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【抽象代数】因子分解与域的扩展

2023-07-08 18:43:10
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kikcik

我们知道,整数环中的每一个合数都可以唯一地分解成素数的乘积; 域 F 上每个次数大于零的可约多项式,都可以唯一地分解成不可约多项式的乘积。这是整数环和多项式环中元素的最基本最重要的性质之一。下面我们将把整数环和多项式环的一些性质推广到更一般通用的环上去。

环的直和分解将大环分解为小环,使得结构更加简单。从整数的算术基本定理得到启发,我们还可以从乘法分解的角度来研究环。要使这个定向研究得到有用的结论,还需对环作一些限制。既然我们关注是因子,乘法顺序就显得多余且碍事,所以要求环是可交换的。另外零因子的讨论也是没有意义的,故规定所有非零元素都是正则元。故我们只需讨论整环中元素的乘法分解,为简化描述,以下将忽略对零元素的讨论。

和初等数论中一样,若 ,称 b 整除 a,或 b 是 a 的 因子 ,记作 ,否则记作 。关于整除的常规讨论都比较简单,这里不再赘述。我们把注意力放在分解的多种可能性上,最后试图得到类似算术基本定理的结论。在分解的过程中,可逆元总是可以随处出现或消除,它就像整数环中的±1,并不影响分解的本质。这就是为什么可逆元 也叫 单位 ,如果 ,我们 a, b 称是 相伴 的,相伴元在分解中可以可作是等价的,相伴还有一种等价定义:如果 ,同时 ,则称 a, b 是 相伴 的。既然要考虑可逆元,就必须要求乘法存在单位元,故以下讨论仅针对有单位元的整环。

对任意元素 ,它的所有相伴元和单位都是 a 的 平凡因子 ,其它的则是 真因子 。有真因子的元素叫 可约元 ,否则叫不可约元,显然整数环的不可约元就是素数。有了因子和不可约元的定义,我们就可以尝试模仿算术基本定理了。通过这里的讨论,你会明白算术基本定理的确不是显而易见的,它是需要一定条件的。首先每个元素都要有有限分解,其次分解在相伴元的意义下要是唯一的,满足这两个条件的元素称为可 唯一分解 的,所有元素满足条件的环就叫 唯一分解环 。由于环的元素没有大小的概念,无限分解是可能的,而且容易举出有多种分解的例子。

u2022 讨论 的单位及 9 在其中的分解。

现在我们的问题自然是,什么样的环才是唯一分解环?先来看看唯一分解环的性质,对不可约元p如果有 ,则由唯一分解性容易证明, 和 至少有一个成立。现在把这个概念抽取出来,满足以上条件的元素称为环的 素元 ,素元肯定是不可约元,唯一分解环中的不可约元都是素元。对于一般的环,当素元和不可约元重合时,可以由反证法得知,只能有限分解的元素是唯一分解的。从而一个环唯一分解的充要条件就是,环的元素有限分解且素元和不可约元等价。

得到唯一分解环后,可以同初等数论中一样定义公约数。若 c 是 共同的因子,则称c为它们的公因子。环的元素没有大小的概念,所以不好直接定义最大公因子,回顾最大公约数的多个等价定义,找一个仅使用了整除的定义即可。如果 d 是 的公因子,且任何公因子都是 d 的因子,称 d 为 最大公因子 ,最大公因子为单位的元素称为 互素 的。最大公因子不一定存在,但对于唯一分解环,容易得到最大公因子的存在性。

素元的定义一定程度上就是唯一分解本身,这个判断条件并不能带给我们更多有用的信息,判断和构造唯一分解环仍然不是一件容易的事情。整数环中引入带余除法后,可以得到最大公约数的更多性质,这些性质也能得到算术基本定理。但由于一般环中没有大小的概念,这些性质不一定成立,但却启发了我们如何构造更一般的唯一分解环。这里介绍两个重要的唯一分解环,它们的定义中都有着整数环最大公约数的影子。

整数环的任何理想都有一个最小数,这个数是理想的最大公约数,且它的所有倍数都在理想中,即该理想是其最大公约数生成的主理想。任何理想都是主理想的环被称为 主理想环 。主理想环首先保证了分解的有限性,因为无限分解列的生成理想也是主理想,该主理想的生成元既是分解列的结尾。另外,设主理想环R中的不可约元 ,考察 ,容易证明它必是极大理想。从而商环 为域,而 ,故必有 或 ,即 或 。这样就证明了,主理想环是唯一分解环。

u2022 求证高斯整数环是主理想环。(提示:考察绝对值最小的元素)

研究唯一分解环更直接的方法当然是在环R中定义带余除法,为此定义一个从非零元素到正整数的映射φ,对环中的任何元素 存在 ,其中 或 。如果这样映射存在,R 被称为欧式环。若 且 在 N 中值最小,由定义容易证明N中的任何元素都以 a 为因子,从而 N 为主理想,进而 R 是唯一分解环。

  

  u2022 求证高斯整数环是欧式环;(提示:在 中逼近)

  u2022 求证域上的多项式环 是欧式环。(提示:考虑阶)

高斯整数环 是对整数环的扩充,它的元素是所有 形式的复数。 称为 z 的 范数 ,容易证明范数有以下性质。上面的习题已经证明了高斯整数环是唯一分解环,以此为例子,我们来简单分析一下这个环的分解情况。首先比较容易得到,G 的单位集合为 。接下来就是研究 的素元,为了区别起见,这里先把整数环的素数叫做有理素数。

高斯整数环是整数环的子环,故每个高斯整数首先可以按照算术基本定理分解为有理素数之积。再由分解的唯一性,素元必定是某个有理素数的因子,所以我们只需研究有理素数 p 的分解。p 的范数为 ,故它的因子不可能超过两个,这就说明了 p 要么自身为素元,要么有两个共轭素元 ,且 。进一步地,其实就是研究不定方程 是否有解。

首先对唯一的偶素数有 ,所以 2 不是素元,它有素因子 。对 p 为奇数的场景,可以得到 ,由初等数论的知识可知,等式成立的必要条件是 ,即 。所以当 时,p 本身就是素元。而当 时, 有解,从而 ,但是 ,所以 p 不是素元(注意 不一定是素元)。

在结束环的讨论之前,我们以多项式环为例来看看环理论的应用。高等代数中讨论的是域上的多项式,这里我们先从一般的环开始,然后再在特殊的环中进行研究,你会得到更高的视角看待多项式。之前我们已经给出过多项式环的定义,这里进一步研究多项式的根和因式分解。

对多项式 ,考虑将 带入其表达式,得到的结果 叫 在 处的值,满足 的 称为多项式的 零点 。这里要注意带入的多项式必须是完全展开的,对非交换环 R,若 ,显然不一定有 ,当然这个等式对交换环是一定成立的。为方便讨论,把 的次数记作 ,显然有以下关系式。当首相系数不是零因子时,还有 。

  

  有了这些基本概念,我们接着讨论根与多项式分解的关系。对域上的多项式 ,高等代数中使用除法,可以得到以下公式(3),且 唯一。回顾计算过程,其实对含幺环上的多项式,只需要求 的首项系数是单位即可。所以这个结论对一般含幺环也可以成立,只需选择合适的 。特别地,对任意 ,如果取 ,则有 。将右边展开并将 代入两边,整理后( 与 可交换)得到 ,这就是 余数定理 (公式(4))。要注意这个证明中并不能直接将a代入,因为R不一定是交换环。

接着上面的讨论,当 a 是 的根时,可以得到 。反之如果 ,则有 ,在交换环中该式为 0(非交换环中不一定成立)。这样我们就有结论:交换含幺环中,有公式(5)的等价关系。再假设含幺环的多项式 的不同零点为 ,则首先有 。若为交换环,则有 ,若还为无零因子环,则 ,故 。以此类推,容易知道根的个数不大于多项式的次数 n,在 个不同的点值相同的多项式是唯一的。总结就是:含幺整环上的多项式 最多有 个根。这个结论看似显然,但每个条件都是不可或缺的,比如在四元数除环 H 中, 的根显然不止一个。

  u2022 求证:在整数环上, 不可约。(提示:反证)

