场效应管

不是场效应管，是三端稳压管，输入7-36V，输出稳压5V。其它的三极管可以用万用表测BC和BE 都为0.6-0.7V，7805测不到。可以分出来

常用场效应管（25N120等）参数及代换FGA25N120AND （IGBT） 1200V/25A//TO3P （电磁炉用）FQA27N25 （MOSFET） 250V/27A/TO3PIRFP254FQA40N25 （MOSFET）250V/40A/280W/0.051Ω/TO3P IRFP264FQA55N25 （MOSFET）250V/55A/310W/0.03Ω/TO3P 　FQA18N50V2 （MOSFET）500V/20A/277W/0.225Ω IRFP460AFQA24N50 （MOSFET）500V/24A/290W/0.2Ω/TO3P 　FQA28N50 （MOSFET）500V/28.4A/310W/0.126Ω/TO3P MTY30N50EFQL40N50 （MOSFET）500V/40A/560W/0.085Ω/TO264 IRFPS37N50FQA24N60 （MOSFET） 600V/24A/TO3P　FQA10N80 （MOSFET）800V/9.8A/240W/0.81Ω/TO3P 　FQA13N80 （MOSFET） 800V/13A/300W/0.Ω/TO3P 　FQA5N90 （MOSFET）900V/5.8A/185W/2.3Ω/TO3P 　FQA9N90C （MOSFET）900V/8.6A/240W/1.3Ω/TO3P 　FQA11N90C （MOSFET）900V/11.4A/300W/0.75Ω/TO3P 　FFA30U20DN （快恢复二极管） 200V/2×30A/40ns/TO3P DSEK60-02AFFPF30U60S （快恢复二极管） 600V/30A/90ns/TO220F MUR1560FFA30U60DN （快恢复二极管） 600V/2×30A/90ns/TO3P DSEK60-06AMBRP3010NTU （肖特基） 100V/30A/TO-220 　MBRA3045NTU （肖特基） 45V/30A/TO-3P 　ISL9R3060G2 （快恢复二极管） 600V/30A/35ns/200W/TO247 APT30D60BRHRG3060 （快恢复二极管） 600V/30A/35nS/TO247 　FQP44N10 （MOSFET）100V/44A/146W/0.0396Ω/TO220 IRF3710/IRF540NFQP70N10 （MOSFET）100V/57A/160W/0.025Ω/TO220 　IRFP450B （MOSFET）500V/14A/0.4Ω/205W/TO3P 　IRFP460C （MOSFET）500V/20A/0.2~0.24Ω/235W IRFP460KA3162/FAN8800 （Drive IC） 单IGBT/MOSFETFET驱动IC 　 　RHRP860 （快恢复二极管） 600V/8A/30NS/TO-220 MUR860RHRP1560 （快恢复二极管） 600V/15A/TO0220 MUR1560RHRP8120 （快恢复二极管） 1200V/8A/75W/TO220 　RHRP15120 （快恢复二极管） 1200V/15A/TO220 　RHRP30120 （快恢复二极管） 1200V/30A/125W/TO220单 DSEI20-10ARHRG30120 （快恢复二极管） 1200V/30A/T03PSSH45N20B （MOSFET）200V/45A/TO3P IRFP260FGL40N150D （IGBT）1500V/40A/TO264快速IGBT 　FGL60N100BNTD （IGBT）1000V/60A/TO264快速IGBT 1MBH60-100HGTG10N120BND （IGBT）1200V/35A/298W/100ns/TO247 　HGTG11N120CND （IGBT）1200V/43A/298W/TO247 　HGTG18N120BND （IGBT） 1200V/54A/390W/90ns/TO247　FQP5N50C （MOSFET）500V/5A/73W/1.4Ω/TO-220 替代：IRF830,用于35WFQPF5N50C （MOSFET）500V/5A/38W/1.4Ω/TO-220F 替代：IRF830，用于35WFQP9N50C （MOSFET）500V/9A/135W/0.6Ω/TO220 替代：IRF840，用于75WFQPF9N50C （MOSFET）500V/9A/44W/0.6Ω/TO-220F 替代：IRF840，用于75WFQP13N50 （MOSFET）500V/13.4A/190W/0.43Ω/TO220 用于75W/125W产品FQPF13N50 （MOSFET）500V/13.4A/48W/0.43Ω/TO220F 用于75W/125W产品FQD5N50C （MOSFET）500V/5A/1.4Ω/TO252 用于35W 　FQA16N50 （MOSFET）500V/16A/200W/0.32C/TO3P 用于150W到250W的产品FDP15N50 （MOSFET）500V/15A/0.43Ω/56W/TO220 用于150W左右的产品FQP18N50V2 （MOSFET）500V/18A/0.43Ω/208W/TO220 用于250WG到400W的产品FQPF18N50V2 （MOSFET）500V/18A/0.43Ω/56W/TO220 用于250WG到400W的产品FQA18N50V2 （MOSFET）500V/20A/277W/0.225Ω/TO3P 用于250WG到400W的产品FQA24N50 （MOSFET）500V/24A/290W/0.2Ω/TO3P 用于400W的产品FQA24N60 （MOSFET）600V/23.5A/310W/0.24Ω/TO3P 用于400W的产品FQA28N50 （MOSFET）500V/28.4A/310W/0.126Ω/TO3P 用于400W的产品FQL40N50 （MOSFET）500V/40A/560W/0.085Ω/TO264 用于560W的产品IRF740B （MOSFET）400V/10A/0.55Ω/134W/TO220IRF730B （MOSFET）400V/5.5A/1.0Ω/73W/TO220IRF830B （MOSFET）500V/4.5A/1.5Ω/73W/TO220IRF840B （MOSFET）500V/8A/0.85Ω/134W/TO220IRFP450B （MOSFET）500V/14A/0.4Ω/205W/TO3PIRFP460C （MOSFET）500V/20A/0.2~0.24Ω/235WFQPF5N60C （MOSFET）600V/5A/TO220FFQPF8N60C （MOSFET）600V/8A/TO220FFQPF10N60C （MOSFET）600V/10A/TO220FQPF12N60 （MOSFET）600V/12A/51W/0.65Ω/TO220FFCP11N60 （MOSFET）650V/11A/125W0.32Ω/TO220RHRD660S （快恢复二极管） 600V/6A/TO-252RHRP860 （快恢复二极管） 600V/8A/75W/TO-220RHRP1560 （快恢复二极管） 600V/15A/TO-220单2N7002 （三极管）60V/0.12A/SOT-23 HUF76629D3S （MOSFET）100V/20A/110W/TO-252HUF75639S3S （MOSFET）100V/56A/200W/TO-263ISL9V3040D3S （IGBT）430V/21A/150W/300MJ/TO252ISL9V3040S3S （IGBT） 430V/21A/150W/300MJ/TO263ISL9V5036S3S （IGBT）360V/46A/250W/TO262FQP33N10L （MOSFET）100V/33A/52MΩ127W/TO220

