如何测量眼镜表层反光膜的厚度？专业人士进，追加分。。。

台阶仪属于接触式表面形貌测量仪器 。根据使用传感器的不同，接触式台阶测量可以分为电感式、压电式和光电式3种。测量原理其测量原理是：当触针沿被测表面轻轻滑过时，由于表面有微小的峰谷使触针在滑行的同时，还沿峰谷作上下运动。触针的运动情况就反映了表面轮廓的情况。传感器输出的电信号经测量电桥后，输出与触针偏离平衡位置的位移成正比的调幅信号。经放大与相敏整流后，可将位移信号从调幅信号中解调出来，得到放大了的与触针位移成正比的缓慢变化信号。再经噪音滤波器、波度滤波器进一步滤去调制频率与外界干扰信号以及波度等因素对粗糙度测量的影响。主要种类电感式采用电感位移传感器作为敏感元件，测量精度高、信噪比高，但电路处理复杂；压电式的位移敏感元件为压电晶体，其灵敏度高、结构简单，但传感器低频响应不好、且容易漏电造成测量误差；光电式是利用光电元件接收透过狭缝的光通量变化来检测位移量的变化。

难。测量精度较高、量程大、测量结果稳定可靠、重复性好，但是操作过程复杂，需要选择好数据采集和分析过程。台阶仪属于接触式表面形貌测量仪器，而且它也被人们叫做台阶测量仪等等。

台阶仪测量薄膜厚度的优缺点如下：1、台阶仪测量薄膜厚度的优点：能够迅速测定薄膜的厚度及分布，可靠直观，具有相当准确的精度。2、台阶仪测量薄膜厚度的缺点：不能记录表面上比探针直径小的窄裂缝、凹陷，由于触针的尖端直径很小，易将薄膜划伤、损坏。

台阶仪测量精度较高、量程大、测量结果稳定可靠、重复性好，此外它还可以作为其它形貌测量技术的比对。但是也有其难以克服的缺点：1由于测头与测件相接触造成的测头变形和磨损，使仪器在使用一段时间后测量精度下降；2测头为了保证耐磨性和刚性而不能做得非常细小尖锐，如果测头头部曲率半径大于被测表面上微观凹坑的半径必然造成该处测量数据的偏差；3为使测头不至于很快磨损，测头的硬度一般都很高，因此不适于精密零件及软质表面的测量。

首先，要注意台阶仪型号的选择。目前市面上的台阶仪型号种类繁多，有电感式、光电式、双模式等等，不同型号的台阶仪所适用的测量环境与测量对象有所不同。所以为了日后的使用，一定要在选购之前选择适合自己的正确型号。其次要注重您选购的台阶仪的产品质量。看一架台阶仪的质量，要从多方面考察，例如台阶仪是否具有完整的组成结构、测头是否有磨损、变形等问题。正是因为台阶仪的需求市场广泛，因此许多黑心的厂家大量的收购二手台阶仪，进行重新的加工和生产之后作为新品出售。而如果消费者没有察觉到而购买了测头磨损情况严重，结构不完整的台阶仪，不但浪费成本， 而且也不利益日后测量过程中数值结果的准确度。因此这一点要格外注意。最后，就是要注意您选购的厂家是否正规。正如上文中提到过，有些厂家出售的台阶仪质量不过关，或者在消费者不了解台阶仪市场价格的情况下随意加价，这些都为消费者带来困扰。因此在选择厂家之前，一定要考察这家厂家的资质如何，产品是否有国家产品质量认证等相关证明文件。

正确名称应该是表面轮廓仪可以用探针把待测物体表面的相对高度给出来~~~由于常用于测量台阶——比如测量所镀膜的厚度那种，故也称为台阶仪！

日本小坂是日本唯一一家生产台阶仪厂家，具有欧美无法比拟的性价比。日本小坂公司成立于1950年创立，第一家发表光学杠杆表面粗糙度计，60年代就开发出圆度仪。一家具有悠久历史的与技术背景的厂商，主要有测定/自动/流体三大部门。其中测定部门为最具代表性单位且在精密测定界占有一席无法被取代的地位。随着中国市场的重要，小坂于2007年开始大力开拓国内市场。

不一样，扫描电镜是一种电真空装备，和电视成像有些类似。台阶仪器是一种机械装置，我的理解像是仿形加工设备。

台阶仪是用来测量薄膜厚度的吧.高度重复性就是说其他条件相同时两次不同的测量下的结果差的很小. 重复性可以达到5埃就是说结果相差小于5埃.

一般使用台阶仪，需要制作掩膜，或者使用油性笔画线，镀膜结束后洗掉线。一般的台阶仪精度极限在50nm左右，小于这个的厚度的薄膜可以使用椭偏仪。但是需要知道镀膜的材料。

普通光学显微镜不能测厚度，原子力显微镜和扫描隧道显微镜可以测纳米级别的表面形貌。不过我觉得这应该不是你想问的问题。如果测10纳米到几百纳米尺寸，可以用椭偏仪。如果是微米级别的形貌可以用台阶仪啊，不过台阶仪器是一维的，不知道是不是你想要的。

回答问题可能不是特别对口，部分题目不是特别详细，也没办法详细。如果有疑问再追问或者联系我。1.膜层厚度测量问题：如果是纯净的氧化锌，或者说是透明的，就可以用光学方法测量膜层厚度，如果是非透明的，就用台阶仪，这量类的测量厚度的光学仪器不少，我不再细说。需要注意的是选择适当的测量范围的仪器。2.一般磁控溅射可以分为直流（二级）溅射、中频、射频。直流溅射电源便宜，沉积膜层致密度较差，一般国内光热、薄膜电池选择使用的方法，能量较低，溅射靶材为金属靶材。射频能量较高，一般溅射陶瓷靶材。中频两者之间，溅射靶材也为金属靶材。3.金属靶材溅射过程中，具有溅射速率和沉积速率。溅射速率是靶材原子被溅射逸出的情况，而沉积在基体上的情况为沉积速率，两者在溅射气压等外界环境不同的情况下，并不成正比。但是需要固定工艺下的长时间计算可以确定镀膜时间的。（但是这个时间一般按照溅射完成后膜层的厚度测量来的更加准确）4.在金属靶材溅射过程中，如果想达到氧化亚锌的理想值，比较难，需要精确控制溅射产额和氧气流量。一般溅射物质为氩气（价格便宜，溅射产额较高）。主要为控制过程，国内的质量流量计一般都比较粗，建议用压电陶瓷阀，德国的sus04。另一个方案是射频溅射氧化亚锌陶瓷靶材，这个容易控制溅射后沉积膜层的两元素的比值。但是需要靶材符合两元素的比之条件，另外，在射频溅射过程中，需要严格控制靶材，陶瓷靶溅射过程中，容易断裂。还有就是射频的危害性较大。以上为泛泛而谈。如果不通，精确讨论是免不了的。

