薄氧化物层，利用应变硅代替原来的高纯硅制造晶体管内部的通道，可以让晶体管内的原子距离拉长，单位长度原子数目变少，当电子通过这些区域时所遇到的阻力就会减少，由此达到提高晶体管性能的目的。90纳米工艺中的应变硅实际上是使用硅锗(pmos)和含镍的硅化物(nmos)两种材料，二者均可使晶体管的激励电流平均提升20%左右，所付出的成本提升代价则只有2%，费效比是非常明显的。反映到实际指标上，就是处理器可以工作在更高的工作频率上，单就这个因素而言，prescott的表现还是非常值得肯定的。在65纳米工艺中，英特尔决定采用更先进的第二代高性能应变硅，该技术可以让晶体管的激励电流进一步提升到30%，优于90纳米工艺中的第一代应变硅。英特尔表示，凭借这项技术，英特尔可以确保在65纳米工艺中继续领先。而鉴于应变硅技术的明显效果，ibm、amd等半导体企业都准备开发类似的技术。标准掩模(standard mask)、相移掩模(phase shift mask)以及硅晶圆上已经印制好的线路(printed lines on si wafer)比较。应变硅技术可减弱通道中电流的阻力材料技术--高k值材料与应变硅加速晶体管内电流速度相反，在不同晶体管之间需要更好的绝缘，以避免电流泄漏的问题。在90纳米工艺之前，这个问题并不严重，因为晶体管之间有较长的距离。但转换到90纳米工艺之后，不同晶体管的间距变得非常之短，电流泄漏现象变得异常严重。而为了抵消泄漏的电流，芯片不得不要求更大的供电量，造成的直接后果就是芯片功耗增加。我们可以看到，无论英特尔还是amd，90纳米工艺制造的产品都没有在功耗方面表现出应有的优势，而按照惯例，每次新工艺都会让同型芯片的功耗降低30%左右。对于65纳米工艺来说，这个问题到了非解决不可的地步。ibm和amd都采用soi(绝缘层上覆硅，silicon on insulator)技术，soi有效隔断了各电极向衬底流动的漏电流，使之只能够通过晶体管流动，但它对于同级晶体管之间的阻隔效果并不理想。英特尔早先认为soi技术难度太大，所以没在此花费功夫。当然，他们也认为无法继续用二氧化硅做为晶体管的门—通道之间的绝缘层。为此，英特尔决定采用高k值的氧化物材料来制造晶体管的栅极，英特尔称之为“高k门电介质”(high k gate dielectric)。这种材料对电子泄漏的阻隔效果可以达到二氧化硅的10000倍，电子泄漏基本被阻断，这样就可以在绝缘层厚度降低到0.1纳米时还拥有良好的电子隔绝效果。不过，使用高k电介质材料来替代二氧化硅要面对许多技术问题，例如高k介质器件的门限电压可能迅速窜升到500毫伏甚至更高，芯片在运行过程中受热升温后，晶体管的门限电压也将以不可预测的幅度来回摆动，这些问题很可能影响芯片的稳定性。为此，找到具有高稳定性的高k值材料至关重要，英特尔没有透露65纳米工艺将使用哪一种高k值材料，但他们声称这些问题都已经得到良好的解决。若高k材料得到成功应用，英特尔将在65纳米工艺上遥遥领先对手，该工艺生产的cpu芯片将会具有相当出色的功耗表现，目前prescott高功耗的麻烦将一去不复返。材料技术--低k电介质材料在90纳米工艺中，英特尔只能实现7层铜互联结构，而ibm大约在2000年时就成功研发出8层铜互联技术。进入到65纳米工艺之后，英特尔终于实现了8层铜互联结构，每一个芯片可以容纳8个不同的逻辑电路层。层数越多，芯片占据的面积就越小，成本越低，但同时也要面对更多的技术问题。例如，不同的电路层需要用导线连接起来，为了降低导线的电阻(r值)，各半导体厂商都采用金属铜来代替以往的金属铝(这也是“铜互联”的得名由来)。其次，两个电路层之间会产生一定的电容效应(c值)，由导线电阻r和层间寄生电容c共同产生的rc延迟决定着芯片的高速性能。