以上定理给出了含幺整环上的多项式的因式分解方法,但还有两个问题需要解决。一个就是如何找到根,目前还没有一般性的方法,这里只介绍一种求商域根的方法。设 为整环 的商域,考察 在 中的解 ,带入方程并展开。如果假设 (这就要求整环是唯一分解环),则有 且 。它可以作为方程解的筛选方法,比如求解整系数方程的有理解。

u2022 求多项式 的有理根。

另一个问题就是如果有 ,该如何判定定 甚至确定 n 的值?当 时,n 称为根 a 的 重数 ,特别地 时,a 称为 重根 ,否则称为 单根 。微积分中使用多项式的导数判断重根,这个方法在环中还是可以成立的。我们把 称为 的 形式微商 ,容易验证在含幺整环中微商的一般性质仍然成立。和微积分中一样,a为重根的充要条件是 ,一直使用这个结论就还可以得到重数。另外由于域上的多项式环唯一分解,若 ,则 没有共同根,故 没有重根。

多项式的因式分解一般并不容易,但在常见数域中已经有一些比较有用的结论。比如由代数基本定理(复变函数中介绍)可知,复数域上的多项式都可以分解为若干个一次因式。进而容易证明,实系数多项式根的共轭也是根(共轭运算的性质),所以实数域的多项式都可以分解为若干个一次和二次因式。而对有理数域上的多项式,都可以转化成对整数环多项式的讨论。下一节中将给出求解有理根的方法,和判定多项式不可约的一个充分条件,一定程度可以帮助有理数域多项式的分解。

现在继续讨论多项式的因式分解,如果要考察其唯一分解性,首先当然要求系数环R是唯一分解环。分解中系数的公因子总可以先提取出来,系数公因子只有单位的多项式被称为本原多项式,这个概念可以简化讨论。我们自然有个小问题,本原多项式的因式当然一定是本源多项式,那么反过来呢?本原多项式的积还是本原的吗?结论是肯定的,观察多项式乘积每一项的组成形式(参考下图),若 p 是乘积展开式的公因子,如图考察 次项有 ,矛盾。这就证明了本原多项式的乘积也是本原多项式,该结论也叫高斯引理。

多项式 可以分解为 ,其中 为本原多项式。要证 的唯一分解性,只需证 的唯一分解性。由于 的阶数有限,且其因式也是本原的,所以 上的分解首先一定是有限的。现在只需讨论唯一性,前面的习题中已经得到,域上的多项式环是唯一分解环,而每个整环都有其商域。为了考察唯一分解环 R 上多项式环 ,可以借助 的商域的多项式环 的唯一分解性。

对 中的不可约的本源多项式 ,在 中讨论其分解性,当然我们只关注阶数大于 的因式。如果在 中有 ,总可以添加一些系数 ,使得等式(6)成立,其中 为 中的本原多项式。根据高斯引理, 也是本原多项式,容易证明 相伴,消去 即得 与 也相伴。这和 不可约矛盾,故 在 也是不可约的。从而如果本原多项式 有不同的分解方法,它们在 中也是不同的分解,这与 的唯一分解性矛盾,我们得到的结论就叫 高斯定理

具体分解本原多项式 并没有一般方法,即使判断本原多项式是否可约都是困难的,这里只介绍一个不可约的充分条件: 爱森斯坦判别法 (Eisenstein)。若存在素元 p 使得 但 ,参考高斯定理的证明方法,可判定本原多项式不可约。首先可以假定 ,由于 ,总可以找到 而 。考察 容易证 ,与条件矛盾,故 f(x) 不可约。

爱森斯坦判别法虽然不是不可约多项式的必要条件,但它对不可约本原多项式的判定非常有用,比如可以肯定任意次本原多项式都有不可约多项式 。值得一提的是,容易验证 与 的可约性是一样的,灵活使用这个变形有时可以构造出判别法的结构。

  u2022 求证: 在唯一分解环中不可约;

  u2022 求证: 在有理数域中不可约;

  u2022 求证: 在有理数域中不可约。

多元多项式环 有一个特殊的子环 Σ,其中的每个元素都非常“对称”。准确来讲就是, 对 的任意置换都保持不变,这样的多项式就叫做 对称多项式 。在这些多项式中,有几个是最基础的(公式(7)),它们被称为 基本对称多项式 。这些式子也许你并不陌生,这正是闭域上 n 次多项式方程的 韦达定理 ,它给出了方程根与系数的关系(公式(8))。

在中学你多少都接触过对称多项式,我们这里介绍它们的一个漂亮结论。你可以想象,将这 n 个元素带入任何一个 n 元多项式,得到的仍然是对称多项式。我们的结论正是它的反命题:任何多项式 都可以用这 n 个元素的多项式表示,即公式(9)成立,以下证明过程其实也是生成多项式的构造过程。首先一个对称多项式可以按照项的次数分成几个多项式之和 ,其中 中的每一项的次数都是 k。容易证明 也是对称多项式,一般称之为 齐次对称多项式 ,基本多项式就是典型例子。如果我们能证明结论在齐次多项式中成立,则在一般多项式中也成立。

为了便于讨论,我们将 m 次齐次多项式 的项 以 进行字典排序。考虑到的 展开后的最大项为式子(10),可以反向构造 N使得其最大项与 的最大项 M 相等,两式相减后的最大项一定小于之前的最大项。这个过程可以在有限步后结束,构造出的所有 N 便是生成多项式的项, 对称多项式基本定理 得证。这个结论对任意环 R 都是成立的,由证明过程还可以知道,当 R 为整环时生成多项式是唯一的。

再回顾构造过程,每次选取的 的最大项的次数都是 m,故满足条件(11)。根据这个结论,我们可以使用待定系数法更快地得到某个具体的生成多项式。比如 ,设 ,取 的不同值带入,解方程组便得到生成多项式。

最后来讨论一下一类常用的对称多项式,它们是元素的 等幂和 ,我们需要知道它们和基本对称多项式的关系。为了得到结论,以下设 ,充分利用韦达定理和 的形式特点,构造次数小于 n 的多项式 ,可以得到式(12)。比较等式两边的 n 次项,就得到著名的牛顿公式(公式(13)(14)),这个公式可以在 和 之间进行转换。

域是一种比较“完整”的结构,它的限制条件比较多,结构自然也就不是很多样。现在我们来初步研究一下域的结构,研究的方法当然是从小域向大域扩展,若 F 是 E 的子域,E 也叫 F 的 扩域 扩张 。扩张当然要从最简单的域开始,我们比较熟悉的简单域有哪些?最简单的无穷域是有理数域,它是最小的数域,任何数域都包含有理数域;最简单的有限域是整数在素数 p 下的剩余类域 。这两种域都不再有真子域,我们把没有真子域的域称为 素域 ,一般记作 。

那么除了这两种熟知的素域外,还有别的素域吗?每个域都含有单位元 ,由 生成的域就是所有的素域,而它又是某个生成环的商域,故我们可以从 的生成环 讨论起。当 时, 与整数环 Z 同构,从而它们的商域同构,即 。当 时,前面已经讨论过,这样的环 都同构于同余环 ,进而有 。这样看来,同构意义的下的素域只有 Q 和 ,而且任何域都包含且仅包含一个素域。

有了最简单的域,接下来就开始对域进行扩张,并需要研究新添加元素的性质,以及扩域的结构特点。在F的扩域E中取子集S,F中添加S后生成的扩域记作 ,要注意这个定义总是以扩域E的存在为前提的。我们来讨论这种扩域累加起来有什么性质,考察 ,由定义知它是包含 的域,而 是包含 的最小域,故有 。同样也可以推到 ,这样就得到了公式(1)。