钢基底上镀的金属膜的厚度可以用台阶仪测量，也可以用SEM截面照片测量，硬度可以用维氏显微硬度计和纳米压入仪测量，结合力可以用划痕仪测量，摩擦系数用摩擦磨损试验机测试。玻璃上镀的Cr膜的厚度也可以用台阶仪或SEM截面照片测量，硬度只能用纳米压入仪测量，结合力和摩擦系数最好用纳米压入仪设备带的附件（微划痕仪与微磨损仪）测量。

设备名称： 傅立叶变换红外光谱仪 设备编号： HIK-SCT-1 （1）系统简介&Oslash; 全新摆式干涉仪，易于实现快速扫描。干涉仪稳定性高、体积小，结构紧凑、便于维护。&Oslash; 干涉仪采用密封防潮防尘型结构，有效降低了对使用环境的要求。&Oslash; 高强度红外光源采用球形反射装置，可获得均匀、稳定的红外辐射。&Oslash; 程控增益放大电路、高精度A/D转换电路的设计及嵌入式微机的应用，提高了仪器的精度及可靠性。&Oslash; 光谱仪与计算机之间通过USB方式进行控制和数据通讯，完全实现即插即用。&Oslash; 通用微机系统，全中文应用软件，内容丰富。具备完整的谱图采集、光谱转换、光谱处理、光谱分析及谱图输出功能，使操作更简单、方便、灵活。（2）技术参数&Oslash; 波数范围: 4400cm-1～600cm-1&Oslash; 分辨率: 2cm-1，4cm-1可选&Oslash; 波数准确度：优于所设分辨率的1/2&Oslash; 透过率重复性:：0.5%T&Oslash; 100%T线信噪比:2100 cm-1附近，S/N优于10000:1(RMS值)&Oslash; 分束器：ZnSe&Oslash; 探测器: DTGS，MCT可选&Oslash; 光源：高性能的空冷高效球反射红外光源 设备名称： 四探针测试仪 设备编号： HIK-SCT-3 （1）系统简介四探针测试仪是运用四探针测量原理的多用途综合测量设备。该仪器按照单晶硅物理测试方法国家标准并参考美国 A.S.T.M 标准而设计的，专用于测试半导体材料电阻率及方块电阻(薄层电阻)的专用仪器。仪器由主机、测试台、四探针探头、计算机等部分组成，测量数据既可由主机直接显示，亦可由计算机控制测试采集测试数据到计算机中加以分析，然后以表格，图形方式统计分析显示测试结果。仪器采用了最新电子技术进行设计、装配。具有功能选择直观、测量取数快、精度高、测量范围宽、稳定性好、结构紧凑、易操作等特点。（2）应用范围本仪器适用于半导体材料厂、半导体器件厂、科研单位、高等院校对半导体材料的电阻性能测试。105（3）技术参数 测量范围 电阻率：10-4～105Ω.cm； 方块电阻：10-3～106Ω/□（可扩展）； 　　电导率：10-5～104s/cm； 　　电阻：10-4～105Ω； 　　可测晶片直径 140mmX150mm（配 S-2A型测试台）； 200mmX200mm（配 S-2B型测试台）； 　　400mmX500mm（配 S-2C型测试台）； 　　恒流源 电流量程分为 1uA、10uA、100uA、1mA、10mA、100mA六档，各档电流连续可调 数字电压表 量程及表示形式 000.00～199.99 mV； 分辨力：10uV； 　　输入阻抗>1000MΩ； 　　精度：±0.1% ； 　　显示：四位半红色发光管数字显示；极性、超量程自动显示； 　　四探针探头基本指标 间距：1±0.01mm； 针间绝缘电阻：≥1000MΩ； 　　机械游移率：≤0.3%； 　　探针：碳化钨或高速钢 Ф0.5mm； 　　探针压力：5～16 牛顿（总力）； 　　模拟电阻测量相对误差 0.01Ω、0.1Ω、1Ω、10Ω、100Ω、1000Ω、10000Ω≤0.3%±1字 整机测量最大相对误差 （用硅标样片：0.01-180Ω.cm 测试） ≤±5% 整机测量标准不确定度 ≤5% 计算机通讯接口 并口 标准使用环境 温度：23±2℃； 相对湿度：≤65%； 　　无高频干扰； 　　无强光直射； 　　 设备名称： 少子寿命测试仪 设备编号： HIK-SCT-5 （1）系统简介少子测试量程从1μs到6000μs，硅料电阻率下限达0.1Ω.cm(可扩展至0.01Ω.cm)。测试过程全程动态曲线监控，少子寿命测量可灵敏地反映单晶体重金属污染及陷阱效应表面复合效应等缺陷情况，是原生多晶硅料及半导体及太阳能拉晶企业不可多得少子寿命测量仪器。（2）应用范围少子寿命测试仪，是一款功能强大的少子寿命测试仪，不仅适用于硅片少子寿命的测量，更适用于硅棒、硅芯、检磷棒、检硼棒、籽晶等多种不规则形状硅少子寿命的测量。（3）产品特点&Oslash; 测试范围广：包括硅块、硅棒、硅芯、检磷棒、检硼棒、籽晶、硅片等的少子寿命及锗单晶的少子寿命测量。&Oslash; 主要应用于硅棒、硅芯、检磷棒、检硼棒、籽晶、硅块、硅片的进厂、出厂检查，生产工艺过程中重金属沾污和缺陷的监控等。&Oslash; 适用于低阻硅料少子寿命的测量，电阻率测量范围可达ρ>0.1Ω?cm（可扩展至0.01Ω?cm），完全解决了微波光电导无法检测低阻单晶硅的问题。&Oslash; 全程监控动态测试过程，避免了微波光电导（u-PCD）无法观测晶体硅陷阱效应，表面复合效应缺陷的问题。&Oslash; 贯穿深度大，达500微米，相比微波光电导的30微米的贯穿深度，真正体现了少子的体寿命的测量，避免了表面复合效应的干扰。&Oslash; 专业定制样品架最大程度地满足了原生多晶硅料生产企业测试多种形状的硅材料少子寿命的要求，包括硅芯、检磷棒、检硼棒等。&Oslash; 性价比高，价格远低于国外国外少子寿命测试仪产品，极大程度地降低了企业的测试成本。（4）技术参数&Oslash; 测试材料：硅半导体材料 - 硅棒、硅芯、检磷棒、检硼棒、籽晶、硅块、硅片等，锗半导体材料。&Oslash; 少子寿命测试范围 :1μs-6000μs&Oslash; 可测低阻硅料下限： 0.1Ω.cm, 可扩展到 0.01Ω.cm&Oslash; 激光波长： 1.07μm&Oslash; 激光在单晶硅中的贯穿深度： 500μm&Oslash; 工作频率： 30MHz&Oslash; 低输出阻抗，输出功率> 1W&Oslash; 电源：～220V 50Hz 功耗<50W 设备名称： 探针轮廓仪 设备编号： HIK-SCT-6 （1）系统简介Dektak 150集四十余年的技术积累和创新于一身，为满足用户不同应用方向的需要提供了多种可选配置。坚固的铝质材料铸成的机身框架以及支撑部件显著提高了仪器的重复精度，并降低了地板噪音对测量的干扰。基于Windows XP的Dektak随机配备软件系统界面友好，为用户提供了完善的分析功能。“一键式”操作方式使得测量工作简单易行。通过选配三维成像附件套装还可以极大地扩充仪器的功能。（2）应用范围探针式表面轮廓仪(台阶仪)，主要应用于薄膜厚度测量、样品表面形貌测量、薄膜应力测量、样品表面粗糙度/波纹度测量、以及样品表面三维形貌测量等众多领域。