2SK2391 东芝出的 100V20A N型 mos管 to-220塑封 可以用来替代的型号 IRF530N IRF540N IRF371都可以

ne22511h567f5e这个不是型号。。。类似IR2110S,IRF1010E,IRF150N,IRF2807,IRF3205,IRF4905,IRF530N,IRF540N,IRF630,IRF630B,IRF640,IRF640B,IRF73这些的才是型号。

请看下图

可以用75N75。IRF1010E的数据是60V，84A，12mΩ，而75N75是75V，75A，12.5mΩ。两者数据相差不大，如果机器的最大电流不超过75A的话可以替换。可以混用。场效应晶体管简称场效应管。主要有两种类型和金属 - 氧化物半导体场效应管（简称MOS-FET）。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。

mosfet 24v h桥正或反转时不导通两管的D-S电压<24v，所以上图规格对管都可以。irf540n 和 irfz44n 都可以考虑

IRF540N的开通电压是2~4V，在VGS=5V时，ID大约为1~2A。如果负载电流小于1A可以直接驱动。如果大于1A有两种办法：一是更换场效应管，选用低开启电压的场效应管。二是加电平转换电路。电平转换电路可由二个三极管组成两个反相器来驱动；也可用一个三极管组成反相器驱动，但单片机输出要反相；也可用光耦组成的电平转换电路。由光耦组成的电平转换电路：http://www.weeqoo.com/UploadFile/2008/9/25/200809251127031644.gif