以上结论说明扩域 等价于有限步的局部扩张,而且扩张的顺序不影响结果。对局部扩张的研究会有助于整个扩域,特别地我们可以先专注于 的扩域 ,它们被称为 单扩域 。由域的定义及分式的特点,容易知道 中的元素都有格式 ,其中 为 F中的多项式。所有分式构成了单扩域,但不同分式是有可能指向相同元素的,下面我们就从这里出发,研究单扩域的结构。

多项式是扩域中的基础结构,对它的讨论可以帮助我们分析域的结构。将 代入 F 中的所有多项式 ,得到的值可能两两不同,也可能出现重复。当出现重复时,将多项式相减就会得到 ,存在这样多项式的 α 称为 F 的 代数元 ,否则称为 超越元 。代数元和超越元存在着本质的差异,需要从这个角度讨论单扩域的结构。对于有理数域在实数域内的扩张,代数数就是代数元,超越数就是超越元,这里实际上是对它们的扩展讨论。

对于诸多满足 的多项式,总可以找到次数最低的一个首 1 多项式。容易证明对代数元 α,这个多项式存在且唯一,它被称为α在F上的最小多项式 。最小多项式的次数也被称为代数元的次数,显然F中元素的次数都为1。最小多项式有些简单的性质,首先它在F上是不可约的,否则它必有一个因子满足 ,与最小多项式的定义矛盾。其次,对任何满足 的多项式,必有 ,否则使用带余除法可构造出次数更小的多项式满足 。

围绕着元素类型或最小多项式,单扩域的结构就比较明显了。虽然直觉已经告诉了你最终答案,但还是要用严格的推理来验证猜想。推理方法当然是从定义合适的同态映射开始,先验证生成环的同构,再推演到商域的同构,请自行验证。当 α 为超越元时,生成环显然和 同构,从而 同构于其商环 。当α为代数元时,可以证明生成环 同构于 ,由于 不可约,该表达式就是一个域,故有 。从而代数元的单扩域就是以 为模的多项式环(公式(2)),这个结论展示了单代数扩域的简洁结构,也说明了研究代数扩域的重要性。

以上的结果还表明,若 α 的次数为 n,则 的任何元素都是某个次数次数小于 n 的多项式的值 ,换句话说每个元素都是 在 F 上的线性组合,且容易证明表示法唯一。用线性代数的语言就是,单代数扩域 是F上的一个n维空间,空间的基为 。从这个角度分析单代数扩域也是很有用的。

在弄清楚单代数扩域的结构后,我们希望进一步研究由更多代数元生成的扩域,或所有元素都是代数元的扩域。首先一个自然的问题是,这两种扩域一样吗?为讨论方便,我们定义后者为 代数扩域 ,含有超越元的扩域则叫 超越扩域 。由于代数扩域总是由代数元生成的,刚才的问题自然变成:由代数元集合 S 生成的扩域 是否一定是代数扩域?直觉告诉我们这个结论是成立的,但仔细琢磨却又不那么明显。现在我们分两步来证明这个猜测,先考虑S为有限集的场景,然后再推广到无穷集。

单代数扩域的线性空间结构提示我们研究更一般扩域的维数,如果扩域 是 F 上的线性空间,这个空间的维数被称为 E 在 F 上的 次数 ,记作 。 有限时,E 称为 F 的 有限次扩域 ,否则叫 无限次扩域 。通过线性代数的简单推演,我们可以得到次数的累加性(公式(3))。以有限次扩域为例,设E 在 K 上的基为 ,K 在 F 上的基为 ,容易证明 就是 E 在 F 上的基(用线性表示并证明无关性)。

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2023-07-08 15:47:592

高斯定理怎么用?

高斯定理是静电学中的一个重要定理,应用高斯定理时,常把电荷或电场的对称性作为应用高斯定理求电场强度的条件,但实际并非如此,以高斯定理的数学表达式为基础可以阐明:对称性不是应用高斯定理求场强的条件.根据数学中的高斯公式给出了静电场、涡旋电场和静磁场高斯定理的严格证明,得到了力线数密度与电场强度大小以及磁感应强度大小的定量关系,指出用力线法证明高斯定理的方法是不合理的.(1)直接利用高斯定理求场强 高斯定理是描述静电场性质的基本定理之一,在静电场中是普遍成立的。但是,由于它对静电场的描述是不完备的,因此利用它求场强 是有条件的,它要求带电系统及其电场分布一定具有某种空间对称性。实际上,只有当场强分布具有球对称性(如均匀带电球面、球壳和球体等)、轴对称性(如无限长均匀带电直线、圆柱面、圆柱筒和圆柱体等)或者平面对称性(如无限大均匀带电平面或平板等)时,才能直接利用高斯定理求场强分布。在求场强时,首要任务是根据场分布的对称性,选取合适的高斯面。x0dx0a(2)利用高斯定理求角某些规则形状曲面的电场强度通量时,可首先构造一高斯面,要求其中部分曲面为待求曲面,其余部分曲面的电通量是已知的或易于求得的,再经过简单的数学运算便可求解。从高斯定理看电力线的性质:高斯定理说明正电荷是发出E通量的源,负电荷是吸收E通量的源。x0dx0ax0dx0a(1)若闭合面内存在正(负)电荷,则通过闭合面的E通量为正(负),表明有电力线从面内(面外)穿出(穿入),即正(负)源电荷发射(吸收)电场线。x0dx0ax0dx0a(2)若闭合面内没有电荷,则通过闭合面的E通量为零,意味着有多少电场线穿入就有多少电场线穿出,说明在没有电荷的区域内电场线不会中断,又若闭合面内静电荷为零,则有多少电场线进入面内终止于负电荷,就会有相同数目的电场线从面内正电荷出发到外面。x0dx0ax0dx0a(3)在闭合面内,电荷空间分布的变化将改变闭合面上各点场强的大小和方向,但只要电量相同,就不会改变通过整个闭合面的E通量。x0dx0ax0dx0a(4)在闭合面外,有无电荷及其如何分布,将会影响闭合面上各处场强的大小和方向,但对通过整个闭合面的E通量没有贡献,即面外电荷会影响通过闭合面的电场线的形状和分布,却不会改变通过闭合面的电场线的数目x0dx0ax0dx0a高斯定理的应用: x0dx0a高斯定理是一条反映静电场规律的普遍定理,在进一步研究电学时,这条定理很重要。在这里,我们只应用它来计算某些对称带电体所激发的电场中的场强,在这些情况中,它比应用电场强度叠加原理来计算场强要方便得多。下面举例说明高斯定理的这种应用。 x0dx0a(1)在电场强度已知时,求出任意区域内的电荷 x0dx0a(2)当电荷分布具有某种特殊对称性时,用高斯定理求出该种电荷系统的电场分布  例1:求均匀带正电球体内外的电场分布,设球体带电量为q,半径为R。应用电通量的定义和高斯定理联立求解。(解略) 讨论:在球面外(r>R),点P的场强为:  x0dx0a方向沿半径指向球外(如q<0,则沿半径指向球内)。x0dx0a   在球面内(r
2023-07-08 15:48:471

对于运动点电荷如何证明高斯定理?