（3）主要特点&Oslash; 台阶高度测量的高重复性&Oslash; 基于精密加工光学参考平面的样品台，确保在长距离扫描中基线的稳定性&Oslash; 出色的易用性、易维护性&Oslash; 最好的样品适用性&Oslash; 高分辨率的粗糙度测量&Oslash; 功能强大的软件分析系统&Oslash; 三维表面形貌测量的功能可升级性&Oslash; 广泛的应用领域（4）技术参数&Oslash; 测量重复性 6&Oslash; 扫描长度 50μm-55mm&Oslash; 单次扫描最大数据点 60,000个&Oslash; 允许样品最大高度 100mm (根据配置不同会有所变化)&Oslash; 垂直范围量程 524μm (1mm选配)&Oslash; 最高垂直分辨率 1 ? (6.55μm量程范围下)&Oslash; 样品台 150mm，X-Y-θ手动调节&Oslash; 探针压力范围 1-15mg (0.03mg选配)&Oslash; 摄像头显微镜视野范围2.6mm (0.67-4.29mm选配) 设备名称： 原生多晶电阻率测试仪 设备编号： HIK-SCT-10 （1）系统简介原生多晶电阻率测试仪，是一款高端电阻率测试仪器，具有电阻率大量程及超大量程测量的特点，实现了电阻率从0.0001欧姆.厘米到几万欧姆.厘米（可扩展）的测试范围，具有测量精度高、稳定性好、测量范围广、结构紧凑、使用方便等特点。是西门子法、硅烷法等工艺生产原生多晶硅料的企业、物理提纯生产多晶硅料生产企业、半导体材料厂、器件厂、科研部门、高等院校以及需要超大量程测试电阻率测试的企业的最佳帮手。（2）产品特点&Oslash; 适用于西门子法、硅烷法等工艺生产原生多晶硅料的企业&Oslash; 适用于物理提纯生产多晶硅料生产企业&Oslash; 适用于光伏拉晶铸锭及 IC 半导体器件企业&Oslash; 适用于科研部门、高等院校及需要超大量程测量电阻率的企业&Oslash; 测量精度高，除了具有厚度修正功能外、还有温度修正、圆片直径修正等功能&Oslash; 独特的设计能有效消除测量引线和接触电阻产生的误差，实现了测量的高精度和极宽的量程范围&Oslash; 双数字表结构使测量更精确，操作更简便&Oslash; 具有强大的测试数据查询及打印功能&Oslash; 测量系统可实现自动换向测量、求平均值、最大值、最小值、平均百分变化率等&Oslash; 四探针头采用进口红宝石轴套导向结构，使探针的游移率减小，测量重复性大大提高&Oslash; 采用进口元器件，留有更大的安全系数，大大提高了测试仪的可靠性和使用寿命&Oslash; 测量电流采用高度稳定的特制恒流源（万分之五精度），不受气候条件的影响&Oslash; 具有正测反测的功能，保证测试结果的准确性&Oslash; 具有抗强磁场和抗高频设备的性能（3）技术参数&Oslash; 可测电阻率范围： 10-5 — 1.9 × 1 05 Ω· cm （可扩展）&Oslash; 测量精度<3%&Oslash; AC 220V ± 10% 50/60 Hz 功率： 12W 设备名称： 无接触电阻率型号测试仪 设备编号： HIK-SCT-15 （1）系统简介无接触式电阻率型号测试仪是基于涡流（Eddy Current）测试技术，能够对硅料、硅棒、硅锭及硅片进行无接触、无损伤的体电阻率测试。（2）产品特点&Oslash; 测试范围广&Oslash; 产品体积小，便于移动和携带&Oslash; 采用涡流法测试硅锭、棒、回炉料体电阻率&Oslash; 无接触、无损伤快速测试&Oslash; 测试前无需表面处理&Oslash; 特别对于多晶，能够有效避免晶界对测试的影响&Oslash; 可选加无接触PN型号测试功能&Oslash; 可进行温度和厚度的修正（3）技术参数&Oslash; 最小测试厚度：200μm&Oslash; 测量时间：2秒/次&Oslash; 最小测试面积：30x30 mm2&Oslash; 推荐使用温度：20℃&Oslash; 湿度：≤80%&Oslash; 气压：86-106kPa&Oslash; 使用电压：230±10V&Oslash; 频率，50±3Hz&Oslash; 功率消耗：≤5W&Oslash; 尺寸（LxWxH）：280x200x60mm 设备名称： 硅片缺陷测试仪 设备编号： HIK-SCT-18 （1）系统简介硅片缺陷观测仪，于对硅片的缺陷进行观察，效果非常明显，包括肉眼无法观测的位错、层错、划痕、崩边等。实时对图像进行分析、测量和统计，提高传统光学仪器的使用内涵。配合投影仪和计算机等显示、存储设备，能更好的观测和保存研究结果。（2）产品特点&Oslash; 适用于对硅片的缺陷观察效果，非常明显，包括肉眼无法观测的位错、层错、划痕、崩边等；&Oslash; 使硅片缺陷观察工作简单化，准确化，同时极大程度降低此项工作强度；&Oslash; 实时对图像进行分析、测量和统计，提高传统光学仪器的使用内涵。配合投影仪和计算机等显示、存储设备，能更好的观测和保存研究结果；&Oslash; 使用 1/2CMOS 感光芯片，具有体积小，技术先进，像素较高， 成像清晰 、线条细腻、色彩丰富；&Oslash; 传输接口为 USB2.0 高速接口， 软件模块化设计 ；&Oslash; 有效分辨率为 200 万像素；&Oslash; 所配软件能兼容 windows 2000 和 windows XP 操作系统。 设备名称： 多晶硅红外探伤测试仪 设备编号： HIK-SCT-19 （1）系统简介红外探伤测试仪-是专门用于多晶硅片生产中的硅块硅棒硅片的裂缝、杂质、黑点、阴影、微晶等缺陷探伤的仪器。（3）产品特点&Oslash; 为太阳能多晶硅片过程中的质量控制提供了强大的监测工具&Oslash; 检测速度快，平均每个硅块检测时间为不超过1分钟&Oslash; NIRVision软件能够分析4面探伤结果，并且直接将结果转换成三维模型图像&Oslash; 成像过程将自动标出夹杂的位置所在&Oslash; 独特的加强型内插法为高分辨率的杂质探伤功能提供了强大的技术保障&Oslash; 采用欧洲数控工程铝合金材料&Oslash; 表面都采用了高强度漆面和电氧化工艺保护&Oslash; 系统外框采用高质量工业设计&Oslash; 所有的部件的设计都达到了长期高强度使用及最小维护量的要求&Oslash; 能够通过自动或手动旋转对硅块的前后左右四面和上下两面进行全面探伤。&Oslash; 红外光源通过交直流光源进行控制，光强可以通过软件直接控制，同时它具有过热保护功能&Oslash; 同时软件包含了杂质图像的管理分析功能&Oslash; 稳定性和耐用性俱佳。&Oslash; 探伤测试面最好进行抛光处理，因此我们推荐在线切割之前进行红外探伤&Oslash; 红外成像光源受电阻率影响，硅块电阻率越低，则对红外光的吸收越多&Oslash; 一般电阻率不能低于0.5Ohm*Cm,我们推荐的电阻率在0.8Ohm*Cm以上（4）技术参数■ 主要探测指标：夹杂（通常为SiC），隐裂，微粒等■ 硅块电阻率：≥0.8Ohm*Cm（推荐）■ 检测时间：平均每个硅块1分钟■ 最大探测深度：200mm■ 外框和箱体> 尺寸：143x53x55> 外框采用数控工程铝合金> 外框是覆盖静电强力漆铝面板> 主机重量：98 kg> 附件重量：25 kg■ 旋转台> 采用单轴伺服电机> 最大承载量:40kg> 具有过流保护以防止损伤和电机烧毁> 无步进损失，高分辨率解码机器■ 红外光源> 高强度NIR卤灯，273mm加热波长> 功率：230V, 1000W> 温度：25-60摄氏度> 光强可通过软件控制> 软件具有过热保护■ 观测仪> 采用红外CCD控温> 12位ADC> 频率：60Hz和100Hz两个选择> 像素间距: 30μm> 分辨率：: 320x256 像素> 可手动调节红外镜头

