北境漫步 -
设备名称： 傅立叶变换红外
光谱仪 设备编号： HIK-SCT-1 （1）系统简介
Ø 全新摆式干涉仪，易于实现快速扫描。干涉仪稳定性高、体积小，结构紧凑、便于维护。
Ø 干涉仪采用密封防潮防尘型结构，有效降低了对使用环境的要求。
Ø 高强度红外光源采用球形反射装置，可获得均匀、稳定的红外辐射。
Ø 程控增益放大电路、高精度A/D转换电路的设计及嵌入式微机的应用，提高了仪器的精度及可靠性。
Ø 光谱仪与计算机之间通过USB方式进行控制和数据通讯，完全实现即插即用。
Ø 通用微机系统，全中文应用软件，内容丰富。具备完整的谱图采集、光谱转换、光谱处理、光谱分析及谱图输出功能，使操作更简单、方便、灵活。
（2）技术参数
Ø 波数范围: 4400cm-1～600cm-1
Ø 分辨率: 2cm-1，4cm-1可选
Ø 波数准确度：优于所设分辨率的1/2
Ø 透过率重复性:：0.5%T
Ø 100%T线信噪比:2100 cm-1附近，S/N优于10000:1(RMS值)
Ø 分束器：ZnSe
Ø 探测器: DTGS，MCT可选
Ø 光源：高性能的空冷高效球反射红外光源 设备名称： 四探针测试仪 设备编号： HIK-SCT-3 （1）系统简介
四探针测试仪是运用四探针测量原理的多用途综合测量设备。该仪器按照单晶硅物理测试方法国家标准并参考美国 A.S.T.M 标准而设计的，专用于测试半导体材料电阻率及方块电阻(薄层电阻)的专用仪器。
仪器由主机、测试台、四探针探头、计算机等部分组成，测量数据既可由主机直接显示，亦可由计算机控制测试采集测试数据到计算机中加以分析，然后以表格，图形方式统计分析显示测试结果。
仪器采用了最新电子技术进行设计、装配。具有功能选择直观、测量取数快、精度高、测量范围宽、稳定性好、结构紧凑、易操作等特点。
（2）应用范围
本仪器适用于半导体材料厂、半导体器件厂、科研单位、高等院校对半导体材料的电阻性能测试。105
（3）技术参数 测量范围 电阻率：10-4～105Ω.cm； 方块电阻：10-3～106Ω/□（可扩展）； 电导率：10-5～104s/cm； 电阻：10-4～105Ω； 可测晶片直径 140mmX150mm（配 S-2A型测试台）； 200mmX200mm（配 S-2B型测试台）； 400mmX500mm（配 S-2C型测试台）； 恒流源 电流量程分为 1uA、10uA、100uA、1mA、10mA、100mA六档，各档电流连续可调 数字电压表 量程及表示形式 000.00～199.99 mV； 分辨力：10uV； 输入阻抗>1000MΩ； 精度：±0.1% ； 显示：四位半红色发光管数字显示；极性、超量程自动显示； 四探针探头基本指标 间距：1±0.01mm； 针间绝缘电阻：≥1000MΩ； 机械游移率：≤0.3%； 探针：碳化钨或高速钢 Ф0.5mm； 探针压力：5～16 牛顿（总力）； 模拟电阻测量相对误差 0.01Ω、0.1Ω、1Ω、10Ω、100Ω、1000Ω、10000Ω≤0.3%±1字 整机测量最大相对误差 （用硅标样片：0.01-180Ω.cm 测试） ≤±5% 整机测量标准不确定度 ≤5% 计算机通讯接口 并口 标准使用环境 温度：23±2℃； 相对湿度：≤65%； 无高频干扰； 无强光直射； 设备名称： 少子寿命测试仪 设备编号： HIK-SCT-5 （1）系统简介
少子测试量程从1μs到6000μs，硅料电阻率下限达0.1Ω.cm(可扩展至0.01Ω.cm)。测试过程全程动态曲线监控，少子寿命测量可灵敏地反映单晶体重金属污染及陷阱效应表面复合效应等缺陷情况，是原生多晶硅料及半导体及太阳能拉晶企业不可多得少子寿命测量仪器。
（2）应用范围
少子寿命测试仪，是一款功能强大的少子寿命测试仪，不仅适用于硅片少子寿命的测量，更适用于硅棒、硅芯、检磷棒、检硼棒、籽晶等多种不规则形状硅少子寿命的测量。
（3）产品特点
Ø 测试范围广：包括硅块、硅棒、硅芯、检磷棒、检硼棒、籽晶、硅片等的少子寿命及锗单晶的少子寿命测量。
Ø 主要应用于硅棒、硅芯、检磷棒、检硼棒、籽晶、硅块、硅片的进厂、出厂检查，生产工艺过程中重金属沾污和缺陷的监控等。
Ø 适用于低阻硅料少子寿命的测量，电阻率测量范围可达ρ>0.1Ω?cm（可扩展至0.01Ω?cm），完全解决了微波光电导无法检测低阻单晶硅的问题。