提供一个思路: 运动点电荷可以看作电流。 首先,电流的定义是单位时间内通过单位面积的电荷量Q,已知运动电荷的速度和电荷量,可以得到电流大小I=Q*v,然后通过电流的高斯定理推导即可
2023-07-08 15:48:531

高斯定理的证明

不知道你问的是微积分还是物理。高斯定理是高斯推导出来的形式比较简单的数学公式,微积分里直接给的是公式,证明过程涉及三重积分,比较复杂,建议不要在这上过度追求。物理上静电场高斯定理以库伦定律叠加来证明,但在某些时候库伦定律不能成立时,高斯定理依旧成立。非要想弄懂高斯定理,最好去看看大学的书,推导过程网上三言两语难说明白
2023-07-08 15:49:021

求高斯定理的证明以及散度两种表示的关系

散度你可以理解为空间中每个点都在漏水,当然漏水的方向,速度,都是你关心的。那么怎么测量一个漏水点的渗漏情况?第一个式子是用个很小的体,把这个漏水点装起来,不装其他的漏水点,然后把这个体的单位时间的表面上的漏水情况加起来,得到的就是单位时间这个出水点出水多少。这个就是高斯定理的证明。第2个式子是把出水速度按照3个方向,x,y,z分别统计,然后加起来,得到的是这个点的出水速度。所以和第一个式子是一样的。高斯定理说,如果有一个3D区域在漏水,那么你用个大气球把区域装上,然后扎几个眼。如果气球不再变大了,那么你统计一下气球上的洞的漏水的速度,就是球内部漏水点的漏水的总速度。
2023-07-08 15:49:231

高斯定理怎么证明

设空间区域V 由分片光滑的双侧封闭曲面S 所围成,若函数P,Q,R在V上连续,且有一阶连续函数偏导数。。。。
2023-07-08 15:49:301

高斯定理的证明

不知道你问的是微积分还是物理。高斯定理是高斯推导出来的形式比较简单的数学公式,微积分里直接给的是公式,证明过程涉及三重积分,比较复杂,建议不要在这上过度追求。物理上静电场高斯定理以库伦定律叠加来证明,但在某些时候库伦定律不能成立时,高斯定理依旧成立。 非要想弄懂高斯定理,最好去看看大学的书,推导过程网上三言两语难说明白
2023-07-08 15:49:391

高斯定理怎么用,举个例题最好

高斯定理是静电学中的一个重要定理,应用高斯定理时,常把电荷或电场的对称性作为应用高斯定理求电场强度的条件,但实际并非如此,以高斯定理的数学表达式为基础可以阐明:对称性不是应用高斯定理求场强的条件.根据数学中的高斯公式给出了静电场、涡旋电场和静磁场高斯定理的严格证明,得到了力线数密度与电场强度大小以及磁感应强度大小的定量关系,指出用力线法证明高斯定理的方法是不合理的.(1)直接利用高斯定理求场强 高斯定理是描述静电场性质的基本定理之一,在静电场中是普遍成立的。但是,由于它对静电场的描述是不完备的,因此利用它求场强 是有条件的,它要求带电系统及其电场分布一定具有某种空间对称性。实际上,只有当场强分布具有球对称性(如均匀带电球面、球壳和球体等)、轴对称性(如无限长均匀带电直线、圆柱面、圆柱筒和圆柱体等)或者平面对称性(如无限大均匀带电平面或平板等)时,才能直接利用高斯定理求场强分布。在求场强时,首要任务是根据场分布的对称性,选取合适的高斯面。(2)利用高斯定理求角某些规则形状曲面的电场强度通量时,可首先构造一高斯面,要求其中部分曲面为待求曲面,其余部分曲面的电通量是已知的或易于求得的,再经过简单的数学运算便可求解。从高斯定理看电力线的性质:高斯定理说明正电荷是发出E通量的源,负电荷是吸收E通量的源。(1)若闭合面内存在正(负)电荷,则通过闭合面的E通量为正(负),表明有电力线从面内(面外)穿出(穿入),即正(负)源电荷发射(吸收)电场线。(2)若闭合面内没有电荷,则通过闭合面的E通量为零,意味着有多少电场线穿入就有多少电场线穿出,说明在没有电荷的区域内电场线不会中断,又若闭合面内静电荷为零,则有多少电场线进入面内终止于负电荷,就会有相同数目的电场线从面内正电荷出发到外面。(3)在闭合面内,电荷空间分布的变化将改变闭合面上各点场强的大小和方向,但只要电量相同,就不会改变通过整个闭合面的E通量。(4)在闭合面外,有无电荷及其如何分布,将会影响闭合面上各处场强的大小和方向,但对通过整个闭合面的E通量没有贡献,即面外电荷会影响通过闭合面的电场线的形状和分布,却不会改变通过闭合面的电场线的数目高斯定理的应用: 高斯定理是一条反映静电场规律的普遍定理,在进一步研究电学时,这条定理很重要。在这里,我们只应用它来计算某些对称带电体所激发的电场中的场强,在这些情况中,它比应用电场强度叠加原理来计算场强要方便得多。下面举例说明高斯定理的这种应用。 (1)在电场强度已知时,求出任意区域内的电荷 (2)当电荷分布具有某种特殊对称性时,用高斯定理求出该种电荷系统的电场分布  例1:求均匀带正电球体内外的电场分布,设球体带电量为q,半径为R。应用电通量的定义和高斯定理联立求解。(解略) 讨论:在球面外(r>R),点P的场强为:  方向沿半径指向球外(如q<0,则沿半径指向球内)。   在球面内(r<R),点P的场强为:综上所述,可得如下结论:均匀带电球面外的场强,与将球面上电荷全部集中于中心的点电荷所激发的场强一样;球面内任一点的场强则为零。均匀带电球面的场强分布,可用其大小E与距离r的关系曲线来表示。这条曲线E-r 在r=R 处是间断的,即场强大小E的分布在该处是不连续的。例2:均匀带正电无限长细棒的场强.其线电荷密度为.场强的大小为:例3:均匀带正电的无限大平面薄板的场强。(略)
2023-07-08 15:49:481

什么是电场中的高斯定理?

高斯定理1  矢量分析的重要定理之一。   穿过一封闭曲面的电通量与封闭曲面所包围的电荷量成正比。   换一种说法:电场强度在一封闭曲面上的面积分与封闭曲面所包围的电荷量成正比   由于磁力线总是闭合曲线,因此任何一条进入一个闭合曲面的磁力线必定会从曲面内部出来,否则这条磁力线就不会闭合起来了。如果对于一个闭合曲面,定义向外为正法线的指向,则进入曲面的磁通量为负,出来的磁通量为正,那么就可以得到通过一个闭合曲面的总磁通量为0。这个规律类似于电场中的高斯定理,因此也称为高斯定理[1]。   与静电场中的高斯定理相比较,两者有着本质上的区别。在静电场中,由于自然界中存在着独立的电荷,所以电场线有起点和终点,只要闭合面内有净余的正(或负)电荷,穿过闭合面的电通量就不等于零,即静电场是有源场;而在磁场中,由于自然界中没有单独的磁极存在,N极和S极是不能分离的,磁感线都是无头无尾的闭合线,所以通过任何闭合面的磁通量必等于零。   电场 E (矢量)通过任一闭曲面的通量,即对该曲面的积分等于4π乘以该曲面所包围的总电荷量。公式表达:   ∫(E·da) = 4π*S(ρdv)   适用条件:任何电场   静电场(见电场)的基本方程之一,它给出了电场强度在任意封闭曲面上的面积分和包围在封闭曲面内的总电量之间的关系。   根据库仑定律可以证明电场强度对任意封闭曲面的通量正比于该封闭曲面内电荷的代数和,即    公式  这就是高斯定理。它表示,电场强度对任意封闭曲面的通量只取决于该封闭曲面内电荷的代数和,与曲面内电荷的分布情况无关,与封闭曲面外的电荷亦无关。在真空的情况下,Σq是包围在封闭曲面内的自由电荷的代数和。当存在介质时,Σq应理解为包围在封闭曲面内的自由电荷和极化电荷的总和。   高斯定理反映了静电场是有源场这一特性。凡是有正电荷的地方,必有电力线发出;凡是有负电荷的地方,必有电力线会聚。正电荷是电力线的源头,负电荷是电力线的尾闾。   高斯定理是从库仑定律直接导出的,它完全依赖于电荷间作用力的二次方反比律。把高斯定理应用于处在静电平衡条件下的金属导体,就得到导体内部无净电荷的结论,因而测定导体内部是否有净电荷是检验库仑定律的重要方法。   对于某些对称分布的电场,如均匀带电球的电场,无限大均匀带电面的电场以及无限长均匀带电圆柱的电场,可直接用高斯定理计算它们的电场强度。   当存在电介质并用电位移D描写电场时,高斯定理可表示成    公式它说明电位移对任意封闭曲面的通量只取决于曲面内自由电荷的代数和Σqo,与自由电荷的分布情况无关,与极化电荷亦无关。电位移对任一面积的能量为电通量,因而电位移亦称电通密度。对于各向同性的线性的电介质,电位移与电场强度成正比,D=εrεoE,εr称为介质的相对介电常数,这是一个无量纲的量。如果整个封闭曲面S在一均匀的相对介电常数为εr的线性介质中(其余空间区域可以充任何介质),高斯定理(2)又可写成 公式在研究电介质中的静电场时,这两种形式的高斯定理特别重要。   高斯定理的微分形式为
2023-07-08 15:50:101