透射电子显微镜(JEM-2010(HT))透射电子显微镜（JEM-2010(HT)）高风流扩展系统D8X射线衍射仪纳米台阶仪荧光分光光度计放电等离子烧结系统纳米粒度及电位分析仪场发射扫描电子显微镜纳米机械分析仪微流双螺杆挤出机紫外可见近红外光谱仪综合热分析仪扫描探针显微镜超声探伤仪超高真空激光分子束外延光刻机慢正电子束谱仪

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扫描隧道显微镜（scanning tunneling microscope，STM）以下可供参考：中科院北京电镜实验室和大连理工大学研制成功中国第一台光子扫描隧道显微镜。http://www.bestinfo.net.cn/ztrd/kjsz/bndsj/1993/t20040603_1276.htm本原CSPM扫描隧道显微镜本原CSPM系列扫描隧道显微镜(STM):中国销量第一,市场占有率第一, 出口量第一,技术水平最高,功能最齐备,技术支持和售后服务最完善.主流仪器,成熟产品,优质服务,信心选择.免费产品咨询和技术服务电话:800-830-3560. www.spm.com.cn中国最大扫描隧道/探针显微镜STM制造商爱建纳米是中国最大的扫描探针显微镜专业制造商,注册资本1200万元.自主开发的多款产品均获得“上海A级高新技术成果转化项目”.产品在国内超过50%的国产仪器市场份额.200多用户和每年100多篇用户论文见证品质和服务. www.inano.net上海海江纳米提供Park扫描隧道显微镜独家代理美国Ambios Technology Inc.台阶仪和光学轮廓仪/韩国PSIA Corp. 新一代原子力显微镜/法国Sopra S.A.连续光谱式椭偏仪/法国Stil S.A.共焦三维轮廓仪 www.haijiangnano.com 上海卓伦微纳米专业研制扫描隧道显微镜专业研制扫描隧道显微镜(STM),原子力显微镜AFM(含接触/轻敲/相移/抬起多工作模式),磁力显微镜MFM,摩擦力显微镜,静电力显微镜等扫描探针显微镜,及工业级检测8英寸大样品台SPM.021-58217762 www.chinaspm.com海兹思NanoFirst扫描隧道显微镜上海海兹思光电科技公司科技人员从业扫描探针显微镜及中高档光学显微镜均具有十多年的技术经验和积累。产品有NanoFirst-1000系列STM、2000系列AFM、3000系列扫描探针显微镜、4000系列纳米操纵加工系统、5000系列近场 www.nanofirst.com 上海爱建纳米科技发展有限公司 AJ-I型扫描隧道显微镜（STM）http://www.jxc.com.cn/Product/A40F1F3854B85CE70.html浙江兄弟包装机械有限公司 扫描隧道显微镜（STM-II型）http://china.npicp.com/productshow/offerdetail/25-844-2839-4538.html

