请问P75NF75、IRF510 IRF3205 IRF150 IRF450场效应管的功率是多少？

2023-07-30 21:02:32

TAG: 场效应管

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芝华塔尼欧的少年

常用场效应管（25N120等）参数及代换

FGA25N120AND （IGBT） 1200V/25A//TO3P （电磁炉用）FQA27N25 （MOSFET） 250V/27A/TO3PIRFP254FQA40N25 （MOSFET）250V/40A/280W/0.051Ω/TO3P IRFP264FQA55N25 （MOSFET）250V/55A/310W/0.03Ω/TO3P 　FQA18N50V2 （MOSFET）500V/20A/277W/0.225Ω IRFP460AFQA24N50 （MOSFET）500V/24A/290W/0.2Ω/TO3P 　FQA28N50 （MOSFET）500V/28.4A/310W/0.126Ω/TO3P MTY30N50EFQL40N50 （MOSFET）500V/40A/560W/0.085Ω/TO264 IRFPS37N50FQA24N60 （MOSFET） 600V/24A/TO3P　FQA10N80 （MOSFET）800V/9.8A/240W/0.81Ω/TO3P 　FQA13N80 （MOSFET） 800V/13A/300W/0.Ω/TO3P 　FQA5N90 （MOSFET）900V/5.8A/185W/2.3Ω/TO3P 　FQA9N90C （MOSFET）900V/8.6A/240W/1.3Ω/TO3P 　FQA11N90C （MOSFET）900V/11.4A/300W/0.75Ω/TO3P 　FFA30U20DN （快恢复二极管） 200V/2×30A/40ns/TO3P DSEK60-02AFFPF30U60S （快恢复二极管） 600V/30A/90ns/TO220F MUR1560FFA30U60DN （快恢复二极管） 600V/2×30A/90ns/TO3P DSEK60-06AMBRP3010NTU （肖特基） 100V/30A/TO-220 　MBRA3045NTU （肖特基） 45V/30A/TO-3P 　ISL9R3060G2 （快恢复二极管） 600V/30A/35ns/200W/TO247 APT30D60BRHRG3060 （快恢复二极管） 600V/30A/35nS/TO247 　FQP44N10 （MOSFET）100V/44A/146W/0.0396Ω/TO220 IRF3710/IRF540NFQP70N10 （MOSFET）100V/57A/160W/0.025Ω/TO220 　IRFP450B （MOSFET）500V/14A/0.4Ω/205W/TO3P 　IRFP460C （MOSFET）500V/20A/0.2~0.24Ω/235W IRFP460KA3162/FAN8800 （Drive IC）单IGBT/MOSFETFET驱动IC 　　RHRP860 （快恢复二极管） 600V/8A/30NS/TO-220 MUR860RHRP1560 （快恢复二极管） 600V/15A/TO0220 MUR1560RHRP8120 （快恢复二极管） 1200V/8A/75W/TO220 　RHRP15120 （快恢复二极管） 1200V/15A/TO220 　RHRP30120 （快恢复二极管） 1200V/30A/125W/TO220单 DSEI20-10ARHRG30120 （快恢复二极管） 1200V/30A/T03PSSH45N20B （MOSFET）200V/45A/TO3P IRFP260FGL40N150D （IGBT）1500V/40A/TO264快速IGBT 　FGL60N100BNTD （IGBT）1000V/60A/TO264快速IGBT 1MBH60-100HGTG10N120BND （IGBT）1200V/35A/298W/100ns/TO247 　HGTG11N120CND （IGBT）1200V/43A/298W/TO247 　HGTG18N120BND （IGBT） 1200V/54A/390W/90ns/TO247　FQP5N50C （MOSFET）500V/5A/73W/1.4Ω/TO-220 替代：IRF830,用于35WFQPF5N50C （MOSFET）500V/5A/38W/1.4Ω/TO-220F 替代：IRF830，用于35WFQP9N50C （MOSFET）500V/9A/135W/0.6Ω/TO220 替代：IRF840，用于75WFQPF9N50C （MOSFET）500V/9A/44W/0.6Ω/TO-220F 替代：IRF840，用于75WFQP13N50 （MOSFET）500V/13.4A/190W/0.43Ω/TO220 用于75W/125W产品FQPF13N50 （MOSFET）500V/13.4A/48W/0.43Ω/TO220F 用于75W/125W产品FQD5N50C （MOSFET）500V/5A/1.4Ω/TO252 用于35W 　FQA16N50 （MOSFET）500V/16A/200W/0.32C/TO3P 用于150W到250W的产品FDP15N50 （MOSFET）500V/15A/0.43Ω/56W/TO220 用于150W左右的产品FQP18N50V2 （MOSFET）500V/18A/0.43Ω/208W/TO220 用于250WG到400W的产品FQPF18N50V2 （MOSFET）500V/18A/0.43Ω/56W/TO220 用于250WG到400W的产品FQA18N50V2 （MOSFET）500V/20A/277W/0.225Ω/TO3P 用于250WG到400W的产品FQA24N50 （MOSFET）500V/24A/290W/0.2Ω/TO3P 用于400W的产品FQA24N60 （MOSFET）600V/23.5A/310W/0.24Ω/TO3P 用于400W的产品FQA28N50 （MOSFET）500V/28.4A/310W/0.126Ω/TO3P 用于400W的产品FQL40N50 （MOSFET）500V/40A/560W/0.085Ω/TO264 用于560W的产品IRF740B （MOSFET）400V/10A/0.55Ω/134W/TO220IRF730B （MOSFET）400V/5.5A/1.0Ω/73W/TO220IRF830B （MOSFET）500V/4.5A/1.5Ω/73W/TO220IRF840B （MOSFET）500V/8A/0.85Ω/134W/TO220IRFP450B （MOSFET）500V/14A/0.4Ω/205W/TO3PIRFP460C （MOSFET）500V/20A/0.2~0.24Ω/235WFQPF5N60C （MOSFET）600V/5A/TO220FFQPF8N60C （MOSFET）600V/8A/TO220FFQPF10N60C （MOSFET）600V/10A/TO220FQPF12N60 （MOSFET）600V/12A/51W/0.65Ω/TO220FFCP11N60 （MOSFET）650V/11A/125W0.32Ω/TO220RHRD660S （快恢复二极管） 600V/6A/TO-252RHRP860 （快恢复二极管） 600V/8A/75W/TO-220RHRP1560 （快恢复二极管） 600V/15A/TO-220单2N7002 （三极管）60V/0.12A/SOT-23 HUF76629D3S （MOSFET）100V/20A/110W/TO-252HUF75639S3S （MOSFET）100V/56A/200W/TO-263ISL9V3040D3S （IGBT）430V/21A/150W/300MJ/TO252ISL9V3040S3S （IGBT） 430V/21A/150W/300MJ/TO263ISL9V5036S3S （IGBT）360V/46A/250W/TO262FQP33N10L （MOSFET）100V/33A/52MΩ127W/TO220

