化学位移

化学位移中数字越大是低场，不是高场。因为低场矢量为0的分力越小，而分力越小，越容易产生位移，所以化学位移中数字越大是低场。

化学位移、偶合常数及峰面积积分曲线分别提供含氢官能团、核间关系及氢分布等三方面的信息。中：（1）峰的数目：标志分子中磁不等价质子的种类；（2）峰的强度(面积)：每类质子的数目(相对)；（3）峰的位移(δ)：每类质子所处的化学环境；（4）峰的裂分数：相邻碳原子上质子数；（5）偶合常数(J)：确定化合物构型。扩展资料：化学位移符号δ虽称不上精准但广泛存在，因此常常作为谱学分析中的重要参考数据。范围一般在 ±0.2ppm，有时更大。确切的化学位移值取决于分子的结构、溶剂、温度及该NMR分析所用的磁场强度及其他相邻的官能团。氢原子核对键结氢原子的混成轨域和电子效应敏感。核子经常因吸引电子的官能基解除屏蔽。未屏蔽的核子会反应较高的δ值，而有屏蔽的核子δ值较低。官能基如羟基（-OH）、酰氧基（-OCOR）、烷氧基（ -OR ）、硝基（-NO2）和卤素等均为吸引电子的取代基。 这些取代基会使Cα上相连的氢峰向低场移动大约2-4 ppm， Cβ上相连的氢峰向低场移动大约1-2 ppm。Cα是与取代基直接相连的碳原子， Cβ是与Cα相连的碳原子.羰基,碳碳双键和芳香环等含“sp2” 杂化碳原子的基团会使其Cα上相连的氢原子峰向低场移动约1-2 ppm 。

内因：吸电子基团、各向异构。外因：溶剂，温度。化学位移是核磁共振中的一种术语，是化学环境所引起的核磁共振信号位置的变化。影响因素有：内因：有吸电子基团的向低场移动（因为屏蔽作用减少，弛豫所需的外磁场强度可以不用很高）；共轭效应的向低场移动(如苯环上的H向低场移动)；还有就是各向异构引起的，比如苯环的上方空间（不是苯环上）的H向高产移动，三键的键方向的向高产移动，双建上方的H向高产移动。这些有机化学的课本上都有，注意分类，别弄混淆。外因：溶剂，温度（低温的时候有的单峰肯能会列分成双峰，如DMF的）。拓展资料：1950年，W. G. Proctor 和当时旅美学者虞福春研究硝酸铵的14N NMR时，发现硝酸铵的共振谱线为两条。显然，这两条谱线对应硝酸铵中的铵离子和硝酸根离子，即核磁共振信号可反映同一种核的不同化学位移。有机化合物中的质子与独立的质子不同，它的周围还有电子，在电子的影响下，有机化合物中质子的核磁共振信号的位置与独立的质子不同。化学位移（chemical shift)既是原子核如质子由于化学环境所引起的核磁共振信号位置的变化。参考资料：中国知网-NMR化学位移经验公式的影响因素

化学位移是NMR（核磁共振波谱）的术语。表征在不同化学环境下的不同H-1,C-13,P-31,N-15等元素在波谱上出现的位置。就外部因素来说，氘代溶剂对化学位移有一定影响，如用氘代氯仿和氘代DMSO会导致同一H或C的化学位移有变化，但不是很大。影响化学位移的主要因素是所测元素周围的化学环境。例如烯烃上的H或C的化学位移比饱和烷烃的H或C的化学位移要大的多，即在低场出现。更具体和详细的内容请参考有关的波谱专著。

化学位移是核磁共振中的一种术语，是化学环境所引起的核磁共振信号位置的变化，具体是用数字来进行表达。如果你是大学生，有空去帮师兄师姐做做实验你就会很了解，核磁共振是化合物结构解析的常用手段。 化学位移的产生: 在外磁场的作用下，核外电子会产生方向相反的感应磁场，即屏蔽作用，使原子核实际感受到的磁场强度减弱，共振频率随之改变。由于核所处的化学环境不同，导致核周围电子云密度不同所引起的共振吸收峰的位移现象称为化学位移。 影响因素可表现为:1.内因： 有吸电子基团的向低场移动，因为屏蔽作用减少，弛豫所需的外磁场强度可以不用很高；共轭效应的向低场移动，如苯环上的H向低场移动；还有就是各向异构引起的，比如苯环的上方空间，不是苯环上的H向高产移动，三键的键方向的向高产移动，双建上方的H向高产移动。这些有机化学的课本上都有，注意分类，别弄混淆； 2.外因：溶剂，温度，低温的时候有的单峰肯能会列分成双峰。