怎么说明高斯定理证明电场是无源场

源即电荷 高斯定理证明变化的磁场可以产生电场 其实没说证明电场是无源场啊,只是证明可以是无源场而已
2023-07-08 15:51:051

电磁场的高斯定理

由于磁场线都是闭合曲线,因此,从一个闭合曲面 S 某处穿出的磁场线必定要从该闭合 曲面的另一处穿出。所以,通过磁场中任意闭合曲面 S 的净磁通量恒等于零,即 =0 为磁高斯定理,它是电磁场的一条基本规律。 比较静电场的高斯定理与磁高斯定理: 两者的原则差别在于电场线是由电荷发出的,总 是源始于正电荷,终至于负电荷,因此,静电场是有 源场;而磁场线都是环绕电流的、无头无尾的闭合曲 线,因此,磁场是无源场。磁场没有与正、负电荷相对应的、分立的正、负“磁荷”(磁单极 子)。 例 证明在在磁力线为平行直线的空间中,同一根磁力线 上各点的磁感应强度值相等。 证明:如右图所示,由磁高斯定理得 故,即证。 t
2023-07-08 15:51:153

运用高斯定理证明:空腔导体内表面的电荷量一定与空腔内电荷的电量等值异号

在空腔导体内表面与外表面之间作一个高斯面,这个面包这内表面。∮E·ds=(q+q‘)/εo,其中,q是内表面的电荷,q"是空腔内的电荷,因为,导体内部E=0,所以,(q+q‘)/εo=0,于是q=-q",电量等值异号
2023-07-08 15:51:241

平面高斯定理(如图),证明第二行是为什么?y的取值范围为什么是Φ1(x)及Φ2(x)

φ1φ2值域作y范围没毛病,然后先积y就是那个效果了
2023-07-08 15:51:311

高斯怎样发明高斯定理?

高斯7岁那年开始上学,老师布置了一道题,1+2+3······这样从1一直加到100等于多少。高斯很快就算出了答案,起初高斯的老师布特纳并不相信高斯算出了正确答案:"你一定是算错了,回去再算算。”高斯非常坚定,说出答案就是5050。高斯是这样算的:1+100=101,2+99=101······50+51=101。从1加到100有50组这样的数,所以50X101=5050。布特纳对他刮目相看。因为是他发明的这个定律,因此就叫“高斯定理”扩展资料:高斯定理(Gauss" law)也称为高斯通量理论(Gauss" flux theorem),或称作散度定理、高斯散度定理、高斯-奥斯特罗格拉德斯基公式、奥氏定理或高-奥公式(通常情况的高斯定理都是指该定理,也有其它同名定理)。在静电学中,表明在闭合曲面内的电荷之和与产生的电场在该闭合曲面上的电通量积分之间的关系。高斯定律(Gauss" law)表明在闭合曲面内的电荷分布与产生的电场之间的关系。高斯定律在静电场情况下类比于应用在磁场学的安培定律,而二者都被集中在麦克斯韦方程组中。因为数学上的相似性,高斯定律也可以应用于其它由平方反比律决定的物理量,例如引力或者辐照度。参考资料:百度百科-高斯
2023-07-08 15:51:4112

用高斯定理证明电场强度公式

2023-07-08 15:53:331

高斯定律可以用电场线的连续性证明?

高斯定律不可以用电场线的连续性证明。电场线的连续性是高斯定理的结果,不能把电场线的连续性当作条件来证明高斯定理。高斯定理也称为高斯通量理论,或称作散度定理、高斯散度定理、高斯-奥斯特罗格拉德斯基公式、奥氏定理或高-奥公式。
2023-07-08 15:53:461

电场高斯定理的证明:如图,划线打问号那句话如何理解?看不出是方向相反的

你可以假定一个电荷的电性,譬如假定q为正电荷,然后其电场方向就由dS1指向ds2所在位置,这样把ds1矢量和ds2矢量分别向电场方向投影,可以看出ds1分量从ds1指向q, ds2分量则从q指向ds1,两者方向相反
2023-07-08 15:53:532

高斯定理谁知道

倒三角是Nabla算符,求一个向量值函数的散度。rou的物理意义是电荷密度。高斯定理的意思是空间中一点的电场强度的散度与该点的电荷密度成正比。
2023-07-08 15:54:002

请帮我解释一下,高斯定理的这种情况

高斯定理是经过严格证明的定理,只要符合它的成立条件,它就是有效的,只是,如果要用它来求电场分布,就需要电场强度E可以从∮E·dS=Q/εo这个式子里头提取出来,变成E∮dS=Q/εo,例如,无限长、均匀带电柱的电场相对于轴线对称,方向垂直轴线,即只有半径方向的分量,只要是半径相同的点E就相同,可以取高斯面是同轴线的圆柱体面,在侧面的电场强度相同,而上下底面电场为0,于是可以做到E提取到积分号外面,如果带电体的电场强度不可以从积分号里提取出来,就求不出电场强度E了,例如不是无限长的直线,圆柱体等的电场就不可以。
2023-07-08 15:54:242