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IRF540N怎么使用，三个腿从正面看，分别是什么用途？ IRF540N的使用方法是：将IRF540N接入开关电路中即可发挥N型场效应管的作用。三个腿从正面看分别是G、D、T。G的作用是控制极，D的作用是与散热孔铁片相连，T的作用是用来接地。由p型衬底和两个高浓度n扩散区构成的MOS管叫作n沟道MOS管，该管导通时在两个高浓度n扩散区间形成n型导电沟道。n沟道增强型MOS管必须在栅极上施加正向偏压，且只有栅源电压大于阈值电压时才有导电沟道产生的n沟道MOS管。n沟道耗尽型MOS管是指在不加栅压时，就有导电沟道产生的n沟道MOS管。扩展资料：IRF540N晶体管的工作原理：当vGS数值较小，吸引电子的能力不强时，源极之间仍无导电沟道出现。vGS增加时，吸引到P衬底表面层的电子就增多。当vGS达到某一数值时，这些电子在栅极附近的P衬底表面便形成一个N型薄层，且与两个N+区相连通，源极间形成N型导电沟道，其导电类型与P衬底相反。故又称为反型层。vGS越大，作用于半导体表面的电场就越强，吸引到P衬底表面的电子就越多，导电沟道越厚，沟道电阻越小。参考资料来源：百度百科—N沟MOS晶体管参考资料来源：百度百科—irf540n 2023-07-30 14:46:581