化学位移：由于有机分子中各种质子受到不同程度的屏蔽效应，因此在核磁共振谱的不同位置上出现吸收峰。某一物质吸收峰的位置与标准质子吸收峰位置之间的差异称为该物质的化学位移，常以δ表示。磁等性质子：在有机分子中，化学环境相同的一组原子称为磁等性质子。例如，四甲基硅烷，苯，环戊烷，甲烷，丙酮中的质子都是磁等性质子。化学位移相同。磁不等性质子：在有机分子中，化学环境不相同的质子称为磁不等性质子。例如，氯乙烷分子中甲基上的氯与亚甲基上的氢是磁不等性质子，2-聚丙烯中碳碳双键上的两个质子也是磁不等性质子。化学位移不相同。

【答案】：化学位移指在有机化合物中，各种氢核周围的电子云密度不同(结构中不同位置)，共振频率有差异，引起共振吸收峰的位移。

化学位移：质子由于在分子中所处的化学环境不同，而有不同的共振频率。化学位移伪影是指由于化学位移现象导致的图像伪影。由于化学位移现象，脂肪中的质子与水中的质子进动频率存在差异，在影像上表现为脂肪与水的界面上出现黑色和白色条状或月牙状的阴影。常发生在频率编码方向上，随着静磁场强度增加，伪影表现严重。已知总接收带宽和频率编码步数，化移伪影的大小是可以预估的。例如，若总接收带宽设32kHz，频率编码方向上分256个像素，则单个像素的带宽为32000/256=125Hz。考虑到1.5T上水-脂频差是215Hz，则相应的化移伪影大小 (215Hz) / (125Hz/pixel)=1.7pixels。显然，减小像素带宽会加重伪影。所以对于化移伪影有可能模糊界面的部位，如视神经和眼眶脂肪，就要注意避免使用窄带类成像技术。因为化移伪影是一种基于频率的磁共振信号空间重建的错位，所以典型地主要在频率编码也就是读出梯度方向上。但回波平面成像时例外，化移伪影发生于影像的相位编码方向上。另外，在2D傅立叶变换成像中，层面选择/定义也是根据不同层面的对应频率来的。所以化移伪影不仅会出现在层面内，而且会发生于层间。这种层间的化移伪影表现为某些解剖结构部位的暗环或亮环；还有一些不够显著，导致图像质量的不同程度的下降。最后要说明的是，要明白不仅是在水-脂之间有化移伪影，任何两种物质间都有。例如，眼科用的硅油和水之间的化移在4.4ppm，填胸矽胶和水4.7ppm。所以，在胸、头、颈以及四肢等部位，有硅注射或植入物的地方，就会出现化学位移伪影。

原子核在磁场的作用下会发生自旋，当吸收外来电磁辐射时，会发生核自旋能级的跃迁，产生核磁共振现象，有机化合物中，处在不同结构和位置上的各种氢核周围的电子云密度不同，导致共振频率有差异，产生共振吸收峰的位移，称为化学位移。

1.化学位移是由于电子的屏蔽作用而引起的核磁共振吸收位置的移动。 2.化学位移绝对值的差别很小，要精确测量难度很大，所以需要选定一个标准物质，将其核磁共振吸收峰的位置定为零，采用相对数值表示法来表示化合物吸收峰的位置。 3.常用的标准物质为四甲基硅烷（TMS）， 化学位移=0。 原因： （1）TMS为对称分子，四个甲基上所连H化学环境相同，属于化学等价质子，其吸收峰只有一个； （2）硅与碳属于同一主族元素，电负性相差不大，TMS中的质子所受屏蔽作用较大，共振吸收峰出现在高场。 4.绝大多数有机物中质子所受屏蔽效应比TMS 小，吸收峰处于低场，在TMS吸收峰的左侧 5.影响化学位移的因素 (1) 电负性： 吸电子基团使得H核周围的电子云密度降低，屏蔽效应减小，化学位移值 增大； 给电子基团使得H核周围的电子云密度升高，屏蔽效应增大，化学位移值 减小。 (2) 值会随着H核与吸电子基团距离的增大而减小。 （可理解为：H核距离吸电子基团越远，H核周围电子云密度降低得越少，屏蔽效应越大，化学位移越小） 总结： (1)化学位移与H核周围的电子云密度有关，可根据H核周围的电子云密度判断化合物吸收峰与标准物质吸收峰的位置关系。 (2)处于屏蔽区的质子，化学位移向高场移动；处于去屏蔽区的质子，化学位移向低场移动。 (3)高场位于标准物质的右边，低场位于标准物质的左边。 例如：卤素原子为吸电子基团，H核周围的电子云密度降低，屏蔽效应减小，化学位移值 增大，位于低场，在标准物质吸收峰的左边。 祝各位小伙伴们端午节快乐！过节也不忘学习哦~~~

氘代试剂是不出峰的，出分的是氘代试剂中少量残留的未氘代的溶剂。例如，氘代甲醇忠必然含有少量没有氘代完全的甲醇。应该来说，CD3OD有两组溶剂峰，分别是甲基和羟基。至于3.31和3.34，这个差别不是很大，不同仪器和条件下测量都是存在一定误差的，主要看定标的是后是以那个峰为基准(如TMS =0)，不需纠结于这个问题。