关于静电场的高斯定理

高斯定理1  矢量分析的重要定理之一。   穿过一封闭曲面的电通量与封闭曲面所包围的电荷量成正比。   换一种说法:电场强度在一封闭曲面上的面积分与封闭曲面所包围的电荷量成正比   由于磁力线总是闭合曲线,因此任何一条进入一个闭合曲面的磁力线必定会从曲面内部出来,否则这条磁力线就不会闭合起来了。如果对于一个闭合曲面,定义向外为正法线的指向,则进入曲面的磁通量为负,出来的磁通量为正,那么就可以得到通过一个闭合曲面的总磁通量为0。这个规律类似于电场中的高斯定理,因此也称为高斯定理[1]。   与静电场中的高斯定理相比较,两者有着本质上的区别。在静电场中,由于自然界中存在着独立的电荷,所以电场线有起点和终点,只要闭合面内有净余的正(或负)电荷,穿过闭合面的电通量就不等于零,即静电场是有源场;而在磁场中,由于自然界中没有单独的磁极存在,N极和S极是不能分离的,磁感线都是无头无尾的闭合线,所以通过任何闭合面的磁通量必等于零。   电场 E (矢量)通过任一闭曲面的通量,即对该曲面的积分等于4π乘以该曲面所包围的总电荷量。公式表达:   ∫(E·da) = 4π*S(ρdv)   适用条件:任何电场   静电场(见电场)的基本方程之一,它给出了电场强度在任意封闭曲面上的面积分和包围在封闭曲面内的总电量之间的关系。   根据库仑定律可以证明电场强度对任意封闭曲面的通量正比于该封闭曲面内电荷的代数和,即    公式  这就是高斯定理。它表示,电场强度对任意封闭曲面的通量只取决于该封闭曲面内电荷的代数和,与曲面内电荷的分布情况无关,与封闭曲面外的电荷亦无关。在真空的情况下,Σq是包围在封闭曲面内的自由电荷的代数和。当存在介质时,Σq应理解为包围在封闭曲面内的自由电荷和极化电荷的总和。   高斯定理反映了静电场是有源场这一特性。凡是有正电荷的地方,必有电力线发出;凡是有负电荷的地方,必有电力线会聚。正电荷是电力线的源头,负电荷是电力线的尾闾。   高斯定理是从库仑定律直接导出的,它完全依赖于电荷间作用力的二次方反比律。把高斯定理应用于处在静电平衡条件下的金属导体,就得到导体内部无净电荷的结论,因而测定导体内部是否有净电荷是检验库仑定律的重要方法。   对于某些对称分布的电场,如均匀带电球的电场,无限大均匀带电面的电场以及无限长均匀带电圆柱的电场,可直接用高斯定理计算它们的电场强度。   当存在电介质并用电位移D描写电场时,高斯定理可表示成    公式它说明电位移对任意封闭曲面的通量只取决于曲面内自由电荷的代数和Σqo,与自由电荷的分布情况无关,与极化电荷亦无关。电位移对任一面积的能量为电通量,因而电位移亦称电通密度。对于各向同性的线性的电介质,电位移与电场强度成正比,D=εrεoE,εr称为介质的相对介电常数,这是一个无量纲的量。如果整个封闭曲面S在一均匀的相对介电常数为εr的线性介质中(其余空间区域可以充任何介质),高斯定理(2)又可写成 公式在研究电介质中的静电场时,这两种形式的高斯定理特别重要。   高斯定理的微分形式为
2023-07-08 15:54:342

点电荷与实物的等效性!? 高斯定理好像可以证!? 怎么证明!?

你所说的实物是什么?是你说的均匀的带Q电荷球体吗?如果是的话,高斯定理是可以证明的:在球体外部做个以球心为圆心的一个高斯面,这个面上场强的大小相等。由高斯定理:E*4πR^2(R是高斯面的半径)=Q/ε(真空介电常数),则E=Q/4πR^2ε(k=1/4πε),即和Q电荷集中在球心的电场强度大小是一样的,那放入试探电荷的效果显然是一样的。不过如果把试探电荷放在了球体的内部,则和点电荷不一样了,用高斯定理同样可以算,这里就不算了,希望对你有帮助。
2023-07-08 15:54:472

高斯定理算积分 D是闭合曲线 r是位置向量 如何证明

用定义可以证明就是r×dp+dr×p(主要的原因是向量的差积运算有结合律)d(r×p)=(r+dr)×(p+dp)-r×p=r×dp+dr×p+dr×dp=r×dp+dr×p(微分保留只保留一阶小量)
2023-07-08 15:54:541

大学物理高斯定理的问题

因为静电平衡时,导体内部的场强为零,所以通过高斯面1的磁通量为0。静电平衡是指导体中的电荷处于稳定状态。均匀导体达到静电平衡的条件是导体内部的合场强处处为零。导体中(包括表面)没有电荷定向移动的状态叫做静电平衡状态。高斯定理(Gauss" law)也称为高斯通量理论(Gauss" flux theorem),或称作散度定理、高斯散度定理、高斯-奥斯特罗格拉德斯基公式、奥氏定理或高-奥公式(通常情况的高斯定理都是指该定理,也有其它同名定理)。在静电学中,表明在闭合曲面内的电荷之和与产生的电场在该闭合曲面上的电通量积分之间的关系。 高斯定律(Gauss" law)表明在闭合曲面内的电荷分布与产生的电场之间的关系。高斯定律在静电场情况下类比于应用在磁场学的安培定律,而二者都被集中在麦克斯韦方程组中。因为数学上的相似性,高斯定律也可以应用于其它由平方反比律决定的物理量,例如引力或者辐照度。
2023-07-08 15:55:0415

求高斯定理证明球面内部电场强度为零的详细证明过程…谢谢了………

自己去证明吧。你先证明一个球外表面各个点都带有等量的电荷,那么在这个球里的电荷受到的合力就为0(思路证明很简单,写出来就比较难,所以不写给你了),再根据E=F/q就可以了,F为0,自然E就为0.
2023-07-08 15:56:261

高斯定理是如何证明电场线是有源而磁场是无源的?

构造一个封闭的曲面积分
2023-07-08 15:56:341

高斯定理:上式中的E应是合场强,这句话不明白,怎么会是合场强?

物理学中有好多公式,特别是积分公式,并不能表示实际物理意义,或者说不能从公式表面上理解其物理意义。高斯公式中虽然只涉及高斯面内的自由电荷,但公式中的E是空间内所有电荷激发的合场强。这是高斯公式的实际意义。你只需记住这一点就行,高数如果学到了曲面积分的真正含义就自然理解了。这也注定了这一类积分公式(高斯公式、安培环路定理等等)在应用时有很明显的局限性:只能解决对称性很强的宏观问题,一旦问题稍微复杂些,比如物体不对称了,就不能用高斯公式解决了,需要注意的是:虽然高斯公式不能解,但它还是正确的,只不过解不出来而已。要解这种问题需要用到高斯公式的微分形式,也就是泊松方程,解空间内的泊松方程(或者是拉普拉斯方程)就能得到电势分布,再求负梯度就是电场了。一般情况下是级数解,还有积分形式的解等等的。
2023-07-08 15:56:421

高斯定理怎么用?

高斯定理是静电学中的一个重要定理,应用高斯定理时,常把电荷或电场的对称性作为应用高斯定理求电场强度的条件,但实际并非如此,以高斯定理的数学表达式为基础可以阐明:对称性不是应用高斯定理求场强的条件.根据数学中的高斯公式给出了静电场、涡旋电场和静磁场高斯定理的严格证明,得到了力线数密度与电场强度大小以及磁感应强度大小的定量关系,指出用力线法证明高斯定理的方法是不合理的.(1)直接利用高斯定理求场强 高斯定理是描述静电场性质的基本定理之一,在静电场中是普遍成立的。但是,由于它对静电场的描述是不完备的,因此利用它求场强 是有条件的,它要求带电系统及其电场分布一定具有某种空间对称性。实际上,只有当场强分布具有球对称性(如均匀带电球面、球壳和球体等)、轴对称性(如无限长均匀带电直线、圆柱面、圆柱筒和圆柱体等)或者平面对称性(如无限大均匀带电平面或平板等)时,才能直接利用高斯定理求场强分布。在求场强时,首要任务是根据场分布的对称性,选取合适的高斯面。(2)利用高斯定理求角某些规则形状曲面的电场强度通量时,可首先构造一高斯面,要求其中部分曲面为待求曲面,其余部分曲面的电通量是已知的或易于求得的,再经过简单的数学运算便可求解。从高斯定理看电力线的性质:高斯定理说明正电荷是发出E通量的源,负电荷是吸收E通量的源。(1)若闭合面内存在正(负)电荷,则通过闭合面的E通量为正(负),表明有电力线从面内(面外)穿出(穿入),即正(负)源电荷发射(吸收)电场线。(2)若闭合面内没有电荷,则通过闭合面的E通量为零,意味着有多少电场线穿入就有多少电场线穿出,说明在没有电荷的区域内电场线不会中断,又若闭合面内静电荷为零,则有多少电场线进入面内终止于负电荷,就会有相同数目的电场线从面内正电荷出发到外面。(3)在闭合面内,电荷空间分布的变化将改变闭合面上各点场强的大小和方向,但只要电量相同,就不会改变通过整个闭合面的E通量。(4)在闭合面外,有无电荷及其如何分布,将会影响闭合面上各处场强的大小和方向,但对通过整个闭合面的E通量没有贡献,即面外电荷会影响通过闭合面的电场线的形状和分布,却不会改变通过闭合面的电场线的数目高斯定理的应用: 高斯定理是一条反映静电场规律的普遍定理,在进一步研究电学时,这条定理很重要。在这里,我们只应用它来计算某些对称带电体所激发的电场中的场强,在这些情况中,它比应用电场强度叠加原理来计算场强要方便得多。下面举例说明高斯定理的这种应用。 (1)在电场强度已知时,求出任意区域内的电荷 (2)当电荷分布具有某种特殊对称性时,用高斯定理求出该种电荷系统的电场分布  例1:求均匀带正电球体内外的电场分布,设球体带电量为q,半径为R。应用电通量的定义和高斯定理联立求解。(解略) 讨论:在球面外(r>R),点P的场强为:  方向沿半径指向球外(如q<0,则沿半径指向球内)。   在球面内(r<R),点P的场强为:综上所述,可得如下结论:均匀带电球面外的场强,与将球面上电荷全部集中于中心的点电荷所激发的场强一样;球面内任一点的场强则为零。均匀带电球面的场强分布,可用其大小E与距离r的关系曲线来表示。这条曲线E-r 在r=R 处是间断的,即场强大小E的分布在该处是不连续的。例2:均匀带正电无限长细棒的场强.其线电荷密度为.场强的大小为:例3:均匀带正电的无限大平面薄板的场强。(略)
2023-07-08 15:57:211