IRF540N场效应管检验方法 检验方法：用测电阻法判别结型场IRF540N效应管的电极根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法：将万用表拨在1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正、反向电阻值相等，且为几千欧姆时，则该两个电极分别是漏极D和源极S。因为对结型场效应管而言，漏极和源极可互换，剩下的电极肯定是栅极G。扩展资料：结型场效应管（JFET）1、结型场效应管的分类：结型场效应管有两种结构形式，它们是N沟道结型场效应管和P沟道结型场效应管。结型场效应管也具有三个电极，它们是：栅极；漏极；源极。电路符号中栅极的箭头场效应管场效应管方向可理解为两个PN结的正向导电方向。2、结型场效应管的工作原理(以N沟道结型场效应管为例)，N沟道结构型场效应管的结构及符号，由于PN结中的载流子已经耗尽，故PN基本上是不导电的，形成了所谓耗尽区，当漏极电源电压ED一定时，如果栅极电压越负，PN结交界面所形成的耗尽区就越厚。参考资料来源：百度百科-场效应管 2023-07-30 14:47:251

我想知道IRF540N 的MOS管他的GS极的电压是多大就开始导通，最大能加到多大的电压才不会使MOS管被烧坏！！ IRF540N的导通起控电压为2-4V，GS极之间最高电压不能超过20V，质量较好的管子GS加6-8V就已经饱和导通（内阻最小），所以使用时如果有脉动或尖峰电压时，最好在GS两极之间接入一12-15V的快速稳压管。我曾经测试过几十万只这种场效应管，质量最好的是美国IR和HARRIS公司出品的管子，参数的一致性相当地好。 2023-07-30 14:47:392

请教高手有谁告诉我 IRF540N是什么电子元件？用单片机可以驱动它吗？要怎么驱动？请给电路图，谢谢！ IRF540N、场效应管，VDss=100V、ID=33A、单片机不能直接驱动，因为IRF540N的VGS=20V，即驱动电压应在20V左右，单片机输出的驱动电压一般在5V以下，所以，中间应加一级高电压驱动，光耦也行。 2023-07-30 14:47:553

fhp540可以用什么管代替 fhp540可以用IRF540N场效应管型号对标来替代。fhp540、IRF540N场效应管二者之间的参数、特点是一致通用的。FHP540场效应管的特点是25A，100V，RDS(on)=37mΩ(max)@VGS=10V低电荷、低反向传输电容开关速度快。飞虹这款FHP540为N沟道增强型低压功率场效应管，在使用方面是不仅能匹配型号为IRF540N的国外场效应管，还能代用30N10型号的场效应管。 2023-07-30 14:48:171

MOS场管Irf540N的驱动电压直流还是交流2到4伏？ 所有的晶体管（包括双极型管BJT和场效管EFT）偏置电压都是直流电压，其输入和输出信号是一般为交流电压。从这个意义上说，晶体管是将直流功率转换成交流功率。BJT可看成一个流控电流源，EFT可看作一个压控电流源。具体到Irf540N，2～4V是基极导通电压的最大和最小值，是直流电压，低于这个电压管子不导通，类似断路。高于该值时管子导通，最大基极偏压Vgs不能超过20V，实际工作时的Vgs应选在4V到20V之间，注意Vgs越大，输出电流越大。 2023-07-30 14:48:262

三极管IRL540N与IRF540N参数有何区别？三极管IRF9540与IRF540N参数有何区别？ IRF9540 是P沟道 IRF540 是 N沟道 2023-07-30 14:48:493

IRF540N能代换FTP30N20R吗？ IRF540N 的参数是 Vdss=100V, Rds(on)=44mohm, Id=33A，FTP30N20R 是 30A, 200V N-CHANNEL ，差太多了。 2023-07-30 14:49:061

场效应管上的字母和数字代表什么？ 如图所示，三行的意义如下：IRF540N：产品型号P013D：年号编码规则不详，第13工作周，产线DG730：批次号 2023-07-30 14:49:151