场效应管IRFZ44可以用IRF540N三极管代替。产品型号：irf540n生产厂家：SANYO 、IR、VISHAY描述：晶体管极性:N沟道漏极电流, Id 最大值:33A电压, Vds 最大:100V开态电阻, Rds(on):0.04ohm电压 @ Rds测量:10V电压, Vgs 最高:10V功耗:94W封装类型:TO-220AB针脚数:3功率, Pd:120W器件标记:IRF540N引脚节距:2.54mm晶体管数:1晶体管类型:MOSFET温度 @ 电流测量:25°C满功率温度:25°C热阻, 结至外壳 A:1.1°C/W电压 Vgs @ Rds on 测量:10V电压, Vds 典型值:100V电流, Id 连续:27A电流, Idm 脉冲:110A表面安装器件:通孔安装针脚格式:1 g2 d/tab3 s针脚配置:a阈值电压, Vgs th 典型值:4V

可能驱动电路有问题。场效管栅极有很大的电容，所以场效管需要电流驱动，一般采图腾柱式驱动电路。其次场效应的栅极电压比较高至少栅级要达到2.5 才能可饱和。驱动不良，会导致场效应开关不良而致耗散功率过大所以分发烫。

①、关于以上IRFP250场效应管参数是：∥耐压：200V∥电流：30A∥。②、关于以上那IRF540N场效应管参数是：∥耐压：100V∥电流：33A∥。③、关于以上两款场效应管不能只看电流，而且更得关注管子的耐压才行。

栅极串联电阻式为了抑制自激用的，对正常工作不具备实质性的功能，通常选用几十Ω。

IRF540N的开通电压是2~4V，在VGS=5V时，ID大约为1~2A。如果负载电流小于1A可以直接驱动。如果大于1A有两种办法：一是更换场效应管，选用低开启电压的场效应管。二是加电平转换电路。电平转换电路可由二个三极管组成两个反相器来驱动；也可用一个三极管组成反相器驱动，但单片机输出要反相；也可用光耦组成的电平转换电路。由光耦组成的电平转换电路：http://www.weeqoo.com/UploadFile/2008/9/25/200809251127031644.gif

如图所示，三行的意义如下：IRF540N：产品型号P013D：年号编码规则不详，第13工作周，产线DG730：批次号

检验方法：用测电阻法判别结型场IRF540N效应管的电极根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法：将万用表拨在1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正、反向电阻值相等，且为几千欧姆时，则该两个电极分别是漏极D和源极S。因为对结型场效应管而言，漏极和源极可互换，剩下的电极肯定是栅极G。扩展资料：结型场效应管（JFET）1、结型场效应管的分类：结型场效应管有两种结构形式，它们是N沟道结型场效应管和P沟道结型场效应管。结型场效应管也具有三个电极，它们是：栅极；漏极；源极。电路符号中栅极的箭头场效应管场效应管方向可理解为两个PN结的正向导电方向。2、结型场效应管的工作原理(以N沟道结型场效应管为例)，N沟道结构型场效应管的结构及符号，由于PN结中的载流子已经耗尽，故PN基本上是不导电的，形成了所谓耗尽区，当漏极电源电压ED一定时，如果栅极电压越负，PN结交界面所形成的耗尽区就越厚。参考资料来源：百度百科-场效应管

　　K2232可以用7N75,7N85,6N65.6N60,K22642SK2266,IFRP054等代换。　　K2232参数：耐压 60V 电流25A 功率35W 沟道N 外形 TO-220F　　可以用K1095、K1214、K1345、K1897、2SK2266,、FRP054直接代替 。　　场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。主要有两种类型（junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。　　场效应管（FET）是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，并以此命名。　　由于它仅靠半导体中的多数载流子导电，又称单极型晶体管。　　FET 英文为Field Effect Transistor，简写成FET。

万用表测量晶体管：场效应管、可控硅、三极管外形很相似，一般都只能以型号来区分，如型号不清则可试试用万用表测量电极间电阻大小方法来区别。一，三极管。因为三极管 的基极对其它两极都是一个PN结，当你用表循环测量到某个电极对其它两极都能呈现出低阻或高阻时，那么基本可以断定这是三极管。而其它两种管子都不具有这样的特性。二，场效应管。此管的源极与漏极常可以互换使用，而且两极间呈现电阻性，用表笔正反测量这两极电阻差别不大，而其它两种管子却没有这样的现象。三，可控硅。四层器件，阳极与阴极间有两只反向PN结，用表测量电阻极大；只有门极与阴极是PN结，正反间电阻相差很大；只要电极间符合这个现象的，那就是可控硅了。