Ø 全程监控动态测试过程，避免了微波光电导（u-PCD）无法观测晶体硅陷阱效应，表面复合效应缺陷的问题。
Ø 贯穿深度大，达500微米，相比微波光电导的30微米的贯穿深度，真正体现了少子的体寿命的测量，避免了表面复合效应的干扰。
Ø 专业定制样品架最大程度地满足了原生多晶硅料生产企业测试多种形状的硅材料少子寿命的要求，包括硅芯、检磷棒、检硼棒等。
Ø 性价比高，价格远低于国外国外少子寿命测试仪产品，极大程度地降低了企业的测试成本。
（4）技术参数
Ø 测试材料：硅半导体材料 - 硅棒、硅芯、检磷棒、检硼棒、籽晶、硅块、硅片等，锗半导体材料。
Ø 少子寿命测试范围 :1μs-6000μs
Ø 可测低阻硅料下限： 0.1Ω.cm, 可扩展到 0.01Ω.cm
Ø 激光波长： 1.07μm
Ø 激光在单晶硅中的贯穿深度： 500μm
Ø 工作频率： 30MHz
Ø 低输出阻抗，输出功率> 1W
Ø 电源：～220V 50Hz 功耗<50W 设备名称： 探针轮廓仪 设备编号： HIK-SCT-6
（1）系统简介
Dektak 150集四十余年的技术积累和创新于一身，为满足用户不同应用方向的需要提供了多种可选配置。坚固的铝质材料铸成的机身框架以及支撑部件显著提高了仪器的重复精度，并降低了地板噪音对测量的干扰。基于Windows XP的Dektak随机配备软件系统界面友好，为用户提供了完善的分析功能。“一键式”操作方式使得测量工作简单易行。通过选配三维成像附件套装还可以极大地扩充仪器的功能。
（2）应用范围
探针式表面轮廓仪(台阶仪)，主要应用于薄膜厚度测量、样品表面形貌测量、薄膜应力测量、样品表面粗糙度/波纹度测量、以及样品表面三维形貌测量等众多领域。
（3）主要特点
Ø 台阶高度测量的高重复性
Ø 基于精密加工光学参考平面的样品台，确保在长距离扫描中基线的稳定性
Ø 出色的易用性、易维护性
Ø 最好的样品适用性
Ø 高分辨率的粗糙度测量
Ø 功能强大的软件分析系统
Ø 三维表面形貌测量的功能可升级性
Ø 广泛的应用领域
（4）技术参数
Ø 测量重复性 6
Ø 扫描长度 50μm-55mm
Ø 单次扫描最大数据点 60,000个
Ø 允许样品最大高度 100mm (根据配置不同会有所变化)
Ø 垂直范围量程 524μm (1mm选配)
Ø 最高垂直分辨率 1 ? (6.55μm量程范围下)
Ø 样品台 150mm，X-Y-θ手动调节
Ø 探针压力范围 1-15mg (0.03mg选配)
Ø 摄像头显微镜视野范围2.6mm (0.67-4.29mm选配) 设备名称： 原生多晶电阻率测试仪 设备编号： HIK-SCT-10 （1）系统简介
原生多晶电阻率测试仪，是一款高端电阻率测试仪器，具有电阻率大量程及超大量程测量的特点，实现了电阻率从0.0001欧姆.厘米到几万欧姆.厘米（可扩展）的测试范围，具有测量精度高、稳定性好、测量范围广、结构紧凑、使用方便等特点。是西门子法、硅烷法等工艺生产原生多晶硅料的企业、物理提纯生产多晶硅料生产企业、半导体材料厂、器件厂、科研部门、高等院校以及需要超大量程测试电阻率测试的企业的最佳帮手。
（2）产品特点
Ø 适用于西门子法、硅烷法等工艺生产原生多晶硅料的企业
Ø 适用于物理提纯生产多晶硅料生产企业
Ø 适用于光伏拉晶铸锭及 IC 半导体器件企业
Ø 适用于科研部门、高等院校及需要超大量程测量电阻率的企业
Ø 测量精度高，除了具有厚度修正功能外、还有温度修正、圆片直径修正等功能
Ø 独特的设计能有效消除测量引线和接触电阻产生的误差，实现了测量的高精度和极宽的量程范围
Ø 双数字表结构使测量更精确，操作更简便
Ø 具有强大的测试数据查询及打印功能
Ø 测量系统可实现自动换向测量、求平均值、最大值、最小值、平均百分变化率等
Ø 四探针头采用进口红宝石轴套导向结构，使探针的游移率减小，测量重复性大大提高
Ø 采用进口元器件，留有更大的安全系数，大大提高了测试仪的可靠性和使用寿命
Ø 测量电流采用高度稳定的特制恒流源（万分之五精度），不受气候条件的影响
Ø 具有正测反测的功能，保证测试结果的准确性
Ø 具有抗强磁场和抗高频设备的性能
（3）技术参数
Ø 可测电阻率范围： 10-5 — 1.9 × 1 05 Ω· cm （可扩展）
Ø 测量精度<3%