MOS管与三端稳压管串联使用（也就是mos管（IRF540N）控制三端稳压管的输入电源），为何得不 稳压块必须得到足够的输入电压，才能正常稳压。你控制它的输入，让它吃不饱、穿不暖，怎么全心全意的为你工作？　　如果要用MOS管去控制输出，等于是亲自插手下属工作，不如扔掉稳压块直接控制输出来的简洁。 2023-07-30 14:49:301

IRF540N 数值VDSS=100V RDS=44 Id=33A什么意思？二极管作用？是自带的？GS导通电压范围？ VDSS是指MOS管在关断条件下能承受的最高正向电压、又称耐压、RDS是指MOS管在完全可启时的内阻、44毫欧、ID是指MOS管在完全开启时所能安全通过的电流、二极管是在MOS制作过程中产生的、又叫寄生二极管.起到保护MOS管的作用。 2023-07-30 14:49:391

单片机怎么开启场效应管 IRF540N的开通电压是2~4V，在VGS=5V时，ID大约为1~2A。如果负载电流小于1A可以直接驱动。如果大于1A有两种办法：一是更换场效应管，选用低开启电压的场效应管。二是加电平转换电路。电平转换电路可由二个三极管组成两个反相器来驱动；也可用一个三极管组成反相器驱动，但单片机输出要反相；也可用光耦组成的电平转换电路。由光耦组成的电平转换电路：http://www.weeqoo.com/UploadFile/2008/9/25/200809251127031644.gif 2023-07-30 14:49:494

如何用单片机5v控制24v3A电路的通断，手上有IRF540N。求一个详细的电路图！感激不尽 单片机控制 24v3A电路的通断, 可以直接用 IO 控制，任意选择一个 IO 口如 P3.7 则连接如下P3.7 - G , S - GND , +24 V - 负载 - D . 就可以了。这一段时间图没法贴上去。 2023-07-30 14:50:053

我的驱动电路输出是10V，我的场效应管用的是IRF540N，开关频率20Khz，请问G极应该串一个多大的电阻？ 栅极串联电阻式为了抑制自激用的，对正常工作不具备实质性的功能，通常选用几十Ω。 2023-07-30 14:50:201

MOS管 640B 能代替 540N么 IRF640B的基本参数是，18A，200V，0.18欧@UGS=10V，对比一下，IRF540N，33A，100V，0.044欧@UGS=10V。从指标上看，540N的电流更大一些，但耐压更小一点，从感觉上，有替代的可能，不过你需要注意这么几点：1、你的电路中的电流大小是多少，如果电流只有1-2A，我感觉还是有可能可以替代的，如果电流比较大，超过3A，基本上没戏。2、耐压方面问题不大。3、发热，640的导通电阻比较大，这意味着同样电流通过，会产生更多热量，不过这个方面很难估计，最后要实测一下才好。 2023-07-30 14:50:291

场效应管，IRFP250和IRF540N哪个电流高，功率高 ①、关于以上IRFP250场效应管参数是：∥耐压：200V∥电流：30A∥。②、关于以上那IRF540N场效应管参数是：∥耐压：100V∥电流：33A∥。③、关于以上两款场效应管不能只看电流，而且更得关注管子的耐压才行。 2023-07-30 14:50:392

单片机pwm输出无法控制irf540n对风扇调速 光耦三极管的发射极接地，把电阻和G极与三极管发射极断开，接到三极管集电极。只好试一试了。不行再想办法。 2023-07-30 14:50:571

我的这个逆变器电源是3.7伏的手机电池，负载5瓦，场效应管是IRF540N。为什么一个管很烫另一个 可能驱动电路有问题。场效管栅极有很大的电容，所以场效管需要电流驱动，一般采图腾柱式驱动电路。其次场效应的栅极电压比较高至少栅级要达到2.5 才能可饱和。驱动不良，会导致场效应开关不良而致耗散功率过大所以分发烫。 2023-07-30 14:51:072