电路层越多，rc延迟就越高，芯片不仅难以实现高速度而且会增加能耗。使用电阻率更低的铜代替铝作为导线，可以一定程度降低rc延迟。但在此之后，电路层之间的寄生电容c对 rc延迟就起到主要的影响了。解决这个问题并不难。由于寄生电容c正比于电路层隔绝介质的介电常数k，若使用低k值材料(k<3)作为不同电路层的隔绝介质，问题便迎刃而解了。英特尔为65纳米工艺准备了一种k值很低的含碳氧化物(carbon doped oxide，cdo)，但他们也未具体说明氧化物的类型，我们也就无法作进一步的介绍。让晶体管“睡眠”虽然新工艺引入一定程度上降低了芯片的功耗，但为了尽可能获得高性能，芯片的规模一再扩大、频率飞速提升，它的功耗水平也一直在缓慢地向上提升，到现在，主流处理器的功耗超过百瓦，而且还一直呈现向上提升态势。但是，对应的散热技术并没有任何革命性的进步，为功耗高达百瓦的cpu散热已经接近极限—基于这个理由，英特尔不得不放弃netburst架构转入双核心体系，最近英特尔取消了4ghz的prescott处理器也是因为同样的原因。转变处理器设计思路是解决问题的根本办法，但制造技术的改进同样可以起到良好的缓解作用。众所周知，cpu的缓存单元从来都是发热大户，尤其是二级缓存占据晶体管总量的一半不止、对功耗的“贡献”也极为可观。为了降低大容量缓存带来的高热量，英特尔为其65纳米sram芯片中引入了全新的“睡眠晶体管”功能，当sram内的某些区域处于闲置状态时，睡眠晶体管就会自动切断该区域的电流供应，从而令芯片的总功耗大大降低。此时，睡眠晶体管可以看作是sram的小型控制器，虽然它们自己并不会进入睡眠状态，但却可以控制sram单元的晶体管进行“睡眠”。这项技术与pentium m的低功耗缓存设计有异曲同工之妙，虽然这二者在原理上并不相同。“睡眠晶体管”是在半导体制造技术层级上实现，可用于任何架构的cpu芯片，而 pentium m的低功耗缓存则是一项电路控制技术，它只对pentium m架构的产品有效，其他处理器若要有类似的功能就必须改变逻辑设计。不难看出，英特尔的“睡眠晶体管”技术更有通用价值，未来的itanium、 xeon、桌面处理器和移动处理器都可以从中受益。使用高k材料制造晶体管的栅极，可很好解决电流泄漏的问题。使用低k电介质材料隔绝多个电路层，可有效降低层间的寄生电容，提高芯片性能。 bbul封装走上前台从物理上看，半导体芯片是极其脆弱的，需要一个外壳将它严密保护起来。再者芯片本身也需要一定的信号引脚与外部相连，完成这项职能的就是芯片的封装。而封装在完成这两项基本功能的同时还影响芯片的电气性能。为此，在芯片集成度越来越高、运行性能越来越快的同时，封装技术也必须进行同步的革新。在90纳米工艺上，英特尔引入一种lga封装技术，这种封装的主要改变就是将传统的信号针脚改为半球状的触点，再与对应cpu插座内弹性触须相接触。这种连接方式的优点是可以提供高质量的连接信号，保证cpu的高频稳定性，但缺点在于物理可靠性不佳，cpu插座内的弹性触须颇为脆弱，容易导致主板物理损毁。那么，65纳米时代，英特尔会拿出什么样的新型封装技术呢?左为普通的sram子块，在闲置状态下仍然会出现较大的电流泄露;右为带有睡眠晶体管的65纳米sram子块，若处于非激活状态下，睡眠晶体管会自动切断电流供应。最有可能采用的将是人们差不多淡忘的bbul封装。bbul(bumpless build-up layer，无凸块增层)封装技术早在2001年10月份就对外披露，当时英特尔宣称这项技术为“未来微处理器设计”，准备在5到6年之内投入使用，从时间来看与65纳米技术基本吻合。据悉，bbul封装允许让处理器包含超过十亿个晶体管，最高工作频率突破20ghz，电气性能极其优异。而它的结构与现有各种封装技术都有很大的差异。