换颗热敏电阻看看 ,还可以看看pwm引出的积分电容器是否变小

换管子，查驱动电路

常用场效应管及晶体管参数(1)晶体管型号 反压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 放大系数 特征频率 管子类型 IRFU020 50V 15A 42W * * NMOS场效应 IRFPG42 1000V 4A 150W * * NMOS场效应 IRFPF40 900V 4.7A 150W * * NMOS场效应 IRFP9240 200V 12A 150W * * PMOS场效应 IRFP9140 100V 19A 150W * * PMOS场效应 IRFP460 500V 20A 250W * * NMOS场效应 IRFP450 500V 14A 180W * * NMOS场效应 IRFP440 500V 8A 150W * * NMOS场效应 IRFP353 350V 14A 180W * * NMOS场效应 IRFP350 400V 16A 180W * * NMOS场效应 IRFP340 400V 10A 150W * * NMOS场效应 IRFP250 200V 33A 180W * * NMOS场效应 IRFP240 200V 19A 150W * * NMOS场效应 IRFP150 100V 40A 180W * * NMOS场效应 IRFP140 100V 30A 150W * * NMOS场效应 IRFP054 60V 65A 180W * * NMOS场效应 IRFI744 400V 4A 32W * * NMOS场效应 IRFI730 400V 4A 32W * * NMOS场效应 IRFD9120 100V 1A 1W * * NMOS场效应 IRFD123 80V 1.1A 1W * * NMOS场效应 IRFD120 100V 1.3A 1W * * NMOS场效应 IRFD113 60V 0.8A 1W * * NMOS场效应 IRFBE30 800V 2.8A 75W * * NMOS场效应 IRFBC40 600V 6.2A 125W * * NMOS场效应 IRFBC30 600V 3.6A 74W * * NMOS场效应 IRFBC20 600V 2.5A 50W * * NMOS场效应 IRFS9630 200V 6.5A 75W * * PMOS场效应 IRF9630 200V 6.5A 75W * * PMOS场效应 IRF9610 200V 1A 20W * * PMOS场效应 IRF9541 60V 19A 125W * * PMOS场效应 IRF9531 60V 12A 75W * * PMOS场效应 IRF9530 100V 12A 75W * * PMOS场效应 IRF840 500V 8A 125W * * NMOS场效应 IRF830 500V 4.5A 75W * * NMOS场效应 IRF740 400V 10A 125W * * NMOS场效应 IRF730 400V 5.5A 75W * * NMOS场效应 IRF720 400V 3.3A 50W * * NMOS场效应 IRF640 200V 18A 125W * * NMOS场效应 IRF630 200V 9A 75W * * NMOS场效应 IRF610 200V 3.3A 43W * * NMOS场效应 IRF541 80V 28A 150W * * NMOS场效应 IRF540 100V 28A 150W * * NMOS场效应 IRF530 100V 14A 79W * * NMOS场效应 IRF440 500V 8A 125W * * NMOS场效应 IRF230 200V 9A 79W * * NMOS场效应 IRF130 100V 14A 79W * * NMOS场效应 BUZ20 100V 12A 75W * * NMOS场效应 BUZ11A 50V 25A 75W * * NMOS场效应 BS170 60V 0.3A 0.63W * * NMOS场效应 常用场效应管及晶体管参数(2) 晶体管型号 反压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 放大系数 特征频率 管子类型 2SC4582 600V 15A 75W * * NPN 2SC4517 550V 3A 30W * * NPN 2SC4429 1100V 8A 60W * * NPN 2SC4297 500V 12A 75W * * NPN 2SC4288 1400V 12A 200W * * NPN 2SC4242 450V 7A 40W * * NPN 2SC4231 800V 2A 30W * * NPN 2SC4119 1500V 15A 250W * * NPN 2SC4111 1500V 10A 250W * * NPN 2SC4106 500V 7A 50W * 20MHZ NPN 2SC4059 600V 15A 130W * * NPN 2SC4038 50V 0.1A 0.3W * 180MHZ NPN 2SC4024 100V 10A 35W * * NPN 2SC3998 1500V 25A 250W * * NPN 2SC3997 1500V 15A 250W * * NPN 2SC3987 50V 3A 20W 1000 * NPN(达林顿) 2SC3953 120V 0.2A 1.3W * 400MHZ NPN 2SC3907 180V 12A 130W * 30MHZ NPN 2SC3893 1400V 8A 50W * 8MHZ NPN 2SC3886 1400V 8A 50W * 8MHZ NPN 2SC3873 500V 12A 75W * 30MHZ NPN 2SC3866 900V 3A 40W * * NPN 2SC3858 200V 17A 200W * 20MHZ NPN 2SC3807 30V 2A 1.2W * 260MHZ NPN 2SC3783 900V 5A 100W * * NPN 2SC3720 1200V 10A 200W * * NPN 2SC3680 900V 7A 120W * * NPN 2SC3679 900V 5A 100W * * NPN 2SC3595 30V 0.5A 1.2W 90 * NPN 2SC3527 500V 15A 100W 13 * NPN 2SC3505 900V 6A 80W 12 * NPN 2SC3460 1100V 6A 100W 12 * NPN 2SC3457 1100V 3A 50W 12 * NPN 2SC3358 20V 0.15A * * 7000MHZ NPN 2SC3355 20V 0.15A * * 6500MHZ NPN 2SC3320 500V 15A 80W * * NPN 2SC3310 500V 5A 40W 20 * NPN 2SC3300 100V 15A 100W * * NPN 2SC1855 20V 0.02A 0.25W * 550MHZ NPN 2SC1507 300V 0.2A 15W * * NPN 常用场效应管及晶体管参数(3)--------------------------------------------------------------------------------晶体管型号 反压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 放大系数 特征频率 管子类型 2SC1494 36V 6A 40W * 175MHZ NPN 2SC1222 60V 0.1A 0.25W * 100MHZ NPN 2SC1162 35V 1.5A 10W * * NPN 2SC1008 80V 0.7A 0.8W * 50MHZ NPN 2SC900 30V 0.03A 0.25W * 100MHZ NPN 2SC828 45V 0.05A 0.25W * * NPN 2SC815 60V 0.2A 0.25W * * NPN 2SC380 35V 0.03A 0.25W * * NPN 2SC106 60V 1.5A 15W * * NPN 2SB1494 120V 25A 120W * * PNP(达林顿） 2SB1429 180V 15A 150W * * PNP 2SB1400 120V 6A 25W 1000-20000 * PNP(达林顿） 2SB1375 60V 3A 2W * * PNP 2SB1335 80V 4A 30W * * PNP 2SB1317 180V 15A 150W * * PNP 2SB1316 100V 2A 10W 15000 * PNP(达林顿） 2SB1243 40V 3A 1W * 70MHZ PNP 2SB1240 40V 2A 1W * 100MHZ PNP 2SB1238 80V 0.7A 1W * 100MHZ PNP 2SB1185 60V 3A 25W * 75MHZ PNP 2SB1079 100V 20A 100W 5000 * PNP(达林顿） 2SB1020 100V 7A 40W 6000 * PNP(达林顿） 2SB834 60V 3A 30W * * PNP 2SB817 160V 12A 100W * * PNP 2SB772 40V 3A 10W * * PNP 2SB744 70V 3A 10W * * PNP 2SB734 60V 1A 1W * * PNP 2SB688 120V 8A 80W * * PNP 2SB675 60V 7A 40W * * PNP(达林顿） 2SB669 70V 4A 40W * * PNP(达林顿） 2SB649 180V 1.5A 1W * * PNP 2SB647 120V 1A 0.9W * 140MHZ PNP 2SB449 50V 3.5A 22W * * PNP 2SA1943 230V 15A 150W * * PNP 2SA1785 400V 1A 1W * 140MHZ PNP 2SA1668 200V 2A 25W * 20MHZ PNP 2SA1516 180V 12A 130W * 25MHZ PNP 2SA1494 200V 17A 200W * 20MHZ PNP 2SA1444 100V 1.5A 2W * 80MHZ PNP 2SA1358 120V 1A 10W * 120MHZ PNP 2SA1302 200V 15A 150W * * PNP 2SA1301 200V 10A 100W * * PNP 2SA1295 230V 17A 200W * * PNP 2SA1265 140V 10A 30W * * PNP 2SA1216 180V 17A 200W * * PNP --------------------------------------------------------------------------------常用场效应管及晶体管参数(4)--------------------------------------------------------------------------------晶体管型号 反压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 放大系数 特征频率 管子类型 2SA1162 50V 0.15A 0.15W * * PNP 2SA1123 150V 0.05A 0.75W * * PNP 2SA1020 50V 2A 0.9W * * PNP 2SA1009 350V 2A 15W * * PNP 2N6678 650V 15A 175W * * NPN 2N5685 60V 50A 300W * * NPN 2N6277 180V 50A 300W * * NPN 2N5551 160V 0.6A 0.6W * 100MHZ NPN 2N5401 160V 0.6A 0.6W * 100MHZ PNP 2N3773 160V 16A 150W * * NPN 2N3440 450V 1A 1W * * NPN 2N3055 100V 15A 115W * * NPN 2N2907 60V 0.6A 0.4W 200 * NPN 2N2369 40V 0.5A 0.3W * 800MHZ NPN 2N2222 60V 0.8A 