请教各位大神，TL494驱动不了IRF540N 你可以再加一级图腾柱推动。 2023-07-30 14:51:141

用51单片机控制外部电路使用IRF540N或者8550PNP要如何链接？ MOS管基极那样接也可以，但最好串上1K电阻，且在栅极和地之间并一5-10K电阻负载应该是串在电源和漏极D之间的共阴数码管位选可用NPN管驱动．也可用PNP管驱动，但你图中画反了，集电极应该接地，发射极接位选　如图： 2023-07-30 14:51:232

mos参数问题 首先irf540n是N-MOS；通常用与低端（边）驱动，接地端，导通条件4V<=Vgs<=10V；P-MOS一般才是用作高端（边）驱动；参数说明：1&2问题不全；3栅极对源极的电压，即导通电压最高4V（可靠导通，最好Vgs要大于4V）；4栅极对源极的耐受电压，导通情况下测量得10V（这没说是最大值，但姑且按它是最大值吧）；5漏极对源极的耐受电压为100V。 2023-07-30 14:51:351

当IRF540N MOS管的G端给个3.4v的电压时SD端的电阻为多少？谢 DS间的电阻可以通过查规格书大概估算，也可以用DC电源和负载仪配合万用表准确获得，具体方法是给GS间加3.4V电压，DS间过1A电流，则DS间的压降就是DS间的电阻，个人认为这个阻值应该在60~90毫欧之间 2023-07-30 14:51:453

场效应管IRFZ44可以用什么三极管代替? 场效应管IRFZ44可以用IRF540N三极管代替。产品型号：irf540n生产厂家：SANYO 、IR、VISHAY描述：晶体管极性:N沟道漏极电流, Id 最大值:33A电压, Vds 最大:100V开态电阻, Rds(on):0.04ohm电压 @ Rds测量:10V电压, Vgs 最高:10V功耗:94W封装类型:TO-220AB针脚数:3功率, Pd:120W器件标记:IRF540N引脚节距:2.54mm晶体管数:1晶体管类型:MOSFET温度 @ 电流测量:25°C满功率温度:25°C热阻, 结至外壳 A:1.1°C/W电压 Vgs @ Rds on 测量:10V电压, Vds 典型值:100V电流, Id 连续:27A电流, Idm 脉冲:110A表面安装器件:通孔安装针脚格式:1 g2 d/tab3 s针脚配置:a阈值电压, Vgs th 典型值:4V 2023-07-30 14:51:553

怎么用IRF540N设计个开关电路图.比较简单的,不需要单片机.比如就输入个5V就可以开启IRF540N 负载串在漏极，源极接地，栅极用10V左右电压控制，记得栅极要加下拉电阻。5V电压稍低，540可能不会完全导通。 2023-07-30 14:52:391

你好，在吗？我现在手上有几只irf540n，我把它们并联之后串接到直流电机一段作控制使用。可是我门极开路的 irf540n并联门极本来就会开路啊 2023-07-30 14:52:451

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bul310fp开关管代换 BUL310FP是一种N沟道MOSFET功率开关管，可以用以下器件代替：1. IRF540N2. STP55NF06L3. FQP27P064. IRLB8748PBF5. IRFZ44N请注意，代替器件的参数和规格应与原始器件相似或更好，以确保电路的正常运行。建议在更换器件之前仔细阅读数据手册和应用笔记。 2023-07-30 14:53:011

N+P沟道双场效应管用于搭H桥时应用电压问题 mosfet 24v h桥正或反转时不导通两管的D-S电压<24v，所以上图规格对管都可以。irf540n 和 irfz44n 都可以考虑 2023-07-30 14:53:101