我们知道，无论是amd、英特尔还是ibm的处理器，虽然采用的封装技术名称不同，但基本结构都非常类似。cpu核心与基板彼此分开制造，封装时将cpu核心放在基板中央的预定位置上，并通过微细的锡球(tiny solder balls)将它们焊接在一起，cpu核心自然就位于封装的最上方。这种封装的芯片高度一般在2毫米以上，cpu核心占据1毫米厚度，电路基板占据额外的 1毫米。其优点是芯片上部表面可直接与散热器接触，能够获得较好的散热效果。但它的缺陷同样也十分明显，结构复杂，封装过程是一个非常精细的工作，封装的良品率不高，再者，信号传输距离较长并且通过多次转接，寄生电感和能耗都比较高，很难适应未来高性能处理器的需要。现有fc-pga封装技术与bbul技术的结构对比bbul封装的结构与这些封装技术完全不同，cpu内核不再是放在基板的上方，而是内嵌入基板的特定位置中，cpu内核看起来就被深埋在内部，这样就避免了繁杂的焊接过程以及影响硅核性能的熔化步骤，让cpu核心可以更直接、更贴合地与基板连接。该封装的所有金属互连层都位于底部，处在芯片和信号引脚之间，这样就不再需要辅助的有机物隔层，让信号直接通过，高频信号稳定性可以得到充分保证。同样因为没有了接触垫，工程师们就可以在底部安排更多的互连电路。现有处理器需要6到7层的金属连接层，而bbul封装的芯片只需要3层左右，整枚芯片的厚度甚至可以压缩在1毫米以内，和一张信用卡厚度差不多。bbul封装的真正优势应该体现在电气性能方面，这项技术可以将处理器的寄生电感降低30%以上，处理器的整体功耗因此得到显著降低。再者， bbul封装需要的导线长度很短，可直接在基板pcb表层进行直接布线处理，因此bbul具有相当高的信号稳定性，可以很好满足高频率cpu的实际需要。第三，bbul封装具有很强的可扩展性，例如可以轻易在同一个基板上封装容纳多枚cpu芯片，以节省多路系统所占据的空间。要注意它与双核心设计不同，前者为物理层面，后者则是在逻辑层面上。bbul封装的芯片(不包括引脚)，上下分别为正反面。最迟到2007年，bbul封装会被用于英特尔的cpu芯片中，它的积极意义显而易见。更好的电气特性让cpu高速运行得到保障，虽然英特尔放弃了一味追求高频率的发展路线，但在下一代芯片中采用bbul封装仍然是非常明智的做法，尤其对于移动型处理器来说，bbul封装所具有的超薄特性对笔记本电脑厂商相当有利，至少设计出更薄的产品，或者挪出更多的空间给散热模块都成为可能。总结作为半导体制造技术的先行者，英特尔在65纳米大潮中再次遥遥领先，它的65纳米工艺已经开发完毕并实现样品制造，下一步的工作就是为大规模的量产开发做好准备。除了俄勒冈州的d1d工厂外，英特尔还投入20亿美元巨资改造位于爱尔兰的fab 24-2芯片制造厂。该工厂准备于2006年前投入65纳米芯片的大批量生产，而俄勒冈州的d1d工厂则会首先进入先期投产阶段，之后其他的十几座芯片工厂也都逐渐进行新工艺的转换。如果你关注过英特尔在2005年的处理器发展计划，便不难知道这意味着史无前例的全面更新。更高集成度、拥有双个cpu核心的处理器将进入到 pc中，包括服务器、工作站、台式机和笔记本电脑将全面转向双核心处理器，而采用双核心设计加上翻倍的缓存单元令芯片集成度狂增，为了降低制造成本和功耗的压力，引入65纳米技术可谓是恰逢其时。不出意外的话，我们会看到英特尔重新恢复领先地位。性能不输于对手的全新一代处理器，令人垢病的高功耗一去不复返，主流产品的最高功耗可在70瓦以内，移动产品在性能翻倍的同时保持更出色的功耗水准。当这些产品真正进入到主流市场的时候，恢复传统优势看来不会有太大的问题，虽然amd的athlon 64系列足够优秀，但落后一代的制造工艺不可避免拖了后腿。这种cpu制nforce4芯片的主板好点