0.5W 45 * NPN 9018 30V 0.05A 0.4W * 1G NPN 9015 50V 0.1A 0.4W * 150MHZ PNP 9014 50V 0.1A 0.4W * 150MHZ NPN 9013 50V 0.5A 0.6W * * NPN 9012 50V 0.5A 0.6W * * PNP 9011 50V 0.03A 0.4W * 150MHZ NPN TIP147 100V 10A 125W * * PNP TIP142 100V 10A 125W * * NPN TIP127 100V 8A 65W * * PNP TIP122 100V 8A 65W * * NPN TIP102 100V 8A 2W * * NPN TIP42C 100V 6A 65W * * PNP TIP41C 100V 6A 65W * * NPN TIP36C 100V 25A 125W * * PNP TIP35C 100V 25A 125W * * NPN TIP32C 100V 3A 40W * * PNP TIP31C 100V 3A 40W * * NPN MJE13007 1500V 2.5A 60W * * NPN MJE13005 400V 4A 60W * * NPN MJE13003 400V 1.5A 14W * * NPN MJE2955T 60V 10A 75W * * NPN MJE350 300V 0.5A 20W * * NPN MJE340 300V 0.5A 20W * * NPN MJ15025 400V 16A 250W * * PNP MJ15024 400V 16A 250W * * NPN MJ13333 400V 20A 175W * * NPN MJ11033 120V 50A 300W * * NPN MJ11032 120V 50A 300W * * NPN MJ10025 850V 20A 250W * * NPN MJ10016 500V 50A 200W * * NPN --------------------------------------------------------------------------------常用场效应管及晶体管参数(5)--------------------------------------------------------------------------------晶体管型号 反压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 放大系数 特征频率 管子类型 BUS13A 1000V 15A 175W * * NPN BUH515 1500V 10A 80W * * NPN BU2532 1500V 15A 150W * * NPN BU2527 1500V 15A 150W * * NPN BU2525 1500V 12A 150W * * NPN BU2522 1500V 11A 150W * * NPN BU2520 800V 10A 150W * * NPN BU2508 700V 8A 125W * * NPN BU2506 1500V 7A 50W * * NPN BU932R 500V 15A 150W * * NPN BU806 400V 8A 60W * * NPN BU406 400V 7A 60W * * NPN BU323 450V 10A 125W * * NPN(达林顿) BF458 250V 0.1A 10W * * NPN BD682 100V 4A 40W * * PNP MJ10015 400V 50A 200W * * NPN MJ10012 400V 10A 175W * * NPN(达林顿) MJ4502 90V 30A 200W * * PNP MJ3055 60V 15A 115W * * NPN MJ2955 60V 15A 115W * * PNP MN650 1500V 6A 80W * * NPN BUX98A 400V 30A 210W * * NPN BUX84 800V 2A 40W * * NPN BUW13A 1000V 15A 150W * * NPN BUV48A 450V 15A 150W * * NPN BUV28A 225V 10A 65W * * NPN BUV26 90V 14A 65W * * NPN BUT12A 450V 10A 125W * * NPN BUT11A 1000V 5A 100W * * NPN BUS14A 1000V 30A 250W * * NPN BD681 100V 4A 40W * * NPN BD244 45V 6A 65W * * PNP BD243 45V 6A 65W * * NPN BD238 100V 2A 25W * * PNP BD237 100V 2A 25W * * NPN BD138 60V 1.5A 12.5W * * PNP BD137 60V 1.5A 12.5W * * NPN BD136 45V 1.5A 12.5W * * PNP BD135 45V 1.5A 12.5W * * NPN BC547 50V 0.2A 0.5W * 300MHZ NPN BC546 80V 0.2A 0.5W * * NPN BC338 50V 0.8A 0.6W * * NPN BC337 50V 0.8A 0.6W * * NPN BC327 50V 0.8 0.6W * * PNP BC307 50V 0.2AA 0.3W * * PNP --------------------------------------------------------------------------------常用场效应管及晶体管参数(6)--------------------------------------------------------------------------------晶体管型号 反压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 放大系数 特征频率 管子类型 