运放加达林顿管（三极管）组成的的恒流源原理？ 简单的说一下吧。你最好找一本模拟电子技术的书，我这里有本童诗白的《模拟电子技术基础》第四版，就以这个为参考书吧。1、先看恒流部分，Q1+R7，Q1是达林顿管，相当于一个NPN三极管，而下面有个R7，你看看像什么电路？貌似像共集放大电路是吧？就是这个。共集放大电路也叫射极跟随器，它的三极管E极电压会跟随基极电压变化而变化，你这里用了一个达林顿管，近似相当于两个B-E 电压，我们在理论上可以认为Ue=UB-2UBEQ=UB-1.4V.而Ue加在R7 上，形成发射极电流IE，三极管IC近似等于IE，也就意味着IC=IE=UE/R7。而UE=UB-1.4V，也就是IC=(UB-1.4)/R72、反馈部分：U3B及周围一圈电阻组成，这个是一个差分放大电路，放大的就是R7两边电压。（参考书的P333页图7.1.12）。放大倍数是(R6+R5)/R3，根据你的现有值，大概是在6-7.5倍之间。C5是积分电路，用于补偿相位。3、比较器部分，也就是U3A的电路，这个是用于比较器，跟DA输出（这个其实是你的电流设定值）比较，DA输出比反馈电压高，说明实际电流小于设定值，比较器输出高电平，驱动三极管导通获得电流。相反，如果DA输出比反馈电压小，说明实际电流过大，比较器输出低电平，三极管截止，电流中断。相当于一个PWM控制。不过这个电路我感觉并不完美，首先是达林顿管比一般的三极管、场效应管更难控制，用PWM可能效果不是特别好，用单个大功率三极管的话，你的运放输出电流可能还不一定够，你既然后端选择用PWM，还不如将这个管子换成N沟道增强型MOSFET，比如IRF540N（背一个散热片）这种，MOS管用于PWM控制比较方便。另外，MOSFET要根据你的输出电流要求调整，如果电流超过1A的话，可以适当选用TO3封装的MOSFET，比如IRFP250这类的。在反馈这部分，R3与同相端之间最好并联一个电阻到地，这个电阻的阻值就是你的反馈电阻R5+R6阻值。你有必要事先进行严密计算一下所需要的增益，同时选择精度比较高的金属膜电阻，至少1%。直接用于替换R5+R6，R3、R4也要这么做，LM358的精度比较低，U3B可以换成OP07精密运放。这样在后期单片机处理的时候会方便一点。另外，个人觉得采样电阻也稍微大了一点，可以更小一点，比如0.01欧，采用康铜丝这类金属材料做的采样电阻（增益可以稍微再调大一些），这样发热量也可以控制。R7用一般的功率电阻，电流大的话，发热很厉害，会影响电阻的阻值。 2023-07-30 14:53:261

MOS开关电路 你的锂电池电压多少？我上次用的是IRF540N，1A条件下一点问题都没有，当时做精密恒流源，可以控制到精度1mA。不过散热很重要，要有足够大的散热片和小风扇。电压有个3-5V就足够了。高电平驱动（其实就相当于PWM）。 2023-07-30 14:53:361

场效应管1RF1010E代换 可以用75N75。IRF1010E的数据是60V，84A，12mΩ，而75N75是75V，75A，12.5mΩ。两者数据相差不大，如果机器的最大电流不超过75A的话可以替换。可以混用。场效应晶体管简称场效应管。主要有两种类型和金属 - 氧化物半导体场效应管（简称MOS-FET）。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。 2023-07-30 14:53:563

boost升压电路短路问题！ 过流说得我不是特别明白，我只能大概分析下原因，而且你现在也是在仿真不是实际调试。过流原因可能有：1：触发脉冲的占空比太大由Uo=Ui*T/Toff当触发脉冲的占空比过大时所以有启动时输出已经过压的可能从而导致负载过流。2：电感过小导致流过开关管的电流过流，电感过小时电感在开关管导通时容易饱和从而导致在开关管导通时很快进入短路状态（建议驱动频率低时电感要选择大点的）3：为达到滤波的效果升压电路后级采用的电容滤波也有可能导致过流。因为导通瞬间电容近似短路，当电容大时短路效果越明显。综述：改进方案是提高触发脉冲频率，采用软起动，电感也可调整。希望对你有所帮助 2023-07-30 14:54:042