一般情况是不一样的，因为溶剂对化学位移有影响。不过，同一物质，其相对化学位移是一样的。

没有区别。氘代试剂化学品源于核物理重水提炼工业衍生产品，二甲基亚砜（DMSO）是一种含硫有机化合物，常温下为无色无臭的透明液体，是一种吸湿性的可燃液体，氘代试剂和二甲亚砜中的化学位移值没有区别，两个氘对一个氢耦合裂分成五重峰。

化学位移的单位怎么是ppm的原因是：核磁共振中，化学位移本身的单位并不是ppm，而其单位是Hz，之所以单位为ppm，是因为我们常说的化学位移指的是化学相对位移。打个比方，当使用200MHz的NMR时，某个位移值为200Hz，这时就采用相对位移，用200Hz去除以200MHz，得到的是百万分之一，也就是1ppm；之所以这么表示是因为，位移值会随着机器的不同而改变，例如刚才的例子，在400MHz的NMR下，位移值是400Hz，只是相对位移不变，仍然是1ppm。化学位移的公式表示：现采用相对数值表示法，即选用一个标准物质，以该标准物的共振吸收峰所处位置为零点，其它吸收峰的化学位移值根据这些吸收峰的位置与零点的距离来确定。化学位移值普遍采用无量纲的δ值表示，其定义为：四甲基硅吸收峰的δ值为零，其右边的δ值为负，左边δ值为正。扩展资料：影响因素：化学位移取决于核外电子云密度，因此影响电子云密度的各种因素都对化学位移有影响，影响最大的是电负性和各向异性效应。1. 电负性电负性大的原子（或基团）吸电子能力强，降低了氢核外围的电子云密度，屏蔽效应也就随之降低，其共振吸收峰移向低场，化学位移会变大；反之，给电子基团可增加氢核外围的电子云密度，共振吸收峰移向高场，化学位移会变小。2. 各向异性效应当分子中的某些基团的电子云排布不呈球形对称时，它对邻近的1H核产生一个各向异性的磁场，从而使某些空间位置上的核受屏蔽，而另一些空间位置上的核去屏蔽，这一现象称为各向异性效应（anisotropic effect）。各向异性效应是由于成键电子的电子云分布不均匀导致在外磁场中所产生的感应磁场的不均匀所引起的，如苯环上质子的化学位移移向低场，δ在7左右。3. 氢键氢键对羟基质子化学位移的影响与氢键的强弱及氢键的电子给予体的性质有关，在大多数情况下，氢键产生去屏蔽效应，使1H的δ值移向低场。4. 溶剂效应有时同一种样品使用不同的溶剂也会使化学位移值发生变化，这称为溶剂效应。活泼氢的溶剂效应比较明显。能引起溶剂效应的因素很多，如N,N-二甲基甲酰胺在CDCl3中测定时，δαH>δβH，而在被测物中加入适量苯溶剂后可使δαH<δβH, 这是因为苯能与之形成复合物，而使两种氢处于不同的屏蔽区所致。5. 范德华效应当取代基与共振核之间的距离小于范德华半径时，取代基周围的电子云与共振核周围的电子云就互相排斥，共振核周围的电子云密度降低，使质子受到的屏蔽效应明显下降，质子峰向低场移动，这称为范德华效应。参考资料：百度百科-化学位移

化学位移=(锁场场强-共振场强)/锁场场强不同碳的共振场强“差值”比氢核大，而碳的锁场场强（或共振场强）比氢核要小（只有氢核的1/4）。 所以，CNMR 谱的这个比值---“化学位移”---要远大于HNMR谱的。

由于各个核磁仪器的场强不同，对同一样品测出的“绝对”频率位移也会不一样。但是如果使用相对位移（例如，相对于所使用仪器的“锁场”频率），不同的仪器，对同一样品的测出的“相对”频率位移就一样了。化学位移ppm就是这种相对位移。ppm=(样品共振频率－锁场频率)/锁场频率（因为HNMR的频率都是在百万赫兹范围，而差(样品共振频率－锁场频率)一般在几个赫兹的范围内。所以，用part per million.) 譬如，说在某个100MHz的仪器上水的质子的绝对化学位移是 1000004 Hz,饱和烃的质子的绝对化学位移是 1000007 Hz。那么，它们的相对化学位移（相对于水）=（1000007-1000004）/1000004=3ppm。但是，在另一台400MHz仪器上水的质子的绝对化学位移是 4000015 Hz,而饱和烃的质子的绝对化学位移是 4000003 Hz。那么，它们的相对化学位移（相对于水）=（4000015-1000003）/4000015=3ppm。

化学位移=(锁场场强-共振场强)/锁场场强 不同碳的共振场强“差值”比氢核大,而碳的锁场场强（或共振场强）比氢核要小（只有氢核的1/4）.所以,CNMR 谱的这个比值---“化学位移”---要远大于HNMR谱的.