2SDK55 400V 4A 60W * * NPN 2SD2445 1500V 12.5A 120W * * NPN 2SD2388 90V 3A 1.2W * * NPN(达林顿) 2SD2335 1500V 7A 100W * * NPN 2SD2334 1500V 5A 80W * * NPN 2SD2156 120V 25A 125W 2000-20000 * NPN(达林顿) 2SD2155 180V 15A 150W * * NPN 2SD2036 60V 1A 1.2W * * NPN 2SD2012 60V 3A 2W * * NPN 2SD2008 80V 1A 1.5W * * NPN 2SD1997 40V 3A 1.5W * 100MHZ NPN 2SD1994 60V 1A 1W * * NPN 2SD1993 50V 0.1A 0.4W * * NPN 2SD1980 100V 2A 10W 1000-10000 * NPN(达林顿) 2SD1978 120V 1.5A 1W 30000 * NPN(达林顿) 2SD1975 180V 15A 150W * * NPN 2SD1930 100V 2A 1.2W 1000 * NPN(达林顿) 2SD1847 50V 1A 1W * * NPN(低噪) 2SD1762 60V 3A 25W * 90MHZ NPN 2SD1718 180V 15A 3.2W * 20MHZ NPN 2SD1640 120V 2A 1.2W 4000-40000 * NPN(达林顿) 2SD1590 150V 8A 25W 15000 * NPN(达林顿) 2SD1559 100V 20A 20W 5000 * NPN(达林顿) 2SD1415 80V 7A 40W 6000 * NPN(达林顿) 2SD1416 80V 7A 40W 6000 * NPN(达林顿) 2SD1302 25V 0.5A 0.5W * 200MHZ NPN 2SD1273 80V 3A 40W * 50MHZ NPN 2SD1163A 350V 7A 40W * 60MHZ NPN 2SD1047 160V 12A 100W * * NPN 2SD1037 150V 30A 180W * * NPN 2SD1025 200V 8A 50W * * NPN(达林顿) 2SD789 100V 1A 0.9W * * NPN 2SD774 100V 1A 1W * * NPN 2SD669 180V 1.5A 1W * 140MHZ NPN 2SD667 120V 1A 0.9W * 140MHZ NPN( 达林顿 ) 2SD560 150V 5A 30W * * NPN( 达林顿 ) 2SD547 600V 50A 400W * * NPN 2SD438 500V 1A 0.75W * 100MHZ NPN 2SD415 120V 0.8A 5W * * NPN 2SD385 100V 7A 30W * * NPN( 达林顿 ) 2SD325 50V 3A 25W * * NPN 2SD40C 40V 0.5A 40W * * NPN( 达林顿 ) 2SC5252 1500V 15A 100W * * NPN 2SC5251 1500V 12A 50W * * NPN 2SC5250 1000V 7A 100W * * NPN --------------------------------------------------------------------------------常用场效应管及晶体管参数(7)--------------------------------------------------------------------------------晶体管型号 反压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 放大系数 特征频率 管子类型 2SC5244 1500V 15A 200W * * NPN 2SC5243 1500V 15A 200W * * NPN 2SC5207 1500V 10A 50W * * NPN 2sc5200 230V 15A 150W * * NPN 2sc5132 1500V 16A 50W * * NPN 2sc5088 1500V 10A 50W * * NPN 2sc5086 1500V 10A 50W * * NPN 2sc5068 1500V 10A 50W * * NPN 2sc5020 1000V 7A 100W * * NPN 2sc4953 500V 2A 25W * * NPN 2sc4941 1500V 6A 65W * * NPN 2sc4927 1500V 8A 50W * * NPN 2sc4924 800V 10A 70W * * NPN 2sc4913 2000V 0.2A 35W * * NPN 2sc4769 1500V 7A 60W * * NPN( 带阻尼 ) 2sc4747 1500V 10A 50W * * NPN 2sc4745 1500V 6A 50W * * NPN 2sc4742 1500V 6A 50W * * NPN( 带阻尼 ) 2sc4706 900V 14A 130W * 6MH NPN 2SD1887 1500V 10A 70W * * NPN 2SD1886 1500V 8A 70W * * NPN 2SD1885 1500V 6A 60W * * NPN 2SD1884 1500V 5A 60W * * NPN 2SD1883 1500V 4A 50W * * NPN 2SD1882 1500V 3A 50W * * NPN 2SD1881 1500V 10A 70W * * NPN 2SD1880 1500V 8A 70W * * NPN 2SD1879 1500V 6A 60W * * NPN 2SD1878 1500V 5A 60W * * NPN 2SD1876 1500V 3A 50W * * NPN 2SD1739 1500V 6A 100W * * NPN 2SD1738 1500V 5A 100W * * <td alig够用吗？