IRF540N怎么使用，三个腿从正面看，分别是什么用途？ IRF540N的使用方法是：将IRF540N接入开关电路中即可发挥N型场效应管的作用。三个腿从正面看分别是G、D、T。G的作用是控制极，D的作用是与散热孔铁片相连，T的作用是用来接地。由p型衬底和两个高浓度n扩散区构成的MOS管叫作n沟道MOS管，该管导通时在两个高浓度n扩散区间形成n型导电沟道。n沟道增强型MOS管必须在栅极上施加正向偏压，且只有栅源电压大于阈值电压时才有导电沟道产生的n沟道MOS管。n沟道耗尽型MOS管是指在不加栅压时，就有导电沟道产生的n沟道MOS管。扩展资料：IRF540N晶体管的工作原理：当vGS数值较小，吸引电子的能力不强时，源极之间仍无导电沟道出现。vGS增加时，吸引到P衬底表面层的电子就增多。当vGS达到某一数值时，这些电子在栅极附近的P衬底表面便形成一个N型薄层，且与两个N+区相连通，源极间形成N型导电沟道，其导电类型与P衬底相反。故又称为反型层。vGS越大，作用于半导体表面的电场就越强，吸引到P衬底表面的电子就越多，导电沟道越厚，沟道电阻越小。参考资料来源：百度百科—N沟MOS晶体管参考资料来源：百度百科—irf540n 2023-07-30 14:54:333

irf540n的产品的基本参数 产品型号：irf540n生产厂家：SANYO 、IR、VISHAY描述：晶体管极性:N沟道漏极电流, Id 最大值:33A电压, Vds 最大:100V开态电阻, Rds(on):0.04ohm电压 @ Rds测量:10V电压, Vgs 最高:10V功耗:94W封装类型:TO-220AB针脚数:3功率, Pd:120W器件标记:IRF540N引脚节距:2.54mm晶体管数:1晶体管类型:MOSFET温度 @ 电流测量:25°C满功率温度:25°C热阻, 结至外壳 A:1.1°C/W电压 Vgs @ Rds on 测量:10V电压, Vds 典型值:100V电流, Id 连续:27A电流, Idm 脉冲:110A表面安装器件:通孔安装针脚格式:1 g2 d/tab3 s针脚配置:a阈值电压, Vgs th 典型值:4V 2023-07-30 14:54:571

请教高手有谁告诉我 IRF540N是什么电子元件？用单片机可以驱动它吗？要怎么驱动？请给电路图，谢谢！ IRF540N、场效应管，VDss=100V、ID=33A、单片机不能直接驱动，因为IRF540N的VGS=20V，即驱动电压应在20V左右，单片机输出的驱动电压一般在5V以下，所以，中间应加一级高电压驱动，光耦也行。 2023-07-30 14:55:213

IRF540n作开关管问题 10KHz信号频率不算高，有几点要注意：1.)IRF540的栅极和源极间接一只0.25W/10K的电阻；2.)栅极和信号发生器之间接一只0.25W/22欧电阻，电阻尽量靠近栅极，最好在信号发生器和栅极间加上三极管跟随器驱动电路；3.）确保驱动信号幅度大于10V；4.）IRF540漏极到电源+Vo并联一只快恢复二极管，漏极接二极管正极，二极管可选：FR107或FR207 2023-07-30 14:55:312

我想请问一下场效应管IRF540n的针脚是怎么排列的 请看下图 2023-07-30 14:55:414

IRF540n作开关管问题 10KHz信号频率不算高，有几点要注意：1.)IRF540的栅极和源极间接一只0.25W/10K的电阻；2.)栅极和信号发生器之间接一只0.25W/22欧电阻，电阻尽量靠近栅极，最好在信号发生器和栅极间加上三极管跟随器驱动电路；3.）确保驱动信号幅度大于10V；4.）IRF540漏极到电源+Vo并联一只快恢复二极管，漏极接二极管正极，二极管可选：FR107或FR207 2023-07-30 14:56:222

irf540n的驱动电压问题 IRF540N的导通起控电压为2-4V，GS极之间最高电压不能超过20V，质量较好的管子GS加6-8V就已经饱和导通（内阻最小），所以使用时如果有脉动或尖峰电压时 2023-07-30 14:56:311

如何利用IRF540N设计一个简单有效的开关电路 2023-07-30 14:56:512

bul310fp开关管代换 BUL310FP是一款N沟道MOSFET开关管，其替代型号可以根据参数匹配来选择。以下是一些可能的替代型号：1. IRF540N2. STP55NF06L3. FQP27P064. IRLZ44N5. RFP30N06LE请注意，替代型号的参数应与原始型号相匹配，以确保电路的正常运行。建议在更换开关管时参考数据手册，并在必要时咨询专业人士的建议。 2023-07-30 14:57:041