高斯定理具体是什么

高斯定理是一个数学定理的一个方面,这个数学定理就叫做高斯定理,这个数学积分方程应用不同的场合就叫做XX高斯定理
2023-07-08 15:57:311

静电场的高斯定理和环路定理说明静电场是个什么场

静电场的高斯定理和环路定理说明静电场是个有源场。高斯定理,在真空中,通过任一闭合曲面的电场强度通量,等于该曲面所包围的所有电荷的代数和除以真空电容率.环路定理,电场强度对闭合回路的积分等于零。这些都说明了静电场是有独立电荷存在的,是一个有源场。扩展资料:静电感应一个带电的物体靠近另一个导体时,两个导体的电荷分布发生明显的变化,物理学中把这种现象叫做静电感应。如果电场中存在导体,在电场力的作用下出现静电感应现象,使原来中和的正、负电荷分离,出现在导体表面上。这些电荷称为感应电荷。总的电场是感应电荷与自由电荷共同作用结果。达到平衡时,导体内部的场强处处为零,导体是一个等势体,导体表面是等势面,感应电荷都分布在导体外表面,导体表面的电场方向处处与导体表面垂直。静电感应现象有一些应用,但也可能造成危害。场中介质电场中的绝缘介质又称为电介质。由于电场力的作用在原子尺度上出现了等效的束缚电荷。这种现象称为电介质的极化。对一种绝缘材料,当电场强度超过某一数值时,束缚电荷被迫流动造成介质击穿而失去其绝缘性能。因此静电场的大小对电工器件的设计及材料选择十分重要。  有介质时的静电场是由束缚电荷及自由电荷共同产生的,为了表示这二者共同作用下的电场,可以引入另一个场矢量电通量密度D(又称电位移)。它定义为式中P为电介质的极化强度,则可得高斯通量定理公式式中q仅为S面内所有自由电荷,而不包括电介质的束缚电荷。高斯通量定理的微分形式为电位移的散度等于该点自由电荷(体)密度ρ,电介质的极化强度P与电场强度E有关,而电通量密度又与P和E有关,故可得表示电介质的本构方程D=εE。参考资料:百度百科-静电场
2023-07-08 15:58:024

什么是电场中的高斯定理?

高斯定理1  矢量分析的重要定理之一。   穿过一封闭曲面的电通量与封闭曲面所包围的电荷量成正比。   换一种说法:电场强度在一封闭曲面上的面积分与封闭曲面所包围的电荷量成正比   由于磁力线总是闭合曲线,因此任何一条进入一个闭合曲面的磁力线必定会从曲面内部出来,否则这条磁力线就不会闭合起来了。如果对于一个闭合曲面,定义向外为正法线的指向,则进入曲面的磁通量为负,出来的磁通量为正,那么就可以得到通过一个闭合曲面的总磁通量为0。这个规律类似于电场中的高斯定理,因此也称为高斯定理[1]。   与静电场中的高斯定理相比较,两者有着本质上的区别。在静电场中,由于自然界中存在着独立的电荷,所以电场线有起点和终点,只要闭合面内有净余的正(或负)电荷,穿过闭合面的电通量就不等于零,即静电场是有源场;而在磁场中,由于自然界中没有单独的磁极存在,N极和S极是不能分离的,磁感线都是无头无尾的闭合线,所以通过任何闭合面的磁通量必等于零。   电场 E (矢量)通过任一闭曲面的通量,即对该曲面的积分等于4π乘以该曲面所包围的总电荷量。公式表达:   ∫(E·da) = 4π*S(ρdv)   适用条件:任何电场   静电场(见电场)的基本方程之一,它给出了电场强度在任意封闭曲面上的面积分和包围在封闭曲面内的总电量之间的关系。   根据库仑定律可以证明电场强度对任意封闭曲面的通量正比于该封闭曲面内电荷的代数和,即    公式  这就是高斯定理。它表示,电场强度对任意封闭曲面的通量只取决于该封闭曲面内电荷的代数和,与曲面内电荷的分布情况无关,与封闭曲面外的电荷亦无关。在真空的情况下,Σq是包围在封闭曲面内的自由电荷的代数和。当存在介质时,Σq应理解为包围在封闭曲面内的自由电荷和极化电荷的总和。   高斯定理反映了静电场是有源场这一特性。凡是有正电荷的地方,必有电力线发出;凡是有负电荷的地方,必有电力线会聚。正电荷是电力线的源头,负电荷是电力线的尾闾。   高斯定理是从库仑定律直接导出的,它完全依赖于电荷间作用力的二次方反比律。把高斯定理应用于处在静电平衡条件下的金属导体,就得到导体内部无净电荷的结论,因而测定导体内部是否有净电荷是检验库仑定律的重要方法。   对于某些对称分布的电场,如均匀带电球的电场,无限大均匀带电面的电场以及无限长均匀带电圆柱的电场,可直接用高斯定理计算它们的电场强度。   当存在电介质并用电位移D描写电场时,高斯定理可表示成    公式它说明电位移对任意封闭曲面的通量只取决于曲面内自由电荷的代数和Σqo,与自由电荷的分布情况无关,与极化电荷亦无关。电位移对任一面积的能量为电通量,因而电位移亦称电通密度。对于各向同性的线性的电介质,电位移与电场强度成正比,D=εrεoE,εr称为介质的相对介电常数,这是一个无量纲的量。如果整个封闭曲面S在一均匀的相对介电常数为εr的线性介质中(其余空间区域可以充任何介质),高斯定理(2)又可写成 公式在研究电介质中的静电场时,这两种形式的高斯定理特别重要。   高斯定理的微分形式为
2023-07-08 15:58:301

非静电电力的闭合积分等于零吗

静电场的高斯定理和环路定理说明静电场是个有源保守场。以下是分别根据高斯定理和环路定理证明静电场: 高斯定理证明:在静电场中,由于自然界中存在着独立的电荷,所以电场线有起点和终点,只要闭合面内有净余的正(或负)电荷,穿过闭合面的电通量就不等于零,即静电场是有源场。 环路定理证明:在静电场中,场强沿任意闭合路径的线积分等于0。与静电场力作功和路径无关是一致的,这种力场也叫保守力场或势场。 在磁感应强度B沿任何闭合路径的线积分,等于这闭合路径所包围的各个电流的代数和乘以磁导率。
2023-07-08 15:59:231

怎么说明高斯定理证明电场是无源场

源即电荷高斯定理证明变化的磁场可以产生电场其实没说证明电场是无源场啊,只是证明可以是无源场而已
2023-07-08 15:59:332

静电场的高斯定理和环路定理说明静电场是个什么场?