点链接进去能看到公式定量构效关系维基百科，自由的百科全书跳转到： 导航, 搜索定量构效关系(QSAR)是一种借助分子的理化性质参数或结构参数，以数学和统计学手段定量研究有机小分子与生物大分子相互作用、有机小分子在生物体内吸收、分布、代谢、排泄等生理相关性质的方法。这种方法广泛应用于药物、农药、化学毒剂等生物活性分子的合理设计，在早期的药物设计中，定量构效关系方法占据主导地位，1990年代以来随着计算机计算能力的提高和众多生物大分子三维结构的准确测定，基于结构的药物设计逐渐取代了定量构效关系在药物设计领域的主导地位，但是QSAR在药学研究中仍然发挥着非常重要的作用。三维定量构效关系方法：CoMFA放大三维定量构效关系方法：CoMFA目录[隐藏]* 1 发展历史* 2 二维定量构效关系o 2.1 活性参数o 2.2 结构参数o 2.3 数学模型o 2.4 发展* 3 三维定量构效关系o 3.1 CoMFA&CoMSIAo 3.2 其他三维定量构效关系方法* 4 方法评价* 5 参见* 6 外部链接* 7 参考书目[编辑]发展历史定量构效关系是在传统构效关系的基础上，结合物理化学中常用的经验方程的数学方法出现的，其理论历史可以追溯到1868年提出的Crum-Brown方程，该方程认为化合物的生理活性可以用化学结构的函数来表示，但是并未建立明确的函数模型。最早的可以实施的定量构效关系方法是美国波蒙拿学院的Hansch在1962年提出的Hansch方程。Hansch方程脱胎于1935年英国物理化学家哈密顿提出的哈密顿方程以及改进的塔夫托方程。哈密顿方程是一个计算取代苯甲酸解离常数的经验方程，这个方程将取代苯甲酸解离常数的对数值与取代基团的电性参数建立了线性关系，塔夫托方程是在哈密顿方程的基础上改进形成的计算脂肪族酯类化合物水解反应速率常数的经验方程，它将速率常数的对数与电性参数和立体参数建立了线性关系。Hansch方程在形式上与哈密顿方程和塔夫托方程非常接近，以生理活性物质的半数有效量作为活性参数，以分子的电性参数、立体参数和疏水参数作为线性回归分析的变量，随后，Hansch和日本访问学者藤田稔夫等人一道改进了Hansch方程的数学模型，引入了指示变量、抛物线模型和双线性模型等修正，使得方程的预测能力有所提高。几乎在Hansch方法发表的同时，Free等人发表了Free-Wilson方法，这种方法直接以分子结构作为变量对生理活性进行回归分析。其在药物化学中的应用范围远不如Hansch方法广泛。Hansch方法、Free-Wilson方法等方法均是将分子作为一个整体考虑其性质，并不能细致地反应分子的三维结构与生理活性之间的关系，因而又被称作二维定量构效关系二维定量构效关系出现之后，在药物化学领域产生了很大影响，人们对构效关系的认识从传统的定性水平上升到定量水平。定量的结构活性关系也在一定程度上揭示了药物分子与生物大分子结合的模式。在Hansch方法的指导下，人们成功地设计了诺氟沙星等喹诺酮类抗菌药由于二维定量不能精确描述分子三维结构与生理活性之间的关系，1980年代前后人们开始探讨基于分子构象的三维定量构效关系的可行性。1979年，crippen提出距离几何学的3D-QSAR；1980年hopfinger等人提出分子形状分析方法；1988年Cramer等人提出了比较分子场方法（CoMFA）。比较分子场方法一经提出便席卷药物设计领域，成为应用最广泛的基于定量构效关系的药物设计方法；1990年代，又出现了在比较分子场方法基础上改进的比较分子相似性方法以及在距离几何学的3DQSAR基础上发展的虚拟受体方法等新的三维定量构效关系方法，但是老牌的CoMFA依然是使用最广泛的定量勾销关系方法。[编辑]二维定量构效关系二维定量构效关系方法是将分子整体的结构性质作为参数，对分子生理活性进行回归分析，建立化学结构与生理活性相关性模型的一种药物设计方法，常见的二维定量构效关系方法有Hansch方法、Free-wilson方法、分子连接性方法等，最为著名和应用最广泛的是Hansch方法[编辑]活性参数活性参数是构成二维定量构效关系的要素之一，人们根据研究的体系选择不同的活性参数，常见的活性参数有：半数有效量、半数有效浓度、半数抑菌浓度、半数致死量、最小抑菌浓度等，所有活性参数均必须采用物质的量作为计量单位，以便消除分子量的影响，从而真实地反应分子水平的生理活性。为了获得较好的数学模型，活性参数在二维定量构效关系中一般取负对数后进行统计分析。[编辑]结构参数结构参数是构成定量构效关系的另一大要素，常见的结构参数有：疏水参数、电性参数、立体参数、几何参数、拓扑参数、理化性质参数以及纯粹的结构参数等* 疏水参数：药物在体内吸收和分布的过程与其疏水性密切相关，因而疏水性是影响药物生理活性的一个重要性质，在二维定量构效关系中采用的疏水参数最常见的是脂水分配系数，其定义为分子在正辛醇与水中分配的比例，对于分子母环上的取代基，脂水分配系数的对数值具有加和性，可以通过简单的代数计算获得某一取代结构的疏水参数。* 电性参数：二维定量构效关系中的电性参数直接继承了哈密顿公式和塔夫托公式中的电性参数的定义，用以表征取代基团对分子整体电子分配的影响，其数值对于取代基也具有加和性。* 立体参数：立体参数可以表征分子内部由于各个基团相互作用对药效构象产生的影响以及对药物和生物大分子结合模式产生的影响，常用的立体参数有塔夫托立体参数、摩尔折射率、范德华半径等。* 几何参数：几何参数是与分子构象相关的立体参数，因为这类参数常常在定量构效关系中占据一定地位，故而将其与立体参数分割考虑，常见的几何参数有分子表面积、溶剂可及化表面积、分子体积、多维立体参数等* 拓扑参数：在分子连接性方法中使用的结构参数，拓扑参数根据分子的拓扑结构将各个原子编码，用形成的代码来表征分子结构。* 理化性质参数：偶极矩、分子光谱数据、前线轨道能级、酸碱解离常数等理化性质参数有时也用做结构参数参予定量构效关系研究* 纯粹的结构参数：在Free-Wilson方法中，使用纯粹的结构参数，这种参数以某一特定结构的分子为参考标准，依照结构母环上功能基团的有无对分子结构进行编码，进行回归分析，为每一个功能基团计算出回归系数，从而获得定量构效关系模型。[编辑]数学模型二维定量构效关系中最常见的数学模型是线性回归分析，Hansch方程和Free-Wilson方法均采用回归分析。经典的Hansch方程形式为：lg left(frac{1}{C} ight)=api+bsigma+cE_s+k 其中π为分子的疏水参数，其与分子脂水分配系数PX的关系为：pi=lgleft(frac{P_x}{P_H} ight)，σ为哈密顿电性参数，Es为塔夫托立体参数，其中a，b，c，k均为回归系数。