你要多大的电流？

应该是同一种芯片，只是批次不同 。你最好能发两个芯片的图片出来帮你再仔细查看。

P75NF75 75V 75AIRF540 100V 22A不能代替 电流参数相差太多

你把场效应管和10Ω电阻位置互换就搞定。

看见框框里面三个参数了吗?一个耐压高，内阻大，电流小。这三个指标是场效应管最重要的三个参数。另一个相反，所以两者应用的场合也就不一样了。

IRF9540

不可以75n是电流75a3205电流是110a大换小可以但小换大不行管子受不了

不可以, 540可以用640替换!

检验方法：用测电阻法判别结型场IRF540N效应管的电极根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法：将万用表拨在1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正、反向电阻值相等，且为几千欧姆时，则该两个电极分别是漏极D和源极S。因为对结型场效应管而言，漏极和源极可互换，剩下的电极肯定是栅极G。扩展资料：结型场效应管（JFET）1、结型场效应管的分类：结型场效应管有两种结构形式，它们是N沟道结型场效应管和P沟道结型场效应管。结型场效应管也具有三个电极，它们是：栅极；漏极；源极。电路符号中栅极的箭头场效应管场效应管方向可理解为两个PN结的正向导电方向。2、结型场效应管的工作原理(以N沟道结型场效应管为例)，N沟道结构型场效应管的结构及符号，由于PN结中的载流子已经耗尽，故PN基本上是不导电的，形成了所谓耗尽区，当漏极电源电压ED一定时，如果栅极电压越负，PN结交界面所形成的耗尽区就越厚。参考资料来源：百度百科-场效应管

不能

N沟道场效应管，100V23A，饱和导通电阻≤77mΩ（毫欧）…

如果是小功率的N沟道增强型场效应管，可以用NPN型三极管来勉强替代。但是象IRFZ44这样的大功率MOS管，它的导通电阻很低，三极管和它的差异就比较大，你的电源电压只有3.7V，三极管的饱和压降就会对电路的效率产生明显的影响。而且在买不到IRFZ44的地方，恐怕也并不容易买到象IRFZ44这种能达到50A、125W这样大功率的三极管吧.很多地方即使发快递，运费也只要10元左右，不会到元件价格的十几倍。

IRF530 NMOS GDS 功放开关 100V14A79W51/36nS0.18IRF540 NMOS GDS 功放开关 100V28A150W110/75nS0.077不能，540可以替换530，530不能替换540

查IRF540的规格书，得到最低电压是2.0V，最高是4.0V由此，让540导通的电压可以认为4.0V；安全的控制电压是正负20V，超过有烧坏危险。

保证VCC是 +36V保证IRF540（N沟道）的接法正确。栅极G接驱动，源极S接地，漏极D接继电器线圈。根据驱动电路形式，可在IRF540的栅极与地并接一个几K左右电阻。IRF540没有损坏，焊接良好。从你表述来看，栅极可能悬空了或者你身体感应电压比较大。你用手摸栅极是很危险的，很可能损坏场管，因为栅极非常怕静电，可能会导致击穿。

这要看你这个管是干什么的了。如果是放大器,偏置分压有3--4v便行。如果是开关电路,在开时G极所加的控制电压要在15V以上。但不要大于19V。

没有驱动电压，irf540也是增强型的，必须有Ugs才能导通，Ugs需要大于Uth.

纳米线场效应管原理纳米线场效应管原理是一种新型的电子器件，它利用纳米线的特性来控制电子流动。纳米线场效应管是一种由纳米线构成的电子器件，它可以控制电子流动，从而控制电子信号的传输。纳米线场效应管的原理是，当电场施加到纳米线上时，纳米线上的电子会受到电场的影响，从而改变其运动方向，从而控制电子流动。纳米线场效应管的优点是它可以提供更高的电子传输效率，更低的功耗，更小的尺寸，更高的可靠性和更高的信号质量。