Ø AC 220V ± 10% 50/60 Hz 功率： 12W 设备名称： 无接触电阻率型号测试仪 设备编号： HIK-SCT-15 （1）系统简介
无接触式电阻率型号测试仪是基于涡流（Eddy Current）测试技术，能够对硅料、硅棒、硅锭及硅片进行无接触、无损伤的体电阻率测试。
（2）产品特点
Ø 测试范围广Ø 产品体积小，便于移动和携带
Ø 采用涡流法测试硅锭、棒、回炉料体电阻率
Ø 无接触、无损伤快速测试
Ø 测试前无需表面处理
Ø 特别对于多晶，能够有效避免晶界对测试的影响
Ø 可选加无接触PN型号测试功能
Ø 可进行温度和厚度的修正
（3）技术参数
Ø 最小测试厚度：200μm
Ø 测量时间：2秒/次
Ø 最小测试面积：30x30 mm2
Ø 推荐使用温度：20℃
Ø 湿度：≤80%
Ø 气压：86-106kPa
Ø 使用电压：230±10V
Ø 频率，50±3Hz
Ø 功率消耗：≤5W
Ø 尺寸（LxWxH）：280x200x60mm 设备名称： 硅片缺陷测试仪 设备编号： HIK-SCT-18 （1）系统简介
硅片缺陷观测仪，于对硅片的缺陷进行观察，效果非常明显，包括肉眼无法观测的位错、层错、划痕、崩边等。实时对图像进行分析、测量和统计，提高传统光学仪器的使用内涵。配合投影仪和计算机等显示、存储设备，能更好的观测和保存研究结果。
（2）产品特点
Ø 适用于对硅片的缺陷观察效果，非常明显，包括肉眼无法观测的位错、层错、划痕、崩边等；
Ø 使硅片缺陷观察工作简单化，准确化，同时极大程度降低此项工作强度；
Ø 实时对图像进行分析、测量和统计，提高传统光学仪器的使用内涵。配合投影仪和计算机等显示、存储设备，能更好的观测和保存研究结果；
Ø 使用 1/2CMOS 感光芯片，具有体积小，技术先进，像素较高， 成像清晰 、线条细腻、色彩丰富；
Ø 传输接口为 USB2.0 高速接口， 软件模块化设计 ；
Ø 有效分辨率为 200 万像素；
Ø 所配软件能兼容 windows 2000 和 windows XP 操作系统。 设备名称： 多晶硅红外探伤测试仪 设备编号： HIK-SCT-19 （1）系统简介
红外探伤测试仪-是专门用于多晶硅片生产中的硅块硅棒硅片的裂缝、杂质、黑点、阴影、微晶等缺陷探伤的仪器。
（3）产品特点
Ø 为太阳能多晶硅片过程中的质量控制提供了强大的监测工具
Ø 检测速度快，平均每个硅块检测时间为不超过1分钟
Ø NIRVision软件能够分析4面探伤结果，并且直接将结果转换成三维模型图像
Ø 成像过程将自动标出夹杂的位置所在
Ø 独特的加强型内插法为高分辨率的杂质探伤功能提供了强大的技术保障
Ø 采用欧洲数控工程铝合金材料
Ø 表面都采用了高强度漆面和电氧化工艺保护
Ø 系统外框采用高质量工业设计
Ø 所有的部件的设计都达到了长期高强度使用及最小维护量的要求
Ø 能够通过自动或手动旋转对硅块的前后左右四面和上下两面进行全面探伤。
Ø 红外光源通过交直流光源进行控制，光强可以通过软件直接控制，同时它具有过热保护功能
Ø 同时软件包含了杂质图像的管理分析功能
Ø 稳定性和耐用性俱佳。
Ø 探伤测试面最好进行抛光处理，因此我们推荐在线切割之前进行红外探伤
Ø 红外成像光源受电阻率影响，硅块电阻率越低，则对红外光的吸收越多
Ø 一般电阻率不能低于0.5Ohm*Cm,我们推荐的电阻率在0.8Ohm*Cm以上
（4）技术参数
■ 主要探测指标：夹杂（通常为SiC），隐裂，微粒等
■ 硅块电阻率：≥0.8Ohm*Cm（推荐）
■ 检测时间：平均每个硅块1分钟
■ 最大探测深度：200mm
■ 外框和箱体
> 尺寸：143x53x55
> 外框采用数控工程铝合金
> 外框是覆盖静电强力漆铝面板
> 主机重量：98 kg
> 附件重量：25 kg
■ 旋转台
> 采用单轴伺服电机
> 最大承载量:40kg
> 具有过流保护以防止损伤和电机烧毁
> 无步进损失，高分辨率解码机器
■ 红外光源
> 高强度NIR卤灯，273mm加热波长
> 功率：230V, 1000W
> 温度：25-60摄氏度
> 光强可通过软件控制
> 软件具有过热保护
■ 观测仪
> 采用红外CCD控温
> 12位ADC
> 频率：60Hz和100Hz两个选择
> 像素间距: 30μm
> 分辨率：: 320x256 像素
> 可手动调节红外镜头