日本学者藤田稔夫对经典的Hansch方程作出一定改进，用抛物线模型描述疏水性与活性的关系：lg left(frac{1}{C} ight)=api+b{pi}^2+csigma+dE_s+k这一模型拟合效果更好。Hansch方程进一步，以双直线模型描述疏水性与活性的关系：lg left(frac{1}{C} ight)=algP-blg(eta P+1)+D其中的P为分子的脂水分配系数，a,b,β为回归系数，D代表方程的其他部分。双直线模型的预测能力比抛物线模型进一步加强。Free-Wilson方法的方程形式为：lg left(frac{1}{C} ight)=sum_isum_jG_{ij}X_{ij}+mu其中Xij为结构参数，若结构母环中第i个位置有第j类取代基则结构参数取值为1否则为0，μ为参照分子的活性参数，Gij为回归系数。除了回归分析，遗传算法、人工神经网络、偏最小二乘分析、模式识别、单纯形方法等统计分析方法也会应用于二维定量构效关系数学模型的建立[编辑]发展目前，二维定量构效关系的研究集中在俩个方向：结构数据的改良和统计方法的优化。传统的二维定量构效关系使用的结构数据常仅能反应分子整体的性质，通过改良结构参数，使得二维结构参数能够在一定程度上反应分子在三维空间内的伸展状况，成为二维定量构效关系的一个发展方向。引入新的统计方法，如遗传算法、人工神经网络、偏最小二乘回归等，扩展二维定量构效关系能够能够模拟的数据结构的范围，提高QSAR模型的预测能力是2D-QSAR的另一个主要发展方向。[编辑]三维定量构效关系三维定量构效关系是引入了药物分子三维结构信息进行定量构效关系研究的方法，这种方法间接地反映了药物分子与大分子相互作用过程中两者之间的非键相互作用特征，相对于二维定量构效关系有更加明确的物理意义和更丰富的信息量，因而1980年代以来，三维定量构效关系逐渐取代了二维定量构效关系的地位，成为基于机理的合理药物设计的主要方法之一。目前应用最广泛的三维定量构效关系方法是CoMFA 和CoMSIA即比较分子场方法和比较分子相似性方法，除了上述两种方法，3D-QSAR还有DG 3D-QSAR、MSA、GERM等众多方法。[编辑]CoMFA&CoMSIACoMFA和CoMISA是应用最广泛的合理药物设计方法之一，这种方法认为，药物分子与受体间的相互作用取决于化合物周围分子场的差别，以定量化的分子场参数作为变量，对药物活性进行回归分析便可以反应药物与生物大分子之间的相互作用模式进而有选择地设计新药。分子定位在一个方格中，作为探针的粒子在盒子中游走比较分子场方法将具有相同结构母环的分子在空间中叠合，使其空间取向尽量一致，然后用一个探针粒子在分子周围的空间中游走，计算探针粒子与分子之间的相互作用，并记录下空间不同坐标中相互作用的能量值，从而获得分子场数据。不同的探针粒子可以探测分子周围不同性质的分子场，甲烷分子作为探针可以探测立体场，水分子作为探针可以探测疏水场，氢离子作为探针可以探测静电场等等，一些成熟的比较分子场程序可以提供数十种探针粒子供用户选择。探针粒子探测得到的大量分子场信息作为自变量参与对分子生理活性数据的回归分析，由于分子场信息数据量很大，属于高维化学数据，因而在回归分析过程中必须采取数据降维措施，最常用的方式是偏最小二乘回归，此外主成分分析也用于数据的分析。CoMFA结果输出统计分析的结果可以图形化地输出在分子表面，用以提示研究者如何有选择地对先导化合物进行结构改造。右图为一CoMFIA计算的结果输出，图中蓝色区域若以负电性基团取代则会提高药物的活性，红色区域则提示正电性基团更有利于活性。除了直观的图形化结果，CoMFA还能获得回归方程，以定量描述分子场与活性的关系。CoMSIA是对CoMFA方法的改进，他改变了探针粒子与药物分子相互作用能量的计算公式，从而获得更好的分子场参数。[编辑]其他三维定量构效关系方法除了比较分子场方法，三维定量构效关系还有距离几何学三位定量构效关系(DG 3D-QSAR)、分子形状分析(MSA)、虚拟受体等方法(FR)等距离几何学三维定量构效关系严格来讲是一种介于二维和三维之间的QSAR方法。这种方法将药物分子划分为若干功能区块定义药物分子活性位点，计算低能构象时各个活性位点之间的距离，形成距离矩阵；同时定义受体分子的结合位点，获得结合位点的距离矩阵，通过活性位点和结合位点的匹配为每个分子生成结构参数，对生理活性数据进行统计分析。分子形状分析认为药物分子的药效构象是决定药物活性的关键，比较作用机理相同的药物分子的形状，以各分子间重叠体积等数据作为结构参数进行统计分析获得构效关系模型。虚拟受体方法是DG 3D-QSAR和CoMFA方法的延伸与发展，其基本思路是采用多种探针粒子在药物分子周围建立一个虚拟的受体环境，以此研究不同药物分子之间活性与结构的相关性。其原理较之CoMFA方法更加合理，是目前定量构效关系研究的热点之一。[编辑]方法评价定量构效关系研究是人类最早的合理药物设计方法之一，具有计算量小，预测能力好等优点。在受体结构未知的情况下，定量构效关系方法是最准确和有效地进行药物设计的方法，根据QSAR计算结果的指导药物化学家可以更有目的性地对生理活性物质进行结构改造。在1980年代计算机技术爆炸式发展之前，QSAR是应用最广泛也几乎是唯一的合理药物设计手段。但是QSAR方法不能明确给出回归方程的物理意义以及药物-受体间的作用模式，物理意义模糊是对QSAR方法最主要的置疑之一。另外在定量构效关系研究中大量使用了实验数据和统计分析方法，因而QSAR方法的预测能力很大程度上受到试验数据精度的限制，同时时常要面对“统计方法欺诈”的置疑。[编辑]参见构效关系 分子对接 药物设计[编辑]外部链接* History of QSAR* QSAR与药物设计* 第十一届定量构效关系国际研讨会* QSAR[编辑]参考书目* 李仁利 1998年 药物的构效关系 北京大学药学院讲义* 陈凯先等 2000年 计算机辅助药物设计——原理、方法及应用 上海科学技术出版社 ISBN 7-5323-5551-9* 徐筱杰等 2004年 计算机辅助药物分子设计 化学工业出版社 ISBN7-5025-5520-X取自"http://wikipedia.cnblog.org/wiki/%E5%AE%9A%E9%87%8F%E6%9E%84%E6%95%88%E5%85%B3%E7%B3%BB"Category: 药物化学