电磁铁继流二极管应该怎么接啊 如果是直流电磁铁续流二极管极性与电源极性相反与电磁线圈并联。如电磁铁上端接＋电源，二极管负极接＋电源，正极接地。 2023-07-30 14:57:132

用单片机驱动MOS管，栅极电阻加多少 单片机任意一个i/o口通过一个三极管控制sg3525的10脚。i/o口和三极管基极间串个几k的电阻，发射极接地，集电极接sg3525的10脚同时接个10k电阻上拉至15脚。单片机发高电平时工作，低电平时关断。 2023-07-30 14:57:291

boost升压电路短路问题! 过流说得我不是特别明白，我只能大概分析下原因，而且你现在也是在仿真不是实际调试。过流原因可能有:1:触发脉冲的占空比太大由Uo=Ui*T/Toff当触发脉冲的占空比过大时所以有启动时输出已经过压的可能从而导致负载过流。2:电感过小导致流过开关管的电流过流，电感过小时电感在开关管导通时容易饱和从而导致在开关管导通时很快进入短路状态(建议驱动频率低时电感要选择大点的)3:为达到滤波的效果升压电路后级采用的电容滤波也有可能导致过流。因为导通瞬间电容近似短路，当电容大时短路效果越明显。综述:改进方案是提高触发脉冲频率，采用软起动，电感也可调整。希望对你有所帮助 2023-07-30 14:57:381

场效应管型号ne22511h567f ne22511h567f5e这个不是型号。。。类似IR2110S,IRF1010E,IRF150N,IRF2807,IRF3205,IRF4905,IRF530N,IRF540N,IRF630,IRF630B,IRF640,IRF640B,IRF73这些的才是型号。 2023-07-30 14:57:452

用单片机驱动MOS管，栅极电阻加多少 加个470K左右试试，具体原因我也不是很清楚。我用irlml6402时，通过测试选用了470K的电阻。如果楼主知道了原因麻烦也告诉小弟一下，先谢谢了。 ----------------------------------------------------------------------把原理图贴上来看一看。如果没有插上片机则栅极为断路，电流没有回路了，可能跟这有关吧。另外，MOS管属压控元件，测量一下栅极电阻两端电压看看呢 2023-07-30 14:57:554

直流无刷电机驱动问题 无刷电机在额定电压和额定电流确定的情况下，会有额定转速出来。50W的无刷电机额定转速情况下空载电流很小，一般不会超过0.2A，所以可以用不同的电压值进行测试，在电流小于0.2A转速1000转的情况下，电压值最接近的应该就是额定工作电压。深圳市鑫海文科技有限公司致力于直流无刷电机和驱动器定制开发多年，拥有丰富的定制开发和应用经验，在各行业都有成熟应用，支持客户多样化定制要求。详情点击：网页链接 2023-07-30 14:58:172

开关电源中开关管代换的问题。 IRFBC40： N - CHANNEL 600V - 1.0ohm - 6.2 A - TO-220这个差不多吧 K1507：600V-9A，也可以代替 2023-07-30 14:58:272

v40at能用二极管替换吗?可以用什么样的二极管换？ 不能用二极管替换！！！V40AT是VMOS场效应管（二十几年前的流行品，特性曲线与现在流行的MOS场效应管略有不同），参数如下：功率 40W 电流3A 导阻1Ω 电压60V 封装TO-220 管脚排列（面朝字）GDS 本例中V40AT作为开关管使用，由于驱动电流小，可以用常见的NMOS场效应管代替，例如：IRF540N（不一一例举了）功率 94W 电流33A 导阻40mΩ 电压100V 封装TO-220 管脚排列（面朝字）GDS 2023-07-30 14:58:371

540N三极管是低频管还是高频管 你说的是IRF540N吗，他不是低频也不是高频，是MOS 场效用管 2023-07-30 14:58:561

请问P75NF75、IRF510 IRF3205 IRF150 IRF450场效应管的功率是多少？

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