静电场的高斯定理和环路定理说明静电场是个有源保守场。以下是分别根据高斯定理和环路定理证明静电场:高斯定理证明:在静电场中,由于自然界中存在着独立的电荷,所以电场线有起点和终点,只要闭合面内有净余的正(或负)电荷,穿过闭合面的电通量就不等于零,即静电场是有源场。环路定理证明:在静电场中,场强沿任意闭合路径的线积分等于0。与静电场力作功和路径无关是一致的,这种力场也叫保守力场或势场。在磁感应强度B沿任何闭合路径的线积分,等于这闭合路径所包围的各个电流的代数和乘以磁导率。扩展资料高斯定理在电场强度求解中的应用:求解电场强度E可用高斯定理。利用库仑定律连同场强叠加原理对点电荷、点电荷系的场强一般都可求解;对连续分布带电体系的场强原则上也可求解,但对具体问题必须知道电荷的连续分布函数才能求解。利用高斯定理求解场强有一定局限性,一般只能对具有某种对称性分布的场强可求解。利用高斯定理求解场强必须遵从两个步骤:其一,必须对所涉及的带电体系产生的场强进行定性分析,明确场强方向和大小的分布规律;其二,依据场强分布规律,判断能否用高斯定理求解,能则构建适当的高斯面进行求解。参考资料:百度百科—高斯定理百度百科—环路定理
2023-07-08 15:59:424

证明高斯面电势平均值等于球心电势

给一个证明,会涉及到积分和求导符号,不知道能看懂不。设有一个球面,设其半径为R, 球心为坐标原点。下面会把电势随空间的分布用球坐标表示:V(r,theta,phi).球心的电势即V(r=0),球面上的电势为V(r=R,theta,phi)。因为这个球面中不包含电荷,所以穿过这个球面的电通量为零(高斯定理),并根据电场是电势的导数,而电场在球面法向上的分量是电势V对r的偏导(p V)/(p r)【这里的p代表偏导符号】。于是得到积分:int (p V)/(p r) dA=0.【这个式子里的int代表对球面积分,dA是球面的面积微元,即dA=R^2 sin(theta) d_theta d_phi】。继续将方程两面除以R^2,得到int (p V)/(p r) d_Omega=0.这里d_Omega是立体角微元d_Omega=sin(theta) d_theta d_phi。注意上面这个方程不仅仅在半径为R的球面上成立,而是对于所有r<R的球面都成立。理由仍是高斯定理。于是可以把这个方程的左边从r=0积分到r=R.然后调换积分顺序,先对r积分:int (p V)/(p r) dr=V(R,theta,phi)-V(0),再继续对立体角积分:int [V(R,theta,phi)-V(0)] d_Omega=int V((R,theta,phi) d_Omega - 4 pi V(0),【这里用到V(0)与theta和phi无关,而单独的立体角积分出来是4 pi】. 方程的右边当然还是零,于是就有V(0)={int V((R,theta,phi) d_Omega }/(4 pi),这个等式的右边就是电势在半径为R的球面上的平均值。
2023-07-08 16:00:394

证明:磁场的高斯定理说明磁力线总是闭合的。

用反证法,假设有不闭合的磁感应线,证它不满足磁场高斯定理
2023-07-08 16:00:481

问一个数学公式怎么证明,电磁上用到

我只能提醒楼主 这个用到了高数的高斯公式高斯公式又叫高斯定理、或散度定理、高斯散度定理、高斯-奥斯特罗格拉德斯基公式、奥氏定理或高-奥公式:   矢量穿过任意闭合曲面的通量等于矢量的散度对闭合面所包围的体积的积分 高斯公式投影性质它给出了闭曲面积分和相应体积分的积分变换关系,是矢量分析中的重要恒等式。是研究场的重要公式之一。   公式为: ∮F·dS=∫▽·Fdv ▽是哈密顿算符 F、S为矢量参考的百度中的高斯公式 楼主可以看看
2023-07-08 16:00:573

关于高斯定理,高斯面的问题,请高人指点!

1.那怎么证明E是常量,把E提出积分外?E等于0啊,就是常量。我的疑惑就是不知道为什么高斯面上每一点的场强大小相等,不要只说什么对称性,我希望能说的详细清楚点。。如果是金属球壳外有个电荷,那里面E=02.那个q就是围住的正电荷。你是想说这样高斯面上的E就不是常数了吧?的确不是。是的话,根据对称,Φ=0.所以不是。
2023-07-08 16:01:051

用高斯定理怎么证明阿基米德浮力定律?

微元dS上受的力等于F=ρgz{cosa,cosb,cosc}dS={ρgzdydz,ρgzdxdz,ρgzdxdy}然后积分前面两个分量的积分都是0 因为曲面积分前侧和后侧的结果 异号于是就剩下第3个分量 也就是铅直向上的那个分量对那玩意补 z=0 用高斯定理 就OK了
2023-07-08 16:01:131

静磁场的高斯定理说明了磁场的什么性质?

静磁场的高斯定理说明了磁场散度为0,简单理解就是磁场是闭合。在静电学中,表明在闭合曲面内的电荷之和与产生的电场在该闭合曲面上的电通量积分之间的关系。高斯定律表明在闭合曲面内的电荷分布与产生的电场之间的关系。高斯定律在静电场情况下类比于应用在磁场学的安培定律,而二者都被集中在麦克斯韦方程组中。因为数学上的相似性,高斯定律也可以应用于其它由平方反比律决定的物理量,例如引力或者辐照度。扩展资料电场强度对任意封闭曲面的通量只取决于该封闭曲面内电荷的代数和,与曲面内电荷的位置分布情况无关,与封闭曲面外的电荷亦无关。在真空的情况下,Σq是包围在封闭曲面内的自由电荷的代数和。当存在介质时,Σq应理解为包围在封闭曲面内的自由电荷和极化电荷的总和。由于磁力线总是闭合曲线,因此任何一条进入一个闭合曲面的磁力线必定会从曲面内部出来,否则这条磁力线就不会闭合起来了。如果对于一个闭合曲面,定义向外为正法线的指向,则进入曲面的磁通量为负,出来的磁通量为正,那么就可以得到通过一个闭合曲面的总磁通量为0。这个规律类似于电场中的高斯定理,因此也称为高斯定理。
2023-07-08 16:01:223

有关高斯面的物理问题

高斯定理是:电通量=任何的闭合曲面包围的净电荷除以介电常数,这个定理中的“闭合曲面”就叫高斯面。在球面内做一个高斯面,其所包围的净电荷为零,根据高斯定理,球面内场强处处为零。意思就是用高斯定理证明这个结论“球面内场强处处为零”
2023-07-08 16:01:391

证明,用高斯定理证明平行极板公式,要详细过程!!!

梁灿彬或赵凯华的电磁学上有 给你张图片 取自费曼物理学讲义
2023-07-08 16:01:451

有关匀强电场的证明

最简单最正规的方法是用高斯定理证明来证明。本来想在这里写一下,但是发现实在写不清楚,你可以去书店看看大学物理课本,有最标准的证明。估计你是一个中学生,对于高斯定理你一定不了解。初中的证明方法是:划电场线。在两板之间,电场线总是从正电荷出发,到负电荷终止。如果是相同正负电荷的平行金属板之间,那么电场线也应该是分别均匀并且平行的,所以电场是匀强电场。
2023-07-08 16:02:002