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我们实验室就是用磁控溅射做的，致密性的话SEM应该可以看吧

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南昌大学分析测试中心仪器种类： 中心目前装备的测试仪器有： X- 射线衍射仪、气相色谱 - 质谱联用仪、液相色谱 - 质谱联用仪、傅立叶变换红外光谱仪、离子色谱仪、气相色谱仪、液相色谱仪、等离子体原子发射光谱仪、原子吸收光度计、原子荧光光度计、荧光光谱仪、差示扫描量热仪、同步热分析仪、热机械分析仪、紫外可见分光光度计、粒度分析仪、薄膜分析系统等。 中心还将购入 600 兆核磁共振波谱仪、扫描电镜 /X- 射线能谱联用仪、等离子体发射光谱 - 质谱联用仪、透射电镜、元素分析仪、氨基酸分析仪、台阶仪、高效液相色谱仪、气相色谱仪等。中心人员所学专业分布较广，包括分析化学、无机化学、有机化学、材料化学、食品化学等，能够满足多学科分析测试需要，同时也适合交叉学科科研项目研究的需求。

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是准备刮下来称重计算磨损率吗？通常不这么做的，用台阶仪或显微镜量出PTFE表面的磨痕深度和宽度，来计算磨损体积。要看转移膜状况，直接将钢球粘在样品台上看即可

　　1.玻璃屏检测　　玻璃屏常见于日常所用的智能产品中，例如智能手机、智能手表，还有平板电脑等，为了获得更好的触屏体验，需要对玻璃屏的表面粗糙度和微观轮廓进行检测。以手机玻璃屏为例说明光学三维表面检测仪在其中的应用，选取测量区域发现了肉眼无法观测到的划痕，玻璃屏表面的粗糙度在1nm附近。　　2.玻璃表面台阶检测　　在透明玻璃表面所镀的一层金属膜，需要测膜层的厚度，由于其非透明的特性，薄膜测厚仪无法进行测量，而由于其膜层厚度精度在纳米级别，接触式的台阶仪和其它的非接触式光学仪器也存在测量误差较大的风险，而以光学干涉原理为基础研制成的中图仪器光学三维表面检测仪，以其亚纳米级别的测量精度，则可对该膜层厚度进行准确测量。　　利用软件的自动面台阶高检测功能对重建的三维图像两台阶高进行检测，从数值可知两台阶面高度差。

台阶仪测量薄膜厚度的优点有1. 能够迅速测定薄膜的厚度及分布; 2. 可靠直观; 3. 具有相当的精度。 台阶仪测量薄膜厚度的缺点有 1. 有时候不能记录表面上比探针直径小的窄裂缝、凹陷; 2. 由于触针的尖端直径很小, 易将薄膜划伤、损坏。 使用范围 应用于较高硬度的薄膜。 面对柔软薄膜则必须采用较 轻质量、较大直径的触针,才能不使薄膜划伤和避免 因膜材粘附在触针尖上而形成误差。

台阶仪是用来测量薄膜厚度的吧.高度重复性就是说其他条件相同时两次不同的测量下的结果差的很小. 重复性可以达到5埃就是说结果相差小于5埃.

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厚度很薄的，一般在数十埃至几微米范围内的。为适应各种成分和结构的薄层的测厚要求，已研制成各种测量设备。比如真尚有的传感器zlds100。例如，采用比色法、干涉条纹法以及椭偏术等测量各种透明薄膜；采用磨角染色法、层错法、红外光反射法以及背散射技术等检验外延层厚度、扩散层和离子注入层的深度；采用间接干涉法和台阶仪等测量金属膜和多晶硅的厚度等。

　　普通光学显微镜不能测厚度,原子力显微镜和扫描隧道显微镜可以测纳米级别的表面形貌.不过我觉得这应该不是你想问的问题.如果测10纳米到几百纳米尺寸,可以用椭偏仪.如果是微米级别的形貌可以用台阶仪啊,不过台阶仪器是一维的,不知道是不是你想要的.

1.铝的介电常数是固定的.可以通过测试得到电阻率,然后李工公式直接计算处理.2.铝层的厚度如果在nm级别.可以用光学方法如椭偏仪,反射计等方法测试得到厚度.3.再就是台阶仪了.但要自己刻一个台阶出来,否则不能测.

回答问题可能不是特别对口，部分题目不是特别详细，也没办法详细。如果有疑问再追问或者联系我。1.膜层厚度测量问题：如果是纯净的氧化锌，或者说是透明的，就可以用光学方法测量膜层厚度，如果是非透明的，就用台阶仪，这量类的测量厚度的光学仪器不少，我不再细说。需要注意的是选择适当的测量范围的仪器。2.一般磁控溅射可以分为直流（二级）溅射、中频、射频。直流溅射电源便宜，沉积膜层致密度较差，一般国内光热、薄膜电池选择使用的方法，能量较低，溅射靶材为金属靶材。射频能量较高，一般溅射陶瓷靶材。中频两者之间，溅射靶材也为金属靶材。3.金属靶材溅射过程中，具有溅射速率和沉积速率。溅射速率是靶材原子被溅射逸出的情况，而沉积在基体上的情况为沉积速率，两者在溅射气压等外界环境不同的情况下，并不成正比。但是需要固定工艺下的长时间计算可以确定镀膜时间的。（但是这个时间一般按照溅射完成后膜层的厚度测量来的更加准确）4.在金属靶材溅射过程中，如果想达到氧化亚锌的理想值，比较难，需要精确控制溅射产额和氧气流量。一般溅射物质为氩气（价格便宜，溅射产额较高）。主要为控制过程，国内的质量流量计一般都比较粗，建议用压电陶瓷阀，德国的sus04。另一个方案是射频溅射氧化亚锌陶瓷靶材，这个容易控制溅射后沉积膜层的两元素的比值。但是需要靶材符合两元素的比之条件，另外，在射频溅射过程中，需要严格控制靶材，陶瓷靶溅射过程中，容易断裂。还有就是射频的危害性较大。以上为泛泛而谈。如果不通，精确讨论是免不了的。

按传感器的十大分类来说：激光位移传感器属于光学类传感器。从计量学上分：激光位移传感器属于力学的范围。从用途上分：激光位移传感器属于工艺控制类检测设备。

多数半导体器件和集成电路的主体结构，由各种形状和尺寸的薄层构成。这些薄层主要有二氧化硅、氮化硅、外延层、掺杂扩散层、离子注入层、金属膜和多晶硅膜等。为适应各种成分和结构的薄层的测厚要求，已研制成各种测量设备。例如，采用比色法、干涉条纹法以及椭偏术等测量各种透明薄膜，采用磨角染色法、层错法、红外光反射法以及背散射技术等检验外延层厚度、扩散层和离子注入层的深度采用间接干涉法和台阶仪等测量金属膜和多晶硅的厚度等。

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40尺的高柜集装箱尺寸长为12.05m，宽为2.34m，高为2.68m。20尺柜内尺寸及40尺柜内尺寸介绍第一个版本：20GP， 5.902.342.38米。这是柜子的内部尺寸。如果箱子是新的，误差为1CM以内。40尺的平柜，长度：11.952.342.38米。这是柜子的内部尺寸。如果箱子是新的，误差为1CM以内。40尺的高柜，长度：11.952.342.68米。这是柜子的内部尺寸。如果箱子是新的，误差为1CM以内。第二个版本：20尺柜：内容积为5.69x2.13x2.18米,配货毛重一般为17.5吨,体积为24-26立方米.40尺柜:内容积为11.8x2.13x2.18米,配货毛重一般为22吨,体积为54立方米.40尺高柜:内容积为11.8x2.13x2.72米.配货毛重一般为22吨,体积为68立方米.第三个版本：20GP， 5.822.302.3340GP， 12.02m (L) x 2.34m (W) x 2.39m (H)40HQ， 12.032 2.352 2.698

千人斩是来自日本武士的一种称号，意思就是这个武士很厉害，杀死了上千个人。武士们都为这个称号而努力。而能被冠上这个称号的绝不仅仅只消灭了上千个人这么简单的。

40hq高柜内尺寸是68CBM。40尺柜：内容积为11.8米X2.13米X2.18米，配货毛重一般为22吨，体积为54立方米。集装箱内尺寸是集装箱内部的最大长、宽、高尺寸。高度为箱底板面至箱顶板最下面的距离，宽度为两内侧衬板之间的距离，长度为箱门内侧板量至端壁内衬板之间的距离。决定集装箱内容积和箱内货物的最大尺寸。一般有20GP、40GP、40HC/HQ(高柜)、45HC/HQ(高柜)、20 OT(开顶柜)等。规格：国际标准集装箱共有三个系列，十三种规格。在国际海上集装箱运输中采用最多的是IAA型（即40英尺）和IC型（即20英尺）两种。IAA型集装箱即40英尺干货集装箱，箱内容量可达67.96m3 ，一般自重为3800kg，载重吨为26．68吨，总载重量30．48吨。IC型即20英尺集装箱内容量33．2m3 ，自重一般为2317kg，载重吨为亚17.9吨，总载重量20.32吨。

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无法安装的。因为没有预留孔。我是他们家以前的技师。相当我

目前没有具体的自行车折旧率。具体要看实际产品的，有的配置买了回来就折旧很多。固定资产折旧率是指一定时期内固定资产折旧额对固定资产原价的比率，有个别折旧率、分类折旧率和综合折旧率之分。

真没有.我们开发的是首尔大学韩国语和庆熙大学新标准韩国语教材配套的视频教程.由专业韩国语讲师录制讲解的.

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将前齿轮调整到1，也就是最大的齿轮，后齿轮可调整到1-3，调整到1时后齿轮最大。左手是变前面牙盘的，右手是变后面飞轮的。如果是拨的，手捏在车把上，按拇指下的那个是往大的齿盘上调，按食指下的那个是往小齿盘上调。如果是拧的，就是往前和往后拧。至于是调大还是调小，上面应该有数字。左手变牙盘从1到3是从小齿盘变到大齿盘。右手变飞轮的从1到9是从大飞轮变到小飞轮。要在骑的时候才能调，停止的时候不能调。

40尺（40GP）柜（集装箱）：内部常见的规格尺寸是：12.032（长）×2.352（宽）×2.385米（高）国际规格的内部尺寸为：12024（长）×2352（宽）×2390mm（高）集装箱内尺寸是指集装箱内部的最大长、宽、高尺寸。高度为箱底板面至箱顶板最下面的距离，宽度为两内侧衬板之间的距离，长度为箱门内侧板量至端壁内衬板之间的距离。它决定集装箱内容积和箱内货物的最大尺寸。一般有20GP、40GP、40HC/HQ(高柜)、45HC/HQ(高柜)、20 OT(开顶柜)等。扩展资料：集装箱内尺寸的国际分类：按照国际贸易货物的分类，一般分为散杂货和适箱货物。目前国际航运主干线上的适箱货物贸易基本上都已经采用集装箱运输，但贸易总量却在随着世界经济增长和制造基地的转移而持续增长，以中国为主的亚太地区经济不仅本身内贸运输集装箱化率加大了对集装箱的需求，同时也使得世界经济景气周期得以延长，特别是2003年下半年起美国经济的复苏和今年以来日本经济的复苏，将对世界贸易起到拉动作用。参考资料：百度